XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System应变的
农业研究服务文化收藏（NRRL）
*生存能力测试报告和其他信件将发送到上面的一方。我们的原始押金中的处理材料将发送到上面的一方进行检查。如果在运输之日起3个月内没有响应，则我们的处理材料将被视为与原始存款相等，这是归因于应变的可行性和绩效。
SPIE的会议录
二维材料中的不均匀和三维应变工程为控制应变敏感光子性能的应变设备开辟了新的途径。在这里，我们提出了一种通过皱纹单层WSE 2来调整应变的方法，该单层WSE 2连接到15 nm厚的ALD支撑层并压缩软底物上的异质结构。aldfim sti tipers 2D材料，可以通过光学分解的微米尺度皱纹，而不是纳米尺度缩放和折叠。使用光致发光光谱法，我们显示皱纹引入了47 MeV对带隙的周期性调节，与皱纹处的 +0.67％拉伸应变的应变调制相对应，到槽在槽中的-0.31％压缩应变。此外，我们表明，循环底物应变机械地重新发现了皱纹和结果带调的大小和方向。这些结果铺平了基于紧张的2D材料的可伸缩多发性设备的道路。
EHPM益生菌指南-2022
在没有关于成品的实时稳定性数据的情况下，最初可以根据（1）可用于应变的稳定性数据建立基于益生菌的FS的持续时间和存储条件，（2）可用于相似产品的稳定性数据，（3）相似性测试的结果，以及（4）的超过量。这可能足以将产品投放市场。建议根据市场条件并联对成品进行实时稳定性测试。
通过无监督的临床和应变数据聚类来表征心脏重新同步治疗的响应者曲线
Alban Gallard，Auriane Bidaut，Arnaud Hubert，Elif Sade，Sylvestre Marechaux等人。通过无需临床和应变的临床和应变群集，响应者轮廓的特征 - 响应者概述，用于心脏重新同步治疗。美国超声心动图学会杂志，2021，34（5），pp.483-493。10.1016/j.echo.2021.01.019。hal-03156865
多层FESE膜中位错网格的旋转和
了解结构和电子对称性破坏在基于Fe的高温超导体中的相互作用仍然引起了人们的关注。在这项工作中，我们使用分子束外延在一系列厚度中种植了应变的多层FESE薄膜。我们使用扫描隧道显微镜和光谱法研究了电子列区域和空间变化应变的形成。我们直接可视化边缘的形成，从而导致膜中的二维边缘脱位网络。有趣的是，我们观察到位错网络的45度内部旋转是膜厚度的函数，从而沿不同方向产生抗对称应变。这会导致电子列域和反对称应变之间的耦合比不同。最后，我们能够通过揭示两个区域之间差分电导图的较小能量依赖性差异来区分不同的正交列域。这可以通过轨道选择性尖端样本隧道来解释。我们的观察结果为外延薄膜中的脱位网络形成带来了新的见解，并提供了另一个纳米级工具来探索基于Fe的超导体中的电子nematicity。
基于单层 MoSe2 的隧道场效应晶体管...
摘要 — 本文详细研究了机械应变对过渡金属二硫属化物 (TMD) 材料隧道场效应晶体管 (TFET) 的影响。首先，利用密度泛函理论 (DFT) 的第一原理在元广义梯度近似 (MGGA) 下计算机械应变对 MoSe 2 材料参数的影响。通过在非平衡格林函数 (NEGF) 框架中求解自洽 3D 泊松和薛定谔方程，研究了 TMD TFET 的器件性能。结果表明，I ON 和 I OFF 均随单轴拉伸应变而增加，但 I ON / I OFF 比的变化仍然很小。TMD TFET 中这种应变相关性能变化已被用于设计超灵敏应变传感器。该器件对 2% 的应变显示出 3.61 的灵敏度 (ΔI DS / I DS)。由于对应变的高灵敏度，这些结果显示了使用 MoSe 2 TFET 作为柔性应变传感器的潜力。此外，还分析了应变 TFET 的后端电路性能。结果表明，与无应变 TFET 相比，基于受控应变的 10 级反相器链的速度和能效有显著提高。
Labram Odyssey
粒子夹与配备了LabSpec 6软件，摄像机和电动XY样品阶段的任何Horiba Raman光谱仪兼容。符合这些要求，粒子粉的拉曼分析可以充分利用拉布拉姆·奥德赛的独特功能，以确保最合适的化学询问。这可以从常规鉴定共同颗粒和污染物到多态性/相，光致发光和应力/应变的高级表征。
确定对霍乱治疗和控制抗生素的敏感性
•质量控制：如果参考应变的参考不符合预期结果，则测试的V.霍乱菌株的结果无效，实验室必须识别出误差源。•四环素：强力霉素灵敏度的测试测试。对TE敏感的菌株可以被认为是对强力霉素的“敏感”。在对TE的耐药的情况下，必须单独测试强力霉素作为CMI的度量。•péfloxacin：对环丙沙星敏感性的测试。•红霉素：阿奇霉素的测试测试。
2020 Cao-Nitinol HCF.pdf
与镍钛诺（一种名义上的镍和钛的等原子合金）的高周疲劳相关的一个有争议的问题是，有人声称增加施加的平均应变可以增加疲劳寿命，或者至少不会对疲劳寿命产生负面影响，这与绝大多数其他金属材料的报告行为相冲突。为了进一步研究这一点，在 37°C 下对电解抛光医用级镍钛诺进行了弯曲循环疲劳试验，寿命高达 4 亿次应变循环，涉及不同水平的平均应变。通过对疲劳数据的统计分析，开发了一个恒定寿命模型，在有效疲劳应变的 95% 置信水平下具有 90% 的可靠性。我们的结果表明，恒定寿命图（应变幅与平均应变的关系图）对于 4 亿次疲劳载荷循环寿命是单调但非线性的。具体而言，我们发现，与上述说法相反，在零平均应变下，应变幅度极限为 0.55%，以实现 4 亿次循环寿命，可靠性为 90%，置信度为 95%；然而，要在平均应变为 3% 或更高的情况下实现相同的寿命、可靠性和置信度水平，所需的应变幅度极限会降低三倍以上，降至 0.16%。此外，对于平均应变从 3% 到 7% 的情况，在可靠性为 90% 且置信度为 95% 的情况下，允许 4 亿次循环寿命的应变幅度极限约为 0.16%，
拉伸应变锗微结构
并无需使用载流子注入即可增强电光调制。与此同时，人们正在努力实现完全集成在硅基平台中的发光器，作为 III – V 族材料的经济高效的替代品。这方面的两个主要途径是使用 Ge 及其与 Si 和 Sn 的合金，以及应变工程。硅 – 锗 – 锡 (GeSn) 合金可能是一种很有前途的解决方案 [4]，因为它的能带结构可以通过其成分来控制，从而在宽光谱范围内实现高发射效率，但这些三元合金对材料生长提出了一些技术挑战。[5] 能带结构控制的替代途径是在 Ge 和 GeSn 合金中引入拉伸应变。这里的目标是利用拉伸应变来降低导带 L 和 Γ 最小值之间的能垒，实现准直接带隙材料，从而提高辐射效率。此外，拉伸应变的作用是消除重空穴 (HH) 和轻空穴 (LH) 价带之间的简并性，并降低导带和价带之间的能量差，[6,7] 从而提供对带隙的所需控制。这些能带结构效应可以通过光致发光 (PL) 实验揭示，而半导体中应变的关键测量可以使用拉曼光谱来实现。机械变形会显著影响 PL 发射、谷分裂的不均匀性或重叠