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World File Search System抛光
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
侧面抛光二氧化硅多模纤维泵组合器，用于中期纤维激光器和放大器
侧泵纤维组合仪在纤维激光设计方面具有多种优势，包括分布式泵的吸收，减少热负荷以及提高的柔韧性和可靠性。这些好处对于在MID-IR波长范围内和基于软玻璃光纤的所有纤维激光器和放大器尤为重要。然而，由于泵送二氧化硅纤维和信号引导氟化物纤维的热性质显着差异，常规制造方法面临局限性。为了应对这些挑战，这项工作引入了无融合侧面涂层（D形）基于纤维的泵组合剂的设计，其中包括多模二氧化硅和基于双层氟化物的纤维。结果表明，在主动热控制下，在8小时的连续运行中，在980 nm波长下，稳定的耦合效率超过80％。发达的泵组合仪也已成功整合到线性ER掺杂的纤维激光腔中，显示出2731或2781-nm的中心波长连续生成，输出功率为0.87 w。总体而言，这种创新方法总体而言，这种创新的方法呈现出一种简单，可重复的和可重复的泵组合式的固定效果，可启用型号的玻璃纤维，以启用型号的玻璃技术，并配合了玻璃的效果，并配置了型号的玻璃纤维构成型构成型号的效果。具有独特的构图。
2023年企业社会责任报告
为了使碳化硅在功率器件中有效工作，必须对其进行抛光并且没有缺陷。以前，抛光过程耗费大量时间和资源，每片晶圆最多需要 50 小时。Entegris 的团队由 Rajiv Singh 博士领导，开发了一种可在大约一小时内抛光材料的工艺，大大节省了时间和材料。最近的改进将抛光时间进一步缩短至几分钟。这种快速抛光工艺可产生无缺陷、原子级光滑的表面，从而能够制造出性能更高的碳化硅器件，与传统硅器件相比，可将电动汽车电池的充电时间缩短高达 50%。通过促进电动汽车的过渡和清洁能源技术的发展，Entegris 的碳化硅创新正在为更可持续的未来做出贡献。
扫描电子显微镜校准标准的测量及不确定度
采用该工艺已生产出多片复合板，每片包含5到10个间距，间距范围为0.5 μm到50 μm。对于每一问题，从板上剪下尺寸为9 mm x 9 mm的单个样品，并将其侧面安装在钢制支架上进行金相抛光。通常在抛光过程中，软材料的去除速度比硬材料快，但扫描隧道显微镜 (STM)、原子力显微镜 (AFM) 和触针轮廓仪的图像都显示，抛光后，SRM 的金线突出镍表面约 30 nm（图 3）。我们推测，热处理可能形成了硬质金镍合金，或者由于抛光中的化学机械效应，镍的去除速度比金的去除速度快。
扫描电子显微镜校准标准的测量和不确定度
通过该工艺已经生产出几种复合板，每种板包含 5 到 10 个间距，范围在 0.5 ixm 到 50 |xm 之间。对于每个问题，从板上剪下 9 mm x 9 mm 的单个样品，并将其侧面安装在钢制支架上进行金相抛光。通常在抛光过程中，软材料比硬材料去除得更快，但扫描隧道显微镜 (STM)、原子力显微镜 (AFM) 和触针轮廓仪的图像都显示，抛光后，SRM 的金线突出镍表面约 30 nm（图3）。我们推测，热处理可能形成了硬质金镍合金，或者由于抛光中的化学机械效应，镍的去除速度比金的去除速度更快。
卫星图像的大气/地形校正...
5.60 辐射光谱抛光。.............................102 5.61 平场辐射抛光。.............................103 5.62 推扫式辐射抛光。......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。104 5.63 光谱微笑插值 ...............................105 5.64 阴影边框去除工具 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。107 5.65 模拟模块菜单。.................................108 5.66 视反射率计算 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。109 5.67 从地面参考反射光谱库计算 TOA 辐射度 .111 5.68 根据校准图像光谱验证 TOA 辐射度 ................112 5.69 根据校准图像光谱绘制验证样本 ..。。。。。。。。。。。。。113 5.70 工具菜单。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。114
atcor4_manual.pdf - ReSe 遥感软件
4.73 辐射光谱抛光。.............................118 4.74 平场辐射抛光。.............................118 4.75 推扫式辐射抛光。..............................119 4.76 光谱微笑插值。。。。。。。。。。。。。。。。。。...............121 4.77 阴影边框去除工具 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。122 4.78 模拟模块菜单。.................................123 4.79 表观反射率计算 ...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。124 4.80 从地面参考反射光谱库计算 TOA 辐射度 .125 4.81 根据校准图像光谱验证 TOA 辐射度 ................127 4.82 根据校准图像光谱绘制验证样本 ..。。。。。。。。。。。。。128 4.83 工具菜单。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。129
Machlab ESD 乙烯基瓷砖 EVT1 _ 技术数据表副本
维护 不建议在 ESD 乙烯基地砖上定期使用蜡或合成地板漆。使用任何此类材料都会在表面形成绝缘膜。这会降低其有效性并影响其性能。首选方法是干式维护方法。使用旋转抛光机和合适的垫子喷洒清洁或抛光地板，并喷洒含有水、酒精和中性清洁剂的抛光溶液。
用于下一代零链可追溯性 SI 标准的本征室温量子电阻忆阻器
图 2 | 通过电化学抛光稳定的量子电导能级。a. 忆阻单元中的 SET 过程示意图，该过程是一种电化学驱动过程，且尖端形成的电场进一步加速了这一过程。细丝生长过程中的恶劣条件通常会导致量子电导能级的高度不可预测性和多变性。b. RESET 过程中的电化学抛光效应能够通过首先去除/溶解接触配置中的不稳定原子而保留更稳定的原子来获得更可靠的量子电导能级。在此框架中，系统通过离散的电导能级从低阻态 (LRS) 演变为中间亚稳态电阻态 (MRS) 再演变为量子点接触 (QPC)。在 RESET 过程中，不稳定的原子将从细丝中去除，留下最稳定的原子形成稳定的 QPC。c.循环示例：通过 100 mV/s 的电压扫描速率获得突然 SET，通过慢速电压扫描（1.2 mV/s）通过电化学抛光获得逐渐 RESET。d. 通过电化学抛光获得的 RESET 过程显示稳定的量子电导平台，为 𝐺 0 的倍数。插图显示了扫描施加电压时量子电导平台随时间的稳定性。