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混合量子态固有的拓扑序
然而，现有的拓扑序理论框架主要局限于与外界环境隔绝的封闭量子系统。拓扑序对耗散和退相干的稳定性尚未得到充分评估，这对需要精确控制和纠正各种误差的量子信息科学和技术构成了重大挑战。封闭和开放量子系统的一个根本区别在于它们的量子态：封闭系统表现出由单个波函数描述的纯态，而开放系统通常表现出由波函数的统计集合描述的混合态。为了解决关键的稳定性问题，最近的一些研究探索了退相干下拓扑序的持久性 [ 8 ， 9 ]。他们揭示了混合态拓扑序中的相变与拓扑量子记忆的崩溃——非局部编码在拓扑序中的量子信息——之间的联系。
双层中的拓扑和磁相变...
我们研究了双层kitaev蜂窝模型的相图，并通过层间相互作用，通过扰动理论得出有效的模型，并执行majoragarana含义层次的理论计算。我们表明，会发生各种磁性和拓扑相变的阵列，具体取决于层间相互作用的方向以及Kitaev相互作用的相对符号。当两个层具有相同的基塔夫相互作用的迹象时，就会发生从基塔耶旋转液体到磁序状态的一阶过渡。沿Ising轴的磁性点，它是（反）铁磁相互作用的（抗）铁磁。但是，当两个层具有相反的基塔夫相互作用的迹象时，我们观察到磁有序趋势的显着削弱，而基塔伊夫自旋液体可以生存，直至更大的层中层交换。我们的平均值分析表明，中间间隙z 2旋转状态的出现，最终在粘膜凝结后变得不稳定。通过高度沮丧的120°指南针模型来描述汇总阶段。我们还使用扰动理论来研究模型，沿着z ˆ轴或位于xy平面的ising轴指向。在这两种情况下，我们的分析都揭示了一维伊斯丁链的形成，这些链在扰动理论中保持脱钩，从而导致了典型的地面变性。我们的结果突出了双层量子自旋液体中拓扑顺序和磁性顺序趋势之间的相互作用。
论生成设计框架中的拓扑优化
该博士项目是大型 MuFox 项目的一部分，该项目汇集了加拿大航空领域的多个学术和工业合作伙伴。 MuFox 的目标是开发商用飞机机翼盒的多学科优化框架。正是在这样的背景下，该项目寻求开发方法和工具，将拓扑优化集成到翼盒和更具体地说加固面板的设计过程中。事实上，文献和业界的多次尝试已经证明，当前对加固面板使用的拓扑优化并不能实现任何显著的质量增益，并且在设计过程中使用拓扑优化仍然很费力。
增材制造离合器杆的拓扑优化
摘要：本文旨在回顾学生赛车离合器杆组件的重新设计方法，该组件经过拓扑优化并通过增材制造 (AM) 制造。在拓扑优化 (TO) 过程之前和之后进行了有限元法 (FEM) 分析，以实现优化部件的等效刚度和所需的安全系数。重新设计的离合器杆采用 AM-选择性激光熔化 (SLM) 制造，并由粉末铝合金 AlSi10Mg 打印而成。研究的最终评估涉及重新设计的离合器杆与之前赛车中使用的现有部件的实验测试和比较。使用 TO 作为主要的重新设计工具和 AM 为优化部件带来了重大变化，尤其是以下方面：减轻部件质量 (10%)、增加刚度、保持安全系数高于 3.0 值并确保更美观的设计和良好的表面质量。此外，使用 TO 和 AM 可以将多部件组装成一个由单一制造工艺制造的组件，从而缩短生产时间。实验结果证实了模拟结果，并证明即使施加的负载几乎比假设负载高 1.5 倍，组件上的最大 von Mises 应力仍低于 220 MPa 的屈服极限。
MOSFET电流镜的拓扑分析
摘要 - 电流镜是在Mi-Croelectronics中广泛使用的电路，尤其是在模拟IC设计中。它们作为原理是输出节点处参考电流的复制品的生成。本文旨在对NMOS电流镜的不同拓扑，特别是简单的电流镜，cascode电流镜和Wilson Current Mirror进行比较研究。我们分析了它们有关晶体管的通道宽度（W）和工作温度的电气特征。Cadence Virtuoso被用作模拟工具，目标过程技术为130 nm。结果，我们发现，通过增加晶体管的W，最小输出电压会降低。此外，我们注意到三个拓扑中的温度比输出电流产生的影响。最后，可以得出结论，当前的镜子遵循了主要文献的预期模式，并朝着代表命令MOSFET晶体管的主要方程式的方向融合。索引项 - cascode电流镜，简单电流镜，Wilson Current Mirror。
简单和复杂生物的拓扑演变
摘要本研究旨在完善我们对进化过程的理解，尤其是使用基于图形的模拟方法适用于复杂的生物。我们对10代的简单（5节点环）和复合物（20节点密集的随机图）的拓扑演变进行建模，并应用不同的突变速率以反映生物学现实。我们的结果为简单生物与复杂生物体中潜在的不同进化动力学提供了有趣的见解。简单的生物具有高拓扑的灵活性和快速适应性，与经典的进化模型保持一致，但复杂的生物具有令人惊讶的结构稳定性。即使在突变率下，这种稳定性仍然存在，通常会导致更简单的系统变化。模拟突出了一个重要的考虑：复杂生物体的复杂，相互依存的网络特征可能会产生一种进化缓冲的形式。这种缓冲可以调节随机突变和自然选择的影响 - 这是进化论的基石。我们的发现表明，高级生命形式的高度复杂性可能需要对进化过程如何在不同级别的生物组织中运作更加细微差别。此外，简单生物体中新的结构基序的出现与复杂拓扑中的相对保守形成对比，表明在生物复杂性光谱中，进化机制的表现可能不同。该观察结果邀请了对进化原理如何适用于各种生命形式的更详细的探索。这些结果有助于进化论的持续完善，尤其是在其对复杂生物体的应用中。他们建议其他机制，例如受约束的突变，表观遗传变化或高阶组织原理，可能在复杂生命形式的演变中起着重要作用以及随机突变和自然选择。
