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用于内存计算的完全 CMOS 兼容被动式 TiO2 忆阻器交叉开关
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
使用开关电池的超低频率DC-DC转换器
比例[1] - [2]。SCC输出阻抗与电容器值C fly和工作频率F SW的乘积成反比[3]。因此，将工作频率提高10倍或多或少地降低了具有相似因素的被动组件的足迹。但是，开关损耗增加了10倍，从而降低了功率效率。低功率 - 例如MW量表及以下 - 如图1如果保持大于90％的效率，则开关损耗限制了可实现的工作频率。由于工作频率有限，因此电容密度较高的电容器是增加功率密度（w/mm 3）[4] - [5]的替代方法。尽管如此，电容密度的增加限制为几个200 nf/mm 2 [6]（深部电容器），无法保持低功率下的不可忽略的开关损失。另外的电容器和电感器，第三能量
在交替的供体 - 受体共聚物的半晶结构中，掺杂剂位置对极性开关P N机制的影响
Bharath Dyaga，Antoine Lemaire，Shubhradip Guchait，Huiyan Zeng，Bruno Schmaltz等。掺杂剂位置在交替的供体供体 - Acceptor拷贝剂的半晶结构中的影响对极性交换P极性交换P→N机械。材料杂志化学杂志C，2023，11（47），第16554-16562页。10.1039/D3TC02416D。 hal-0460287210.1039/D3TC02416D。hal-04602872
基于脲酶的 pH 光开关：光的通用途径……
摘要：需要新的方法来整合化学和物理刺激以控制人工酶反应网络 (ERN) 的动态。在这里，我们提出了一种将光刺激转化为时间程序化 pH 响应的通用方法。我们开发并表征了一组光控脲酶抑制剂。脲酶活性现在由光通过光抑制剂调节，导致尿素水解为氨时 pH 升高。通过仔细选择光的特性以及酶、底物和光抑制剂的浓度，我们可以控制 pH 转变的时间。此外，由于所有酶都具有活性-pH 曲线，因此脲酶光抑制剂系统可用于调节小反应网络中其他酶的活性。
通过裂域 CRISPR-Cas12a gRNA 开关进行序列独立的 RNA 传感和 DNA 靶向
CRISPR 技术越来越需要对核酸酶活性进行时空和剂量控制。一种有前途的策略是将核酸酶活性与细胞的转录状态联系起来，通过设计引导 RNA (gRNA) 使其仅在与“触发”RNA 复合后发挥作用。然而，标准的 gRNA 开关设计不允许独立选择触发和引导序列，从而限制了 gRNA 开关的应用。在这里，我们展示了 Cas12a gRNA 开关的模块化设计，它可以将这些序列的选择分离。Cas12a gRNA 的 5' 端融合到两个不同且不重叠的结构域：一个与 gRNA 重复碱基配对，阻止 Cas12a 识别所需的发夹结构的形成；另一个与 RNA 触发物杂交，刺激 gRNA 重复的重新折叠和随后的 gRNA 依赖性的 Cas12a 活性。使用无细胞转录翻译系统和大肠杆菌，我们表明设计的 gRNA 开关可以响应不同的触发因素并靶向不同的 DNA 序列。调节传感域的长度和组成会改变 gRNA 开关的性能。最后，gRNA 开关可以设计为感知仅在特定生长条件下表达的内源性 RNA，从而使 Cas12a 靶向活性依赖于细胞代谢和压力。因此，我们的设计框架进一步使 CRISPR 活性与细胞状态挂钩。
Cisco N9300系列智能开关与Cisco Hypershield
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提取紧凑型瞬态热模型，用于基于SIC MOSFET开关的全局优化功率系统
