IntelliSOFT Consulting Limited 是一家总部位于肯尼亚的公司,在全球数字医疗转型领域拥有超过 15 年的经验。IntelliSOFT 成立的使命是为非洲开发医疗 IT 系统,专门从事数字解决方案的设计、开发、实施、支持和维护,重点关注中低收入国家。我们的专长在于通过创新的数字解决方案加强医疗保健系统,我们在 15 多个非洲国家部署健康研究支持信息系统和健康管理信息系统的成功记录就是明证。我们致力于可持续的数字化转型、智能工程、增值和专业化。
本演示文稿中规定的策略基于几个轴。它强调了和谐卫生和植物检疫(SPS)标准的重要性,尤其是基于国际标准,例如法典Alimentarius委员会(CAC)和世界动物健康组织(WOAH)的标准。本文还结合了WOAH工具的结论,用于评估兽医服务的性能(PVS工具),该工具从机构和基础架构电容中确定了关键能力。合适的技术集成以改善质量和食品安全控制,并通过合作伙伴关系和区域合作增强VS的能力,也是建议的核心。最后,重点是国际组织的关键作用,例如联合国粮食和农业组织(FAO)和非洲联盟(AU)及其专业机构在促进综合,一致的政策实施方面。
本单元计划让莫里蒂高中航空和机器人课程的学生共同设计、建造、编码和测试无人机,以满足新墨西哥州莫里蒂社区的现实需求。学生将确定当地需求、制定技术规格表、使用 3D 打印技术设计无人机、使用 Arduino 编程飞行控制系统并进行试飞。本单元还将重点介绍如何将航空学生定期复习的空气动力学原理应用于无人机的设计和飞行测试。本单元的最后将为中学生进行无人机演示,并计划对无人机进行长期教育使用。
Daniel ALQUIER 图尔斯大学 法国 联合主席 Laurent BARREAU ST 微电子 图尔斯 法国 主席 Lars BOETTCHER FRAUNHOFER 研究所 德国 Cyril BUTTAY AMPERE 实验室 法国 Jean-Luc DIOT PRIVATE 法国 Franck DOSSEUL MODULEUS 法国 联合主席 Guo-Quan LU 弗吉尼亚理工大学 美国 Stéphane BELLENGER ST 微电子 格勒诺布尔 法国 联合主席 8 h 30 研讨会资料包和胸卡发放 9 h 00 欢迎辞和研讨会计划介绍 9 h 15 主题演讲:功率半导体器件的冷却:高性能的挑战
请为该项目提供完整的,详细的实施计划。如果被选为奖励,则本节将被用作制定合同工作范围的基础。该计划应包括介绍,项目目标,项目时间表以及项目下的每个任务的工作声明。该项目应分解为一组逻辑,特定的任务,这些任务是顺序或并行执行的。请注意确定项目延续或终止的任何重要决策点和标准。此外,项目实施计划必须说明申请人将如何在联邦和州许可要求下向公共通知的公众提供项目信息和教育。这必须包括提供有关该项目的公开信息网页。
5 轴或 6 轴 CNC 机器(通常称为“箱式机器”)与子孔径抛光技术(例如计算机控制光学表面处理 (CCOS)、磁流变抛光 (MRF) 和离子束定形 (IBF))结合使用,代表了在非球面和自由曲面光学元件制造中实现亚纳米精度的成熟方法。尽管这些方法有效,但它们的特点是财务负担较大,特别是在大规模生产高端光学元件的情况下。本演讲介绍了一种以机器人系统为中心的新型抛光方法。具体而言,确定性抛光技术(例如 CCOS 和 MRF)与机器人平台协同集成,以实现多功能且经济可行的多轴抛光设备。本演讲深入探讨了机器人 CCOS 和 MRF 系统固有的优点和缺点,阐明了旨在提高机器人抛光过程精度的各种补偿技术。经验证据强调了基于机器人的 CCOS 和 MRF 系统在制造中型非球面或自由曲面光学元件时达到纳米级精度的能力,同时在具有成本效益的框架内运行。
由 CCBC 注册办公室评估学分转移。只有转入 CCBC 的课程才考虑录取。查看“立即申请”网页上的“如何提交最终成绩单”部分:https://www.ccbcmd.edu/Get-Started/Take- classes/Take-a-credit-class/Transfer-to-CCBC-from-another-college.aspx。强烈建议 SHP 申请人在申请流程早期与健康职业途径顾问专门交谈,以审查入学和毕业所需的课程。o 根据行业标准,外科技术项目的申请人必须年满 18 岁,并在开始项目课程之前获得 GED 或 HS 文凭。
首批 0.55NA 极紫外光刻工具继续朝着生产方向发展,没有出现 0.33NA EUVL 引入后出现的延迟和技术差距。0.33NA 成熟模块和技术的延续在可预测性和进度方面提供了预期的好处,而专注于创新变形光学器件的资源已实现与工具设计和计划应用一致的系统级像差和光刻胶成像性能。同时,在大批量生产中大量使用 0.33NA EUVL 所维持的健康生态系统支持了在英特尔 14A 工艺节点上引入 0.55NA EUVL 所需的掩模、光刻胶、底层、蚀刻、检测和计量方面的逐步增强。在此节点引入可避免使用 0.33NA EUV 进行过多的多重图案化,并且在正面金属间距与背面功率输送共同优化时尤其有益。随着初始引入的生态系统的建立,我们已经开始着手改进,例如 6x12 掩模格式,以充分利用高 NA 平台的生产力潜力,同时通过消除考虑大型芯片平面图中芯片拼接位置的需要来简化设计。最后,人们越来越乐观地认为,远远超过 0.55NA 的数值孔径在技术上是可行的,尽管仍在继续努力为开发“超 NA”生产工具提供商业依据。