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World File Search System拉曼光
吸附金属酞菁对二硫化钼缺陷光致发光猝灭的机理研究
图 2. (a) 机械剥离的 MoS 2 的光学显微照片，其中单层区域突出显示。(b) 沉积 1 nm CoPc 之前和之后单层 MoS 2 的拉曼光谱。A 1g 和 E 2g 峰之间的间隔约为 19 cm -1 ，表明为单层 MoS 2 。1100 – 1500 cm -1 范围内的拉曼模式是 CoPc 的特征。(c) 机械剥离的 MoS 2 和含有 1 nm CoPc 的 MoS 2 的 300 K PL 光谱。A 激子和相关的三子在 675 nm 处很突出，由于 B 激子的存在，可以看到一个小的高能肩。(d) MoS 2 和含有 1 nm CoPc 的 MoS 2 的 10 K 光致发光。在此温度下，除了 660 nm 和 600 nm 处的 A 和 B 激子外，MoS 2 缺陷发射在 700 nm 处也变得明显，
从头算研究氮含量的hydride的潜在母体结构的结构，振动和光学特性
最近关于氮掺杂的hydettium hydetium hydetium hydetium the近期近气条件超导性的报道启发了大量的实验研究，结果矛盾。我们从第一个原理模拟了所报道的超导体可能的母体结构的物理特性，即luh 2和luh 3。我们表明，只有LUH 3的声子条带结构才能解释由于间质八面体位点存在氢而导致的拉曼光谱。但是，这种结构仅通过超过6 GPA的非谐调稳定。我们发现，在报告的超导体中，引人入胜的颜色变化与LUH 2的光学特性一致，LUH 2的光学特性是由未抑制式频带间等离子体的存在确定的。具有压力的等离子体蓝光，并修饰样品的颜色，而无需任何结构相变。我们的发现表明实验中的主要成分是luh 2，在八面体部位有一些额外的氢原子。在高温下，luh 2和luh 3均未3个超导。
分子电化学。跨场的概述-Iris
图3。照片和拉曼2层的电化学测量。（a）在PMMA涂层的SI底物上的光学微图和MOS 2片。（b）选定的单层/几层/散装薄片区域的AFM显微照片。（c）光电化学设置的示意图。（d）E 2G /SI强度比的拉曼图。（e）PL强度图在690 nm波长处。（f）和（g）拉曼光谱分别显示了两个主MOS 2频段和Si频段，以及它们的MOS 2层数量。（h）单层/几层/块状MOS 2的PL光谱。分别通过浅蓝色和深蓝色正方形在（a）中指示了用于AFM测量的区域（B）和Raman（d）和PL（E）地图。在（d，e）中以彩色十字表示的斑点记录了拉曼和PL光谱。（经[50]的许可转载。版权所有2016年美国化学社会。）
超吞噬表面上的液滴反应器可以控制和表征淀粉样蛋白纤维生长
在体外和原位结构表征中产生蛋白质淀粉样蛋白纤维的方法在生物学，医学和药理学中至关重要。，我们首先证明了超氧化物底物上的液滴作为反应器，可通过使用合并的浅层显微镜和热成像来实时监测生长过程，从而产生蛋白质淀粉样蛋白纤维。分子结构的特征是拉曼光谱，X射线衍射和X射线散射。我们证明了样品温度梯度引起的对流流是有序蛋白质纤维的生长的主要驱动力。特别注意PHF6肽和全长TAU441蛋白以形成淀粉样蛋白纤维。通过与分子动力学模拟的结合实验，表征了这些淀粉样蛋白纤维的构象多态性。该研究提供了一种可行的程序，以优化未来研究中其他类型蛋白质的淀粉样蛋白形成和特征。
用于生物医学植入物应用的抗菌石墨烯涂料
植入物相关感染（IAI）引起了重要的健康问题和医疗保健费用。在这项研究中，我们使用riganum vulgare作为前体材料，通过射频等离子体增强化学蒸气沉积（RF-PECVD）将石墨烯（GR）沉积在医学级钴 - 铬（CORC）合金表面上。使用拉曼光谱和X射线光电子光谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）来确定GR上的GR沉积。投资了COCR-GR的生物相容性和抗菌特性。cocr-gr具有生物相容性，并促进了267.4个巨噬细胞的细胞粘附和扩散。cocr-gr是针对金黄色葡萄球菌和铜绿假单胞菌的抗菌性，并抑制了铜绿假单胞菌的附着。结果表明，COCR-GR可以用作可植入设备的潜在抗菌涂料材料。
![ARXIV：2006.03407V2 [QUANT-PH] 2020年9月22日
可解释的多元时间序列分类
通过联合计算连接分布式能量灵活性的分布式口袋：限制和可能性
rashba效应和tl2o/pts2的拉曼光谱...](/simg/1\19cae44b4fb1904c239f46b91fe2e93c5406e078.webp)
二维炮的非线性光学活动...
