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li-ion构建块，带有Sony/Murata VTC6数据表
温度传感器是从细胞端子中分离出来的，可以通过单独的电路安全地读取信号。但是，使用标准堆栈测量IC非常方便，通常用于电池监视和平衡。图6给出了具有广泛可用LTC6803的电路示例。要测量温度，在IC上激活平衡开关。这样做后，CN+1和CN之间的电压差为温度。在这种测量过程中，传感器电流从细胞正选项卡到串联电阻器到传感器，然后转移到IC的内部平衡FET，然后通过另一个串联电阻到细胞为阴性。因此，在这种情况下，使用330Ω电阻为传感器形成680Ω电阻。当禁用开关时，可以测量电池电压。请注意，在添加电容器进行过滤测量时，应格外小心，因为这可能导致传感器中的过电流状态。还要注意，不得启用相邻的平衡开关，因为这也会导致过电流。如果选择了这样的技术，则应一次在每个第二个单元格上进行两个循环进行测量（例如：1、3和5，2、4和6）。建议使用单独的IC进行电池管理和温度测量，但是，通过额外的谨慎和智能工程，可以使用单个IC进行电池电压测量，温度测量和平衡：如果添加了额外的出血电阻和MOSFET，则可以在温度测量过程中平衡细胞。
坚固的 Si/Ge 异质结构超表面作为波长选择性光电探测器的构建块
由亚波长大小的金属或介电纳米结构二维排列组成的光学超表面可用于操纵亚波长厚度层的光特性。1–4 光学超表面被认为是完美的 5 和选择性 5,6 吸收器和透镜。7 光学超表面的可能应用包括与 CMOS 图像传感器结合用作滤波器 8 或用作生物传感器的构建块。9,10 相比之下，很少有人尝试将超表面直接整合到光电器件中，并利用其波长选择性和偏振选择性等特性。金属超表面已与体光电探测器相结合，用于光电流增强和传感。11,12 介电超表面已被构造到体 Si 和 Ge 光电二极管的顶层，以增强宽带响应度。13
成功的数字转换策略的构建块
使用公共云的共享基础架构还可以帮助政府机构有效地相互共享数据，增强协作，通过使跨机构的分析和分析和洞察力更好，并始终如一地产生和呈现，并允许更大的灵活性来满足政府不断变化的需求。使用传统的IT系统，政府经常发现，一个机构自行存储的数据可能是其他机构无法访问的，因为IT系统不兼容或运行不同或过时的软件版本。通过在云中巩固政府数据，共享基础架构，并使所有数据符合和谐的技术，运营和数据安全框架（请参阅构建块2（数据分类和安全框架）），政府机构可以更有效地协作，同时保持其数据所需的安全级别。
量子电路分区到 SAQIP 架构构建块的精确映射
摘要 — 量子计算受益于量子态的集体特征，例如叠加和纠缠，可以有效解决传统系统难以解决的问题。可扩展量子信息处理器架构 (SAQIP) 是一种有前途的技术，它基于离子阱，实现了一种由大量全定制构建块（旨在实现所谓的基本逻辑单元 (ELU)）组成的混合体，这些构建块通过可重构光开关网络连接。与每个架构一样，需要相应的设计方法才能将给定的量子功能正确映射到相应的设备上。然而，由于相应的复杂性经常使过去的架构无法实现这项任务的精确解决方案，大多数现有的映射方法都依赖于启发式方法，因此无法提供精确/最佳结果。然而，考虑到 SAQIP 架构，可以避免这个问题。事实上，由于这种架构的构建块，任何要映射的电路都必须划分为 ELU。由于这些通常规模适中，因此可以得到精确/最优解。在本文中，我们概述了一种可以生成此类最优结果的精确映射方法。为此，我们在混合整数线性规划 (MILP) 中提出了相应的公式，可以应对（较小但仍然不平凡的）复杂性。
基于醌的单分子开关作为分子电子学的构建块
虽然半导体电路的小型化仍在继续，但它已不再遵循摩尔定律，摩尔定律预测每 18 个月单位面积晶体管数量将翻一番。这种小型化必须在可预见的未来达到其物理极限。克服这一障碍的一种可能途径是使用分子电子学，其中单个分子将充当电子设备的构建块，例如晶体管或存储元件。张 1 最近的一篇评论文章展示了一个活跃的研究领域。Schaub 等人 2,3 报道了一种可控开关，由沉积在 Cu-(110) 表面上的偶氮苯分子组成。如果施加大于 0.3 V 的电压，则可以产生两种对称性相关的互变异构体中的一种，具体取决于扫描隧道显微镜 (STM) 尖端的位置。较小的电压允许在不改变分子的情况下确定其当前的互变异构状态。翻译成计算语言，这构成了一个可以写入和读取的存储元件。不幸的是，STM 尖端需要移动到分子上方的正确位置，这使得操作无法以可能与当前微电子器件相媲美的频率进行。另一个问题是，电导率的变化只与表面垂直的方向有关，因为支撑金属会使任何平行于表面的电压短路。为了制造出可用于电子设备的分子，必须具备三个先决条件：双稳态、
模块化电路QED量子计算的构建块
3.1连接的量子模块。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24 3.2可扩展设备的配置。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 3.3 Transmon Qubit。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 3.4 Transmon的色散读数轨迹。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。35 3.5读取直方图。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。35 3.6基本的谐振器测量概括。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。36 3.7在不同的谐振器配置中响应。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。39 3.8谐振器功率依赖性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。41 3.9反馈冷却过程。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。43 3.10腔状态的数字峰值分辨率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。46 3.11存储腔的直接光谱。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。47