anaïsCassou *1，Quang Chuc Nguyen 2，Patrick Tounsi 1，Jean-Pierre Fradin 3，Marc Budinger 4，Ion Hazyuk 4 1 CNR，Laas，Laas，7 Avenue du du Colonel Roche Roche，Univ。De Toulouse, INSA, LAAS, F-31400 Toulouse, France 2 IRT Saint-Exupéry, 3 Rue Tarfaya - CS34436, 31400 Toulouse cedex 4, France 3 ICAM, site de Toulouse, 75 avenue de Grande Bretagne, 31076 Toulouse Cedex 3, France 4 Université de Toulouse, ICA (INSA, UPS，地雷Albi，Isae），135 Av。de rangueil，31077法国图卢兹 *电子邮件：anais.cassou@laas.fr本文在优化电源转换系统时涉及紧凑型瞬态热模型的兴趣。这些模型必须考虑基于SIC MOSFET的功率模块的不同芯片之间的热耦合效应。在模拟工具（例如ModelICA）中很容易实现开发的模型。我们将表明，对于在低占空比工作周期或快速变化的功率需求的应用程序，瞬态模型可以通过减轻系统来改善全球最佳设计。这种方法还确保连接温度不超过其极限值。
低温条件下（1.5 K）Al 2O3/TiO2–x 忆阻器的电阻开关和传输机制研究
固态量子技术的不断进步已带来前景光明的高质量硅基量子比特 [1], [2]。此类量子系统在低至 10 mK 的低温下工作，目前由位于室温低温恒温器外部的经典电子设备控制。虽然这种方法可以操作少量子比特系统，但很明显，管理数量大幅增加的量子比特将是不可能的。因此，要迈向大规模量子系统，有必要探索新颖的集成和封装方法，以在具有一个或多个温度阶段的低温环境中开发量子经典接口 [3]。与此同时，纳米级电阻开关存储器（也称为忆阻器）是室温应用（如基于大规模并行神经形态电子架构的大容量存储器和内存计算应用）最有前途的候选者之一 [4]。在低温下展示可逆、非挥发和高度非线性的忆阻器器件电阻编程将为基于忆阻器的低温电子学铺平道路，从而有助于克服实现量子霸权的障碍。到目前为止，研究电阻存储器的最低温度是 4 K [5]–[10]，主要是为了更好地了解基于过渡金属氧化物的器件的温度相关行为和传导机制。
热开关控制固态电气冷却器
基于电源材料的制冷系统被认为是当前基于蒸气压缩设备的潜在替代方案。这些系统提供更接近Carnot限制的晶状体，同时还与微型化，紧凑性和集成到电子设备和可穿戴设备中。已经提出了几种原型，主要依靠机械和流体运动进行传热，这阻止了这些系统达到更高的操作频率，良好的热接触和低损失。一动不动的电源固态设备已经概念化了，但是它们的相对复杂性已阻碍了原型。在这项工作中，我们研究了依靠热电开关来控制热流的固态电局冷却器的性能。我们的设备操作模式通过通过热开关被动吸收热量来最大程度地减少能源消耗。在稳态热传播模型之后，评估了一组广泛的参数，覆盖运行温度，材料特性，几何特征，操作频率和材料极化损失，评估了一组广泛的参数，评估了施加的电流，吸收的热量，功耗和性能。我们估计COP高于1的COP，最大温度（对于不同的材料特性，几何因素或EC损失）和绝热温度的变化比施加的温度跨度高1 k。较高的温度跨度在6至10 K的率COP之间的0.1阶段，导致功耗显着增加。这些结果旨在在选择材料，温度和几何形状方面指导对这些固态设备的研究。
DC和开关电源循环之间的IGBT功率模块的热应力分析比较
自数十年以来，PCT基本上是在直流模式下执行的，在DC模式下，仅通过传导损失（Joule效应）获得功率芯片的自加热。如今，此类可靠性测试也在高压下进行切换模式进行，其中通过传导和开关损耗的组合获得加热[3,9,10,11]。 在过去十年中，在切换模式下仅进行了相对少量的测试。 由于在最后一个模式中的应力条件更代表了运行中应用的压力条件，因此应有的应力和降解应与操作条件更好地相关。 无论测试模式如何，目标是评估组件，包装和互连的行为和寿命。 然而，可以根据传导和开关损耗之间的相对重量来修改芯片上的热应力分布。 因此，不仅有必要比较如今，此类可靠性测试也在高压下进行切换模式进行，其中通过传导和开关损耗的组合获得加热[3,9,10,11]。在过去十年中，在切换模式下仅进行了相对少量的测试。由于在最后一个模式中的应力条件更代表了运行中应用的压力条件，因此应有的应力和降解应与操作条件更好地相关。无论测试模式如何，目标是评估组件，包装和互连的行为和寿命。然而，可以根据传导和开关损耗之间的相对重量来修改芯片上的热应力分布。因此，不仅有必要比较