XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System挥发
基于相变材料光激活的可重构编码超表面用于太赫兹光束操控
图 2. 所提出的光控编码元件的设计和特性。a) 元原子编码元件的详细结构，在 SiO 2 基板上构建了 1 μm 厚的金方块和 1 μm 厚的 GeTe 方块图案。b) 编码元件两种状态的示意图：状态“0”表示 GeTe 的非晶态（绝缘态），状态“1”表示 GeTe 的晶体（导电）态。c) 和 d) 两种状态下编码元件的相应反射特性（c 幅度和 d 相位）。e) GeTe 层表面电阻随温度的变化（双探针测量），显示两种状态下的电特性相差六个数量级以上，并且冷却至室温时晶体状态具有非挥发性行为。 f) 有限元模拟 GeTe 层在具有不同能量密度的 35 纳秒长单脉冲紫外激光照射下的温度上升情况：单脉冲的通量为 90 mJ/cm 2，将使最初为非晶态的 GeTe 的温度升至其结晶温度 ( TC ) 以上，而随后的 190 mJ/cm 2 激光脉冲将使 GeTe 的温度升至其局部熔化温度 TM 以上，并将材料熔化淬火回非晶态。下图是拟议的 1 比特元原子的配置和示意图
用于中性水性水基电池的高离子传导性和稳定的多孔膜
低成本和高效率的基于Zn的流量电池（ZFB）已成为可再生能源开发的有前途的能源存储技术之一。然而，在ZFB中，由于存在Zn 2 +，一个阴离子交换膜（AEM）损失离子电导率。Zn 2 +沉淀的侧反应导致AEM与第四纪基团的离子交换分解。虽然阳离子交换膜（CEM）由于离子交换组和阴离子之间的静电相互作用而阻碍阴离子结构。为了解决ZFB中离子交换膜不良的电导率，基于聚醚酰亚胺（PEI）的多孔离子导电膜是通过ZFBS的水相反转技术开发的。离子导电机制基于孔径的排除，这减轻了离子交换组对离子电导率的影响。通过引入合适的聚乙烯基吡咯烷酮（PVP）并控制四氢呋喃（THF）挥发时间，可以进一步改善膜性能。结果表明，在Zn/4-羟基-2,6,6-6,6-四甲基二哌啶中，1-氧基（TEMPO-OH）流量电池，库仑效率（CE）超过98％，能量效率（EE）在20 mA-cm-2-2-2中的能量效率（EE）可实现，并且可以在20 mA cm-2-2中以20 ma-2的供应来实现。 150个周期。基于PEI的多孔膜（低成本和高效率）被认为是ZFB的有希望的策略。
贝叶斯非参数推断``物种采样...色谱学杂志
计算机视觉是一种人工智能（AI）的一种方法，从概念上讲，“计算机和系统可以从数字图像中获取有用的信息”，可访问更高级别的信息并“采取行动或根据该信息提出建议”。全面的二维杂志使访问了样本化学组成的高度详细，准确但非结构化的信息，并可以在数据处理级别（例如，通过计算机视觉）利用AI概念来合理化原始数据探索。目标是理解与特定/诊断化学签名相关的生物学现象。这项研究介绍了基于模式识别算法的计算机视觉的新型工作流量（即，未靶向和有针对性的UT finfingerpinting），其中包括代表样品的综合类图像的产生，用于代表样品的类别，其有效的重新对准和对全面的特征特征的视觉分析进行对比的视觉分析。作为一种说明性的应用，探索了源自关于手工黄油的研究项目（从原始的甜奶油到成熟的黄油），探索了沿生产链的挥发性成分的演变以及不同微生物培养物对实用产品挥发组的影响。©2023作者。由Elsevier B.V.这是CC下的开放式访问文章（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）与经典的一步成对比较过程相比，工作流具有显着的优势，因为对重新调整和成对比较了与许多不同样品具有内在生物学可变性的类似化学图像的靶向和未靶向色谱特征进行比较。
