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World File Search System拉图尔
比拉尼比尔拉科技学院
主讲教师：Chittaranjan Hota 教授 (hota@hyderabad.bits-pilani.ac.in) 范围和目标 本课程从计算机科学的角度向学生介绍人工智能的基本概念和方法。人工智能关注一系列特定的问题，并开发了一套解决这些问题的特定技术。本课程的重点是研究开发智能程序所需的知识表示方法、推理和算法。人工智能不仅致力于构建智能实体，而且还允许理解它们。本课程将使学生了解如何使用经典的符号方法对计算机进行编程，使其以通常归因于人类“智能”的方式运行。人工智能目前涵盖了各种各样的子领域，如感知、逻辑推理、证明数学定理和诊断疾病等。人工智能使计算机工程师能够借助一套工具和方法系统化和自动化智力任务。本课程研究的方法可应用于人类智力活动的任何领域。作业部分将强调使用 C/C++、Python、R 等。学生将被要求在现实世界的问题解决中使用搜索策略、游戏程序（如国际象棋或井字游戏）、规划器、仅具有推理引擎的小型专家系统外壳、使用 TMS 或贝叶斯网络等模型在不确定性下进行推理的程序、自然语言理解程序以及使用联结主义模型（如神经网络）的机器学习领域的程序。教科书 T1 Stuart Russell 和 Peter Norvig，《人工智能：一种现代方法》，Pearson 教育，第 3 版，2009 年。参考书 R1 George F. Luger 人工智能：复杂问题解决的结构和策略，第四版，Pearson，2002 年。R2 DW Patterson，《人工智能与专家系统简介》，PHI，2002 年。 R4 Elaine Rich 和 Kevin Knight，《人工智能》，Tata McGraw Hill，第二版，2002 年。
拉赫曼，《市场作为一种经济过程》，《梅卡图斯版序言》
1986 年，路德维希·M·拉赫曼出版了《作为经济过程的市场》，奥地利经济学派的复兴由此拉开序幕。1 那时，F·A·哈耶克获得了诺贝尔经济学奖，而著名的南罗亚尔顿会议也召开了十多年，可以说，这次会议在美国重新开启了奥地利学派。2 此外，1985 年或许是奥地利学派复兴的决定性一年，这一年，杰拉尔德·P·奥德里斯科尔和马里奥·J·里佐出版了《时间与无知的经济学》，唐·拉沃伊出版了《竞争与中央计划、国民经济计划》，以及他著名的工作论文《解释维度》。3 拉赫曼在序言第一段（第 xiii 页）中告诉我们，他的《作为经济过程的市场》既源于奥地利学派的复兴，又为其做出了贡献。然而不幸的是，这本书可以说是市场过程理论在出版时作为一项学术事业成功复兴的牺牲品之一。尽管这本书受到了当时的评论，但它紧随多位受拉赫曼影响的学者所著的著作而来，这或许可以解释为什么在乔治梅森大学梅卡图斯中心出版新版之前，这本书相对不受重视，而且发行量极其有限。拉赫曼在这本书中对奥地利学派复兴的贡献有两种截然不同的类型。第一种是理论性的。对拉赫曼来说，发展市场过程理论需要坚持关注经济活动的主观起源，并且始终是一个比较制度分析的问题，即市场内、市场间和宏观经济；资产市场和商品市场；固定价格市场和弹性价格市场；信息市场和其他市场。
基于有机光电突触晶体管的储池计算网络
图 1 有机光电突触器件 . (a) 人类视网膜和大脑系统示意图 ; (b) 储池计算结构 ; (c) 提拉法制备有机薄膜示意图 ; (d) C 8 -BTBT 薄膜的光学显微镜图像 ( 标尺 : 100 μm); (e) PDIF-CN 2 薄膜的光学显微镜图像 ( 标尺 : 100 μm); (f) C 8 -BTBT 薄膜的 AFM 图像 ( 标 尺 : 1.6 μm); (g) PDIF-CN 2 薄膜的 AFM 图像 ( 标尺 : 1.6 μm); (h) 具有非对称金属电极的有机光电突触晶体管器件结构 ; (i) 器件 配置为光感知型突触 ; (j) 器件配置为计算型晶体管 ( 网络版彩图 ) Figure 1 Organic optoelectronic synaptic devices. (a) The schematic diagram of human retina and brain system. (b) The architecture of a reservoir computing. (c) The preparation of organic thin films by dip coating method. (d) The optical microscope image of C 8 -BTBT film. Scale bar: 100 μm. (e) The optical microscope image of PDIF-CN 2 film. Scale bar: 100 μm. (f) The AFM image of C 8 -BTBT film. Scale bar: 1.6 μm. (g) The AFM image of PDIF-CN 2 film. Scale bar: 1.6 μm. (h) The schematic diagram of organic optoelectronic synaptic transistor with asymmetric metal electrodes. (i) The device is configured as a light-aware synapse. (j) The device is configured as a computational transistor (color online).
干货：如何利用EN 脚设计出好电源？
1.以 ZL6205 为例，先简单介绍一下 ........................................................................ 1 2.直接上拉使能 ........................................................................................................... 2 3.电阻分压使能 ........................................................................................................... 3 4.其他使能应用 ........................................................................................................... 4 5.免责声明 ................................................................................................................... 6
二维材料范德华异质结光电探测器研究进展
图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果（ a ）结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ；（ b ）图（ a ）中六种结构的能带结构图 [56] ；（ c ）掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ；（ d ） Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
