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World File Search System拉力强度
使用高强度 - 强度（氧化乙烷）基于基质的基质
摘要：结构电池正在引起人们的关注，并且可以在设计无排放的轻型防御和运输系统中发挥重要作用，例如飞机，无人驾驶汽车，电动汽车，公共交通，垂直起飞和着陆（VTOL） - 城市空中交通。这种综合功能的方法有助于总体质量减少，高性能和增强的车辆宽敞。目前的工作着重于开发和表征多功能结构钠电池电池组件，即使用高强度 - 强度的结构电解质（SE），该结构电解质（SE）通过在基于薄薄的（氧化乙烯）基于基于的乙二醇（氧化乙烯）的复合材料电解质层之间制备。结构电解质的电化学和机械特性表现出多功能性能，拉伸强度为40.9 MPa，离子电导率为1.02×10 - 4 s cm-1 60°C时在60°C时在60°C下使用0至4.5 v的电极式插入。 （CFS）针对结构电解质，其高抗拉力强度为91.3 MPa。制造的结构电池CF || SE || NA提供的典型能量密度为23 WH kg -1，并执行500个周期，同时保持80％的容量直至225个周期。在这项初步工作中对钠结构电池结构进行的研究表明，钠离子在中间模型型碳纤维电极中的插入显示，显示了具有出色的循环稳定性和结构强度的多功能性能，并为当前结构电池设计提供了替代路径。关键字：结构性钠电池，结构能量存储，多功能材料，碳纤维电极，多功能功率复合材料
薄铝焊盘上不同尺寸探针标记的引线键合研究
使用各种悬臂探针针尖多次探测具有薄焊盘铝 (Al)（厚度小于 0.7µ）的 IC 键合焊盘。探针标记由具有各种针尖直径的实验性高强度探针卡创建。将探针针尖的有限元模型与探针标记擦洗长度相匹配，以更学术地了解随着探针参数的变化会发生什么。使用此模型进行模拟将有助于未来进行物理实验困难或成本高昂的情况。实验中的键合焊盘包括各种安森美半导体电路焊盘下 (CUP) 结构，该结构具有 Al 金属化和二氧化硅 (SiO 2 ) 互连，先前已证明与传统 IC 键合焊盘相比具有更强的抗开裂能力。随着未来产品的焊盘缩小，更小的球尺寸和键合接触面积是可取的，但这会加剧探针标记的任何不利影响，因为键合下方的相对面积百分比会增加。实验评估包括对各种探针标记范围内不同球直径的金 (Au) 球键合的键合拉力强度 (BPS) 和键合剪切力 (BS)，以开始检查引线键合中惯常的“探针标记面积”最大限制的有效性。数据表明，大而深的探针标记确实会导致键合球提升失败，尤其是对于未优化的键合配方。看来探针标记深度，而不是面积，是键合可靠性中最不利的因素。在更受控制和“温和”的制造情况下，预计不会出现与探针标记键合相关的问题。
新闻稿
新闻发布Yincae的新型SMT 158N系列，即2021年3月11日，纽约州奥尔巴尼（纽约州奥尔巴尼）扬ind，Yincae兴奋地宣布，我们已经开发了SMT 158N系列，包括非流量，低温缓慢固化和高纯度液体液体液体液化液和毛细血管下填充液填充物。由于其独特的特性，SMT 158N系列具有较高的粘度，可用作水坝材料，角键，边缘键或封装。此外，SMT 158N具有膝盖剪切和拉力强度，并且热循环性能明显大于领先的竞争对手的下填充。SMT 158N可以承受极端的温度（-273°C），并且在市场上仍然超过当前竞争对手产品。这不仅对SMT 158N的使用具有非凡的影响，而且还表明它可能在当前行业中具有广泛的用途。该材料可用于翻转芯片，晶圆级芯片秤包装应用程序。