图1。晶体学结构和材料表征几层气体 - 纳米片。粘液和球格式的气体晶体表示。（a）三层气体的侧视图，表现为单位电池C =17.425Å由三个气体层组成。（b）气体晶体的顶视图。在这里，GA和S原子分别用绿色和蓝色球表示。（c）SEM图像（LPE样本：左上角和ME样本：右上方）和EDS配置文件（底部）的exfoliated Gas Nanoseets。EDS轮廓中的插图指示所获得的纳米片的原子比。在（d）GA 3D和（E）S 2P和GA 3S结合能区域中气纳米的高分辨率XPS光谱。（f）具有相同强度轴的3L，10L，LPE和散装气体的拉曼光谱。散装气体的拉曼振动模式被标记为𝐸1𝑔
阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1), 阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2), 法国艾克斯马赛大学 (3) doi:
阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1)、阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2)、法国艾克斯马赛大学 (3) doi:10.15199/48.2024.04.31 使用拉曼光谱和遗传算法优化退火后的 SiGe DPSi 异质结构，以增强材料特性和性能 摘要：在我们之前的调查中，我们通过拉曼光谱深入研究了双多孔硅 (DPSi) 上 SiGe 合金的复杂性，揭示了拉曼峰移、应力和多孔材料中 SiGe 合金中 Ge 浓度之间以前未知的联系。这项研究的突出特点在于其独特的方法——使用遗传算法比较结果。该方法对数据进行了全面的分析，增强了我们对其中复杂关系的理解。通过频率法验证，我们的结果为 DPSi 上的外延生长提供了宝贵的见解，为拉曼光谱、应力和合金成分之间错综复杂的相互作用提供了细致入微的视角。这些发现不仅有助于加深对 SiGe 合金的理解，还为 DPSi Streszczenie 等创新基板上的外延生长领域的进一步发展铺平了道路。 W naszym poprzednim badaniu zagłębiliśmy się w zawiłości stopów SiGe na podwójnie porowatym krzemie (DPSi) za pomocą spektroskopii Ramana, odkrywając nieznane wcześniej powiązania między拉玛纳 (Ramana) 和拉玛纳 (Ramana) 的产品均采用了 SiGe 和材料。 Cechą tego badania 开玩笑 odrębność podejścia — porównanie wyników z wykorzystaniem algorytmugenetycznego。方法是通过分析仪器来分析、分析和分析。 Nasze wyniki、potwierdzone methodą częstotliwości、dostarczają cennych informacji na temat wzrostu epitaksjalnego na DPSi、prezentując zniuansowaną perspektywę na skomplikowane wzajemne oddziaływanie między spektroskopią Ramana, naprężeniem i składem stopu。 Odkrycia te nie tylko przyczyniają się do lepszego zrozumienia stopów SiGe, ale także torują drogę do dalszych postępów w dziedzinie wzrostu epitaksjalnego na innowacyjnych podłożach, takich jak DPSi ( Optymalizacja 异质结构 DPSi wyżarzonych SiGe przy użyciu spektroskopii Ramana 和 algorytmu Genetycznego w celu uzyskania lepszej charakterystyki i wydajności materiałów ) 关键词：双多孔硅、拉曼光谱、遗传算法。关键词：多孔硅、光谱仪、算法。1. 简介 最近的技术进步凸显了减小器件尺寸和提高性能的重要性。因此，越来越需要控制结构中的应力并了解其来源。一种新兴且有前景的策略是采用柔性衬底，其中多孔硅 (PSi) 因其公认的灵活性而脱颖而出 [1, 5]。PSi 的柔韧性和柔韧性使其能够熟练地吸收 SiGe 异质外延膜引起的应力变化，这主要归功于其较高的孔密度。它与硅基微电子学的完美契合和高成本效益为将各种超轴系统（如 III-V 或 SiGe）整合到硅衬底上开辟了新的机会 [6, 7]。最近，双多孔硅 (DPSi) 已成为柔性衬底竞争中的突出候选者，特别是用于在 Si 上的异质系统（如 III-V 和 SiGe）的外延生长 [8]。双多孔硅 (DPSi) 结构由具有密封孔的超薄、原子级平坦上层和厚的、高度多孔的下层组成。然而，在该 DPSi 层上实现 SiGe 和 Ge 的低温外延的努力导致了不均匀外延层的形成，其特征是存在扩展缺陷。[9, 10]。然而，对 DPSi 层进行热处理会引起显著的形态变化，将小孔转变为大孔，同时产生拉伸应变，正如我们之前的研究 [1] 所记录的那样。这种伪衬底具有两个显着的特性：它具有高度的柔韧性和可承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统开辟了可能性。本研究深入探索退火 DPSi 作为应力模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性，能够承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性，能够承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层
准二维 ${\rm{C}}{{{\rm{r}}}_2}{\rm{G}}{{{\rm{e}}}_2}{\rm{T}}{{{\rm{e}}}_6}$ 中人工拉伸晶格的铁磁性增强
原子层面的磁相互作用在磁性中起着核心作用。近年来兴起的二维范德华 (vdW) 磁性材料由于其高结晶性、可调性以及可研究不同厚度的可能性，为研究磁相互作用提供了可能性[1,2]，其中晶格特性可通过多种具有空间分辨率的探针轻松获取，如扫描探针和拉曼光谱[3-5]。磁相互作用最重要的指标之一是居里温度 (TC)。出于提高 TC 的实际动机，磁相互作用与 TC 之间的关系在 vdW 磁体中得到了广泛的研究。例如，通过电门控（特别是在场效应晶体管的结构中）研究了磁相互作用与电子结构和载流子浓度的变化，这改变了 Cr 2 Ge 2 Te 6 局部磁系统的磁滞曲线，而 TC 没有任何显著变化，而对于类似结构的 Fe 3 GeTe 2 流动磁系统，TC 从 205K 升高到室温以上 [6, 7]。从历史上看，