混合的高阶拓扑以及超导多功能模型中的节点和无节状平面拓扑阶段
我们研究了在存在常规的旋转单链S-波超导性的轨道版本中出现的拓扑阶段，并可能调整成平面磁场的可能性。我们通过考虑不同的边界条件来绘制相图，并通过考虑Wannier和Wannier和纠缠光谱以及Majoraana极化，进一步检查了各个阶段的拓扑。对于磁场和超导配对振幅的弱到中等值，我们发现了一个二阶拓扑超导相，具有八个零能量角模式。进一步增加了场或配对，一半的角状态可以变成零能量边缘量化模式，从而形成了我们命名的混合阶相。然后，我们发现了两个不同推定的第一阶拓扑阶段，一个淋巴结和一个无节相的相位，均具有零能量的频段，沿镜像对称的开放边缘定位。在节点相中，如所预期的那样，频带位于互相空间中的节点之间，而在无节性相位的零相位，零能量边界的频带跨越整个Brillouin区域，并且似乎与完全盖布的体积谱图脱节。因此，该模型具有可以通过外部磁场来调整的多种意外表面状态。
文章 增材制造离合器杆的拓扑优化
摘要：本文旨在回顾学生赛车离合器杆组件的重新设计方法，该组件经过拓扑优化并通过增材制造 (AM) 制造。在拓扑优化 (TO) 过程之前和之后进行了有限元法 (FEM) 分析，以实现优化部件的等效刚度和所需的安全系数。重新设计的离合器杆采用 AM - 选择性激光熔化 (SLM) 制造，并由粉末铝合金 AlSi10Mg 打印而成。研究的最终评估涉及重新设计的离合器杆与之前赛车中使用的现有部件的实验测试和比较。使用 TO 作为主要的重新设计工具和 AM 为优化部件带来了重大变化，特别是以下方面：减轻了部件的质量 (10%)、增加了刚度、保持安全系数高于 3.0 值并确保了更美观的设计和良好的表面质量。此外，使用 TO 和 AM 可以将多部件组装合并为一个由一种制造工艺制造的单个部件，从而缩短了生产时间。实验结果验证了模拟结果，并证明即使施加的载荷几乎比假设载荷高出 1.5 倍，部件上的最大 von Mises 应力仍然低于屈服极限 220 MPa。
拓扑定向合成螺旋状磷鎓和……
具有双自由基特征的多环芳杂环 (PAH) 的分子拓扑合成源于分子内偶联的突破。在此，我们报道了选择性 Mn(III)/Cu(II) 介导的 C − P 和 C − H 键断裂，以获得具有螺旋或平面几何形状和不同阳离子电荷的坚固的供体稠合磷鎓。前一种螺旋结构包含一个共同的磷酸[5]螺旋化受体和不同的芳胺供体，而后一种平面结构包含一个磷酸[6]螺旋化和相同的供体。这些前所未有的供体-受体 (D − A) 对表现出独特的拓扑依赖性光电特性。折叠螺旋自由基中心具有极端的电子缺陷状态和空间隔离，具有高度的双自由基特性 (y 0 = 0.989)。此外，巧妙的电荷转移 (CT) 和局部激发 (LE) 跃迁成分促进了不同溶剂中不同的杂化局部和电荷转移 (HLCT)，赋予了 0.78 eV (~217 nm) 的最大发射带隙变化。阳离子发射也可以通过拓扑定制和极性依赖的 HLCT 从蓝色区域调整到近红外区域，这可以在兼容的手性薄荷醇基质中输出额外的圆偏振发光，同时提高量子效率并保留深红色辉光。值得一提的是，原子精确的 Mn(III) 卤化物已被史无前例地捕获并确定用于 C-P 键活化。
研究报告 增强拓扑磁传感器灵敏度的新方法......
为目标的材料合成实验并寻找新材料。显示了每个项目获得的直接结果的摘要。 [1] AT 4 我们根据结果研究了合成新物质的可能性。在此过程中，我们关注的是 A 3 T 4 Al 12，它是一种外围材料，尽管它与方钴矿结构不同。例如，在Gd 3 Ru 4 Al 12 中，电子自旋表现出螺旋磁序，有人指出它可能与传导电子结合而表现出拓扑量子磁性[1-2]。以此报告为参考进行进一步研究后，我们预计Os取代产物可能会表现出更明显的拓扑量子磁性，因此我们继续反复试验以确定是否可以合成它。 2002年报道了这种材料的合成[3]，但尚未获得单晶，预期的拓扑量子磁性也是未知的。 通常，提拉法和浮区法等提取方法用于生长金属间化合物晶体，但由于使用剧毒原料（本实验中使用Os），因此无法使用这些方法。 。替代助焊剂和化学品运输方法已尝试了一年多，但没有成功。最终，我们设计了独特的高压反应容器，并利用高压自熔法成功生长了Gd 3 Os 4 Al 12 晶体（图1）。 使用Ta胶囊(外径5.9mm×高7.0mm×厚度0.2mm，Sunric制造)作为高压容器，并且使用BN内胆以避免与样品粉末直接接触。 BN内层是通过切割BN成型品(圆棒、直径5.4mm×长度100mm、Denka N-1)而制作的。 BN内衣预先在真空中1500℃和氮气中1900℃下进行热处理以去除杂质。将原料粉末填充Ta胶囊并密封的工作均在手套箱中进行，以防止Os粉末氧化。