虽然还适用于各种高级包装中的裸芯片保护，例如存储卡，芯片载体，混合电路和多芯片模块。它是为了高生产和过程速度和可靠性是关键问题的环境而设计的。该材料很容易分配，最大程度地减少诱导应力，提供出色的可靠性性能（例如温度循环性能）和出色的机械电阻。有关Yincae的SMT 158N系列填充的更多信息，或者要了解有关Yincae产品范围的更多信息，请发送电子邮件至：info@yincae.com。您还可以通过访问我们的网站：www.yincae.com
适用于模拟金星环境的高温电子封装
摘要 — 开发了一种电子封装技术，该技术可在二氧化碳 (CO 2 ) 和氮气环境中承受模拟的金星表面温度 465°C 和 96 bar 压力，且不含腐蚀性微量气体。对氧化铝陶瓷基板和氧化铝上的金导体的电气和机械性能进行了评估。最有前途的芯片粘接材料是厚膜金和氧化铝基陶瓷浆料。使用这些芯片粘接材料将氧化铝、蓝宝石、硅和碳化硅芯片粘接到氧化铝基板上，并在 465°C 的 CO 2 环境中暴露于 96 bar 压力下 244 小时。陶瓷芯片粘接材料在测试前后表现出一致的剪切强度。还评估了氧化铝陶瓷封装材料的热机械稳定性。封装基板上的器件采用陶瓷封装，在 Venusian 模拟器测试后，裂纹和空隙没有明显增加。对金键合线进行了线拉力强度测试，以评估 Venusian 模拟器暴露之前和之后的机械耐久性。暴露前后的平均金键合线拉力强度分别为 5.78 gF 和 4 gF（1 mil 金键合线），符合最低 MIL-STD-885 2011.9 标准。Venus 模拟器测试后，整体键合线菊花链电阻变化为 0.47%，表明键合线完整性良好。制作了钛封装来容纳陶瓷封装基板，并制作了双层金属化馈通来为封装提供电气接口。
高可靠性应用中的细间距铜柱倒装芯片
摘要 — 为满足对小型天线、更高性能和更低成本的需求，大多数下一代架构都要求更高的集成电路 (IC) 芯片集成度。与传统封装配置相比，2.5D 和 3D 等先进芯片封装技术提供了更高的芯片兼容性和更低的功耗。鉴于这些优势，采用先进封装是不可避免的。在先进封装中，铜柱互连是一项关键的支持技术，也是下一个合乎逻辑的步骤。该技术提供了多种优势，包括提高抗电迁移能力、提高电导率和热导率、简化凸块下金属化 (UBM) 和提高输入/输出 (I/O) 密度。铜柱允许的细间距有助于该技术取代焊料凸块技术，后者的最小间距约为 40 微米。更细的间距允许更高的 I/O 数量，从而提高性能。在本研究中，成功展示了在高密度中介层上超薄单片微波集成电路 (MMIC) 氮化镓 (GaN) 细间距铜柱倒装芯片组件的组装。使用 150 毫米间距铜柱倒装芯片，评估了有机印刷电路板 (PCB) 和硅中介层的组装工艺，并评估了化学镀镍浸金 (ENIG) 和共晶锡铅焊盘表面处理。对于 2D/2.5D/3D 组装工艺开发，使用了标准的内部拾取和放置工具，然后进行大规模焊料回流，最后进行底部填充以进行可靠性测试。互连稳健性由芯片拉力强度、助焊剂冲压调查和横截面决定。完成了 GaN 铜柱倒装芯片 2D 组装的完整可靠性和鉴定测试数据，包括 700 次温度循环和无偏高加速温度/湿度应力测试 (UHAST)。将铜柱技术添加到 GaN MMIC 芯片中，将 GaN Cu 柱技术集成到 2.5D/3D 封装技术中，并在中介层级评估 GaN Cu 柱互连可靠性都是这项工作的独特之处。
钯涂层铜线的针脚键合工艺 - UWSpace
