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CrystalView fiber 数字光纤延长器
CrystalView 光纤概述 CrystalView 光纤概述 CrystalView 光纤概述 CrystalView 光纤概述 CrystalView 光纤概述 CrystalView 光纤模型以发射器和接收器单元成对出售。 发射器连接到您的计算机，接收器连接到您的键盘、显示器和鼠标。 双单元在发射器单元上有一个额外的连接，用于连接另一个键盘、显示器和鼠标。 您还可以获得一个机箱，它可以容纳最多 10 个发射器或接收器，并使用公共电源进行高密度机架安装。 发射器和接收器通过带有 SC 型连接的标准双光纤电缆连接在一起。 距离和光纤电缆类型 距离和光纤电缆类型 距离和光纤电缆类型 CrystalView 光纤模型以多模或单模形式提供。 光纤电缆由芯线尺寸/包层尺寸指定。多模电缆可以是 50/125 微米（最长 1200 英尺）或 62.5/125 微米（最长 600 英尺）。单模电缆为 9/125 微米（最长 33,000 英尺）。可以从 Rose 订购任意长度的电缆。CrystalView 光纤平台 CrystalView 光纤平台 CrystalView 光纤平台 CrystalView 光纤平台 CrystalView 光纤可用于支持 PC 或 Sun 计算机。PC 型号有单机版或双机版，发射器单元上有第二个 KVM 站。Sun 型号仅提供单机版。CrystalView 光纤底盘 CrystalView 光纤
Ag颗粒形状对机械和热的影响...
摘要 目的——本文旨在开发和测试用于半导体芯片封装的热界面材料 (TIM)。本研究的目标是实现良好的粘附性能（> 5 MPa 剪切强度）和低热界面阻（优于 SAC 焊料）。设计/方法/方法——研究了芯片和基板镀金触点之间 TIM 接头的机械和热性能。本研究采用基于银浆的烧结技术。通过剪切力测试和热测量评估性能特性。使用扫描电子显微镜对形成接头的横截面进行微观结构观察。结果——得出结论，含有几十微米大小的球形银颗粒和几微米大小的片状银颗粒的浆料可实现最佳性能。烧结温度为 230°C，烧结过程中对芯片施加 1 MPa 的力，可实现更高的粘附性和最低的热界面阻。原创性/价值——提出了一种基于银膏的新材料，该材料含有悬浮在树脂中的不同大小（从纳米到几十微米）和形状（球形、薄片）的银颗粒混合物。使用烧结技术和银膏在 230°C 下施加压力制备的接头表现出比其他 TIM 材料（如导热油脂、导热凝胶或导热粘合剂）更好的机械和热性能。这些材料可以使电子设备在 200°C 以上的温度下运行，而目前硅基电力电子设备无法做到这一点。
掺钕钇铝钙钛矿 (Nd:YAP) 激光在根管内取出断裂的牙髓镍钛锉中的应用（第 2 部分：
本研究包括 47 个断裂的 Ni-Ti 锉，这些锉位于根尖附近（根尖三分之一处）的弯曲部分，弯曲角度大于 15 度。Nd:YAP 激光的功率设置为 3 瓦，每脉冲 300 毫焦耳。采用 200 微米光纤，以 10 赫兹的脉冲模式运行，脉冲持续时间为 150 微米，能量密度为每秒 955.41 焦耳/厘米²。这些参数之前已验证过安全性。在整个过程中，激光光纤都放置在断裂锉附近。成功的定义为完全移除或绕过器械，而失败包括部分绕过、未绕过或侧向穿孔。使用扫描电子显微镜 (SEM) 来评估激光照射导致的牙本质壁的任何物理变化。采用能量色散X射线（EDX）光谱分析激光照射后牙本质管壁的化学成分，并计算可进行旁路手术时平均旁路时间。
90 Å RP-酰胺，2.7 µm 色谱柱保养和使用表
色谱柱保养 为最大程度延长色谱柱寿命，请确保样品和流动相不含颗粒。强烈建议在样品注射器和色谱柱之间使用保护柱或孔隙率为 0.5 微米的在线过滤器。HALO ® 90 Å RP-Amide 色谱柱上的 2 微米孔隙率筛板比其他小颗粒色谱柱通常使用的 0.5 微米筛板更不容易堵塞。如果色谱柱的工作压力突然超过正常水平，可以尝试反转色谱柱的流动方向以去除入口筛板上的碎屑。要从色谱柱中去除强保留物质，请用非常强的溶剂（例如所用流动相的 100% 有机成分）反向冲洗色谱柱。二氯甲烷和甲醇的混合物（95/5 v/v）通常可以有效完成此任务。极端情况下可能需要使用非常强的溶剂，例如二甲基甲酰胺 (DMF) 或二甲基亚砜 (DMSO)。
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺
模拟微电子学 - BMS 工程学院
• 微电子学涉及研究和制造（或微加工）非常小的电子设计和元件。通常（但并不总是）这意味着微米级或更小。• 这些设备通常由半导体材料制成。• 微电子学的使用使数字设备变得便宜且广泛可用。
LennRO EDI 500 - Lenntech
· 5 微米滤芯；· 高压泵；· 高性能陶氏膜；· 玻璃纤维压力容器；· 渗透液和浓缩液流量计；· 每个泵后的压力指示器；· HPP 前的低压开关；· 全自动控制柜；· CIP 连接；· PVC 管道；· 不锈钢针阀、高压节流阀、高压止回阀。
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高光谱成像用于硅纳米柱阵列的高通量、空间分辨光谱散射测量
摘要：现代高通量纳米图案化技术（如纳米压印光刻技术）使得在大面积基底（cm 2 至 m 2 规模）上制造纳米结构阵列（尺寸为 10 至 100 纳米的特征）成为可能，例如硅晶片、玻璃片和柔性卷对卷网。制造这种大面积纳米结构阵列 (LNA) 的能力创造了广阔的设计空间，实现了广泛的应用，包括光学设备（例如线栅偏振器、透明导体、彩色滤光片和抗反射表面）以及电子元件的构建块（例如超级电容器、传感器和存储器架构）。然而，现有的计量方法将难以与制造方法一起扩展。例如，扫描电子显微镜 (SEM) 和原子力显微镜 (AFM) 具有微米级视场 (FOV)，这妨碍了对以每分钟平方米的速度制造的 LNA 进行全面特性分析。散射测量方法具有更大的 FOV（通常为几百微米到几毫米），但传统散射测量系统一次只测量一个点的样品，这也使得它们对于大规模 LNA 制造来说太慢。在这项工作中，我们展示了使用高光谱成像对传统光谱散射测量方法进行并行化，将该技术的吞吐量提高了 106-107 倍。我们通过使用高光谱成像和反射光谱的逆向建模来展示这种方法，以微米级空间分辨率获得毫米和厘米级 Si 纳米柱阵列结构的三维几何数据。这项工作表明，可以对各种 LNA 进行几何测量，并有可能在大面积上实现高速测量，这对于未来的 LNA 制造至关重要。