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强场Qed
摘要：Sachdev-Ye-Kitaev（Syk）模型是一个具有随机相互作用和强烈混乱动力学的N Majorana费物的系统，在低能量时，它可以接受全息二重描述，作为二维Jackiw-Teititelboim。因此，SYK模型提供了一种量子重力的玩具模型，该模型可能可行，可以使用近期量子硬件进行模拟。以减少这种模拟所需的资源的目的为动机，我们研究了SYK模型的稀疏版本，其中相互作用项被概率1 -p删除。具体而言，我们按数值计算光谱形式（SFF，Hamiltonian的特征值对相关函数的傅立叶变换）和最接近的邻居特征值间隙比R（表征连续特征值之间间隙的分布）。我们发现，当p大于过渡值p 1（缩放为1 /n 3）时，SFF和r均与完整的非扩展模型所获得的值匹配，并且具有随机矩阵理论（RMT）的期望。但对于p 低于较小的p 2，它也比例为1 /n 3，甚至连续特征值的间距与RMT值不同，这表明了光谱刚度的完全分解。 我们的结果对使用传送不忠作为损失函数获得的非常稀疏的SYK模型的全息解释提出了怀疑。低于较小的p 2，它也比例为1 /n 3，甚至连续特征值的间距与RMT值不同，这表明了光谱刚度的完全分解。我们的结果对使用传送不忠作为损失函数获得的非常稀疏的SYK模型的全息解释提出了怀疑。
磁性dirichlet laplacian的特征值，在强场极限中，磁盘上的恒定磁场
如果γ= 0，则表达式tr（h b -λ）0-更为常用于“计数函数”，并用n（h b，λ）表示。众所周知，特征值{λn（，b）}n∈Na sa作为b∈R上的函数，可以通过实用分析的特征值分支来识别零件。这是分析扰动理论的经典结果，例如参见Kato [1，第VII章第3和§4]。在此框架中，操作员{h b}形成一种类型（b）自我偶像霍尔态家族。代表家族{H B}光谱的特征值分支通常不维护特定顺序，因为不同的分支可以相交。我们对h b的频谱的行为感兴趣，因为实力b变得很大。我们的第一个结果（定理2.1）处理磁盘的特殊情况。在这里，{h b}b∈R的光谱的所有真理特征值分支都按照融合的超测量功能的根来给出。我们计算所有分析特征值分支的两个学期渐近学。此结果通过Helffer和Persson Sundqvist [2]概括了定理。在本文的第二部分中，我们关注分类特征值λN（，b）的光谱界限以及riesz表示TR（H B -λ）γ-。要在现有文献中找到我们的作品，让我们布里特（Brie brie）总结了重要的相关结果。
原子和小分子中的强场诱导量子动力学
摘要 高强度激光场可以电离原子和分子，也可以引发分子解离。本文综述了利用冷靶反冲离子动量谱和定制强场飞秒激光脉冲的潜力所取得的实验最新进展。说明了通过检测离子动量来对分子结构和小分子取向进行成像的可能性。详细分析了非绝热隧道电离过程，重点关注隧道出口处电子波包的性质。本文综述了电子在圆偏振光隧穿过程中如何获得角动量和能量。电子是一个具有振幅和相位的量子物体。大多数强场电离实验都集中在电子波函数的绝对平方上。电子全息角条纹技术使得能够检索强场电离中的维格纳时间延迟，这是电子波函数在动量空间中的相位的属性。动量空间中的相位与位置空间中的振幅之间的关系使我们能够获取有关电子在隧道出口处的位置的信息。最后，讨论了最近研究强场电离纠缠的实验。
强场Qed
量子场理论在存在强背景字段的情况下包含有关量子计算机有一天可能提供有价值的合成资源的相互关系的问题。在NISQ时代，考虑更简单的基准概率，以开发可行的方法，确定当前硬件的关键局限性并构建新的仿真工具。在这里，我们使用实时非线性BREIT-WHEELER配对生产作为原型过程，对3+1维的强场QED（SFQED）进行量子模拟。在毛茸茸的伏尔科夫模式的扩展中，强烈的Qed hamiltonian被解散和截断，与Breit-wheeler相关的相互作用转化为量子电路。量子模拟与经典模拟非常吻合，包括我们开发并适应具有时间依赖性汉密尔顿的Trotterterization的不对称解答算法。我们还讨论了SFQED量子模拟的长期目标。
谐振隧道增强场发射的理论分析
在本文中，我们通过求解一维时间独立的schrödinger方程来开发出从表面上从表面发射的精确分析量子理论。可以通过离子，原子，纳米颗粒等引入的Quantu井可以简化为平方电位，其深度为H，宽度D和与表面L的距离。该理论用于分析量子井（D，H和L），阴极性质（工作函数W和Fermi Energy E F）和DC Fifferd f的效果。发现，量子井可能导致谐振隧道增强的轨道发射，最高几个数量级，比裸露的阴极表面大。同时，电子发射 - 能量光谱显着狭窄。强的增强区域受EFL +H≥W + C和EFL≤W的条件，E是基本电荷（正）（正），并且C在DC Fifferd f上持续依赖。还发现，带有直流f的电子发射能源谱的谐振峰遵循εp=εp0-efl，εp0大约是在没有dcfifeld的平方电位中固定在平方电位中的电子的特征力。该理论为高效率场发射器的设计提供了见解，该发射器可以产生高电流且高度简单的电子束。
共振隧穿增强场的理论分析
图 3. 场发射电流密度（根据公式 (10) 计算）在不同条件下量子阱宽度 d 的函数：(a) 直流场 F ，其中 L = 0.1 nm，H = 6 eV；(b) 阱深度 H ，其中 L = 0.1 nm，F = 4 V/nm；和 (c) 到表面的距离 L ，其中 H = 6 eV，F = 4 V/nm。在 J - d 图中，共振峰出现在不同的 (d) F 、(e) H 和 (f) L 处的量子阱宽度，分别对应于 (a) – (c) 中的情况。向上的三角形是从图 3(a)-3(c) 中提取的。圆圈是使用公式 (11) 计算的。公式 (10) 中的温度取自 T = 300 K。