成本降低是近期从占主导地位的金线键合向铜线键合转变的主要驱动力。封装成本的其他降低来自基板和引线框架的新发展，例如，QFP 和 QFN 的预镀框架 (PPF) 和 uPPF 降低了电镀和材料成本。但是，由于表面粗糙和镀层厚度薄，某些新型引线框架上的二次键合（针脚键合）可能更具挑战性。最近引入了钯涂层铜 (PCC) 线来改进裸铜线的引线键合工艺，主要是为了提高可靠性和增强针脚键合工艺。需要进行更多的基础研究来了解键合参数和键合工具对改善针脚键合性的影响。本研究调查了直径为 0.7 mil 的 PCC 线在镀金/镍/钯的四方扁平无引线 (QFN) PPF 基板上的针脚键合工艺。使用两种具有相同几何形状但不同表面光洁度的毛细管来研究毛细管表面光洁度对针脚式键合工艺的影响。这两种毛细管类型分别为常用于金线键合的抛光表面光洁度类型和表面光洁度更粗糙的颗粒光洁度毛细管。比较了无引线粘贴 (NSOL) 和短尾之间的工艺窗口。研究了键合力和表层剪切波幅度等工艺参数的影响。工艺窗口测试结果表明，颗粒毛细管具有较大的工艺窗口，出现短尾的可能性较低。结果表明，较高的剪切波幅度可增加成功填充针脚式键合的机会。为了进一步比较毛细管表面光洁度，测试了 3 组具有不同键合力和剪切波幅度的参数设置。对于所有三组测试的毛细管，粒状毛细管的粘合强度质量更好。与抛光型相比，粒状毛细管的针脚拉力强度更高。开发了该过程的有限元模型 (FEM)，以更好地理解实验观察结果。从模型中提取了导线和基底界面处导线的表面膨胀量（塑性变形），并将其归因于粘合程度。该模型用于证实不同表面光洁度下粘合的实验观察结果。
涂有pd的Cu线的针键键工艺
成本降低是最近向CU线键合的主要驱动力，主要是AU线粘结。包装的其他成本降低来自基板和铅框架的新开发项目，例如预镀框（PPF）和QFP和QFN的UPPF降低了镀层和材料成本。但是，由于粗糙的smface饰面和薄板厚度，第二个键（针键键）在某些新的LeadFrame类型上可能更具挑战性。pd涂层的Cu（PCC），以通过裸铜线改善电线键合工艺，主要是为了提高可靠性并增强了S TCH键过程。需要进行更多的FTMDAMENTALS研究来了解粘结参数和粘结工具的影响以提高针迹键合性。在本研究中研究了Au/Ni/pd镀的四型扁平铅（QFN）PPF底物上直径为0.7 mil的PCC电线的针键键过程。两个具有相同几何形状但不同的s脸的胶囊用于研究Capillruy Smface饰面对针键键过程的影响。两种毛细血管类型是一种抛光的饰面类型，用于AU线键合，而颗粒•饰面毛细管具有更粗糙的smface fmish。比较铅（NSOL）ATLD SH01T尾巴之间的过程窗口。研究了过程参数的影响，包括粘结力和表SCMB扩增。过程窗口测试结果表明，颗粒毛细管具有较大的过程窗口，并且SH01T尾巴OCCTM的机会较低。在所有三个Pru·emeter套件中，颗粒状的毛细血管均显示出更高的粘结质量。较高的SCMB振幅增加了成功SS的机会 - 填充针键键的fonnation。ftnther比较了毛细血管smface饰面，3组参数se ttings ttings ttings ttings具有不同的键atld scmb a振幅ru·e测试。与抛光类型相比，Grrumlru·capillruy产生了更高的针迹拉力强度。开发了该过程的有限元模型（FEM），以更好地了解实验性OB使用。从TL1E模型中提取了电线和亚种界面处的电线的Smface膨胀（塑性脱节），并归因于粘附程度（键合）。该模型用于与不同的Smface饰面相连（键合）的实验观察。