Jaydeep P. Kulkarni研究兴趣：教育
T1。 研讨会，“有效机器学习硬件的模拟计算技术和电路”，《技术与电路》的VLSI研讨会，2020年6月T2。 “使用双向记忆延迟线进行节能边缘计算的全数字时域CNN发动机”硅实验室，奥斯汀，德克萨斯州，2019年11月，T3。 邀请了Talk，“使用RRAM和Selector作为技术辅助的高密度非挥发性SRAM”，IEEE非挥发记忆技术研讨会（NVMTS），北卡罗来纳州达勒姆，2019年10月，T4。 “使用双向内存延迟线进行节能边缘计算，北卡罗来纳州罗利市高通公司，2019年10月，T5。 主题演讲“高级CMO中的能源有效嵌入式记忆：趋势和前景”，VLSI设计与测试会议，印度技术研究院（IIT），印度印度印度印度印度，2019年7月，T6。 邀请谈话“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器的趋势和机遇”，印度理工学院（IIT）孟买，印度，2019年7月，T7。 “高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器的趋势和机会”，印度班加罗尔的三星研发研究所，2019年7月，T8。 “高级CMO中的嵌入式记忆：趋势和前景”，印度高通班加罗尔，2019年7月T9。 “高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器中的趋势和机遇”，印度班加罗尔，2019年7月，T10。 邀请演讲“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI 中的趋势和机会T1。研讨会，“有效机器学习硬件的模拟计算技术和电路”，《技术与电路》的VLSI研讨会，2020年6月T2。“使用双向记忆延迟线进行节能边缘计算的全数字时域CNN发动机”硅实验室，奥斯汀，德克萨斯州，2019年11月，T3。邀请了Talk，“使用RRAM和Selector作为技术辅助的高密度非挥发性SRAM”，IEEE非挥发记忆技术研讨会（NVMTS），北卡罗来纳州达勒姆，2019年10月，T4。“使用双向内存延迟线进行节能边缘计算，北卡罗来纳州罗利市高通公司，2019年10月，T5。主题演讲“高级CMO中的能源有效嵌入式记忆：趋势和前景”，VLSI设计与测试会议，印度技术研究院（IIT），印度印度印度印度印度，2019年7月，T6。邀请谈话“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器的趋势和机遇”，印度理工学院（IIT）孟买，印度，2019年7月，T7。“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器的趋势和机会”，印度班加罗尔的三星研发研究所，2019年7月，T8。“高级CMO中的嵌入式记忆：趋势和前景”，印度高通班加罗尔，2019年7月T9。“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI加速器中的趋势和机遇”，印度班加罗尔，2019年7月，T10。邀请演讲“高级CMO中的嵌入式记忆：ML/AI
使用菠萝叶纤维制造纤维素粉末介电复合材料
