机构名称：
¥ 1.0
为了在V点结构中获得最高的积分存储密度，单偏度单抗性（1S1R）结构中选择器的工作电流应与电阻随机访问存储器（RRAM）匹配。在这项研究中，选择器设备通过磁控溅射方法设计了TI/NBO X/TI/PT结构，并在超大合规性电流（CC）下实现了阈值切换的出色性能，最高为100 mA。此外，即使CC增加到CC级别，开关电压和设备的离子电阻都表现出极好的稳定性，这归因于开关层中金属NBO的存在。本研究提供了证据，表明Ti/NBO X/Ti/PT设备具有驱动V点结构中RRAM的巨大潜力。
研究改善Nbox ...
主要关键词
相关文件推荐
