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World File Search System开关电压
边缘粗糙度对磁隧道结电阻和开关电压的影响
摘要 — 我们使用非平衡格林函数形式研究了边缘粗糙度对磁隧道结电传输特性的影响。我们将边缘粗糙度建模为磁隧道结横截面轮廓的随机变化，其特征是相关函数的拉伸指数衰减。形状和尺寸的随机变化改变了横向能量模式轮廓，并导致磁隧道结的电阻和开关电压发生变化。我们发现，由于量子限制效应，随着磁隧道结尺寸缩小，变化会变得更大。提出了一种模型，通过将横截面几何形状近似为具有相同横截面积的圆来有效计算边缘粗糙度效应。可以通过将横截面积近似为椭圆来获得进一步的改进，其纵横比由对应于 2D 横截面的第一个横向特征值确定。这些结果将有助于可靠地设计具有超小磁隧道结的自旋转移力矩磁性随机存取存储器（STT-MRAM）。
GaN 功率晶体管的栅极驱动配置
在半桥应用中对交叉传导的灵敏度增加 这两种影响都可以通过使用负栅极驱动电压来减轻。但这种方法也有缺点，因为负栅极驱动会导致反向（第三象限）操作中的电压降增加，从而导致死区期间的传导损耗更高。因此，最佳栅极驱动始终取决于基本应用条件（硬/软开关、功率等级、开关电压、频率等）。本白皮书简要概述了 GIT 和 SGT 产品系列的推荐栅极驱动概念。多功能标准驱动器（RC 接口）可以轻松适应这两种技术。本文档还提供了基本的栅极驱动器尺寸指南和一些典型的应用示例。
研究改善Nbox ...
为了在V点结构中获得最高的积分存储密度，单偏度单抗性（1S1R）结构中选择器的工作电流应与电阻随机访问存储器（RRAM）匹配。在这项研究中，选择器设备通过磁控溅射方法设计了TI/NBO X/TI/PT结构，并在超大合规性电流（CC）下实现了阈值切换的出色性能，最高为100 mA。此外，即使CC增加到CC级别，开关电压和设备的离子电阻都表现出极好的稳定性，这归因于开关层中金属NBO的存在。本研究提供了证据，表明Ti/NBO X/Ti/PT设备具有驱动V点结构中RRAM的巨大潜力。
具有功率因数校正的交流-直流 LLC 谐振转换器
印度海得拉巴 摘要：集成功率因数校正的 LLC 谐振转换器在 AC-DC 转换器中越来越常见。然而，单相设置在变化的线路和负载条件下有效控制直流总线电容器电压时经常面临挑战。本研究中的新方法引入了一种独特的单相 AC-DC LLC 结构，该结构利用多级拓扑来管理此问题，从而减少了开关设备的数量。创新的三级逆变器设计确保零电压切换，从而降低循环电流、开关电压、纹波含量和损耗。通过无桥整流器系统的变压器进一步优化效率，同时通过采用源侧绕组进行不连续电流控制来实现功率因数校正，几乎实现了单位功率因数。通过实施可变开关频率控制来调节转换器输出电压并利用脉冲宽度调制来控制多级波形，该系统有效地将直流总线电压保持在各种线路和负载波动的窄范围内。索引术语 - LLC 谐振转换器、AC-DC 转换器、软开关、PFC、DC 总线。
栅极电压可寻址混合超导体-半导体量子阱场效应纳米开关阵列的大规模片上集成
稳定、可重复、可扩展、可寻址和可控的混合超导体-半导体 (S-Sm) 结和开关是门控量子处理器的关键电路元件和构建块。分离栅电压产生的静电场效应有助于实现纳米开关，这些纳米开关可以控制基于二维半导体电子系统的混合 S-Sm 电路中的电导或电流。这里，通过实验展示了一种新颖的大规模可扩展、栅极电压可控的混合场效应量子芯片的实现。每个芯片都包含分离栅场效应混合结阵列，它们用作电导开关，由与 Nb 超导电子电路集成的 In 0.75 Ga 0.25 As 量子阱制成。芯片中的每个混合结都可以通过其相应的源漏极和两个全局分离栅接触垫进行控制和寻址，从而允许在其 (超) 导电和绝缘状态之间切换。总共制造了 18 个量子芯片，其中有 144 个场效应混合 Nb-In 0.75 Ga 0.25 As 2DEG-Nb 量子线，并研究了低温下多个器件的电响应、开关电压（开/关）统计、量子产率和可重复性。提出的集成量子器件架构允许控制芯片上大型阵列中的单个结，这对于新兴的低温量子技术非常有用。