菠萝以其美味的味道和营养价值而闻名，以核心，叶子和皮肤的形式产生大量废物，从而导致每年大量的积累。由于其生产的增加和潜在的环境污染，菠萝废物的有效处理已成为一个关键的挑战。本文的目的是通过将菠萝废料衍生成新的介电复合材料来挥发自然纤维。通过使用设计专家软件的优化技术实现了介电复合材料的制造过程，从而导致了值得注意的发现。然后，根据其介电性值和元素组成分析了制造材料的特性。使用矢量网络分析仪（VNA）方法测量新制造的介电材料的介电常数，而其元素组成是使用能量分散性X射线（EDX）光谱进行表征的。在本文中分析了元素组成与新制造的复合材料的介电值之间的相关性。结果，当介电复合材料由76.02％碳和22.61％的氧气组成时，获得了最高的介电常数（4.08）。相反，当材料碳含量降低到69.32％，其氧含量增加到29.81％时，该材料表现出较低的介电率值（2.87）。这种结果强调了碳在吸收和存储电磁信号中的关键作用，从而影响了材料的介电特性。总而言之，本文揭示了用于废菠萝叶的开创性用途，展示了它们的碳含量如何显着影响所得的介电复合材料的介电特性。例如，这种创新的环保材料为电子设备（例如PCB，天线和传感器）中不可回收的介电材料提供了可持续的替代方案。
DNA存储的错误校正
信息理论被许多人视为交流的数学理论。通常，“交流”一词描述了一个场景，涉及两个交换信息的物理遥远的各方，但可能同样涉及两个暂时的政党。后者会导致跨时间而不是跨空间引起的通信，通常称为信息存储[8]，即，将信息编码到物理设备中以便在以后的时间点上检索，并有效，准确地检索。在1948年的开创性论文中，克劳德·香农（Claude Shannon，1916-2001）表明，所有类型的信息（IMEMEN，文本，视频等）可以使用位，即零和一个来传达，并且在存储的情况下存在相同的语句。为了存储一块信息，必须使用位对其进行编码，并将这些位放在可靠的物理设备上，最好是非挥发性的设备，即不需要电流以保留该信息。高密度非挥发器设备的最早例子（超越了数千年的打孔卡和书面介质）可能是磁性存储器的最早例子。在这项1950年代的技术中，使用不同的磁化贴剂在可磁性胶带上组织了钻头。在接下来的几十年中，对较高存储量的需求增加使这项技术向前发展成为硬盘驱动器，近年来，这扫清了通往固态驱动器的道路。尽管自引入以来，数字存储设备却努力达到不断增长的存储需求以来，虽然卷的数量增加了10个数量级。虽然卷的数量增加了10个数量级。
双旋转磁性隧道接线设备的微磁建模
自旋转移扭矩磁盘磁盘随机访问存储器（STT-MRAM）已成为一种有希望的非挥发记忆技术，与闪存相比，可提供可扩展性，高耐力和更快的操作[1，2]。它与SRAM竞争的能力有可能彻底改变未来信息存储。MRAM电池的核心是由COFEB磁参考层（RL），MGO隧道屏障（TB）和COFEB游离磁性层（FL）组成的磁性隧道连接（MTJ）。具有垂直磁化的FL和RL（PMTJ）的设备可实现大量的足迹，并为高密度MRAM溶液打开了路径。一直在不断努力提高STT-MRAM设备的切换性能，目的是实现子纳秒（子NS）切换时间。虽然自旋 - 轨道扭矩（SOT）设备显示了子NS开关性能，但与STT设备的两端结构相比，从技术的角度来看，它们的三端设备结构并不理想[3]。在PMTJ设备中掺入钼（MO）已显示出胜过常规TA的PMTJ，而TA则用垂直磁各向异性（PMA），热耐受性和开关性能作为COFEB电极的缓冲/帽/帽[4]。双磁隧道连接（DMTJ），具有额外RL和第二个TB的MTJ，已被研究为常规MTJ设备的有效替代方案，最多两倍的开关效率提高了开关效率[5，6]。但是，结构导致TMR值较低，到期
微生物硫代谢及其驱动下建立的生物生态关系
微生物，动物和植物中的代谢途径表现出各种关系。基于微生物硫代谢，本文总结了微生物，动物和植物中硫的四个主要代谢途径，并强调了相似性，差异和关系。微生物是生物硫循环的主要驱动力，参与硫的所有主要代谢途径。微生物通过微生物减少了硫磺硫，可减少甲烷在环境中的挥发。微生物或植物的同化硫还原性的动物有机硫来源，而动植物则缺乏异化或同化硫还原的功能。硫氧化发生在所有三种生物体中，具有相似的途径，其中硫转移酶多样化氧化产物。植物中的硫矿化尚不清楚，但是动物或微生物的矿化使植物中的硫硫底物可促进其他无机硫底物。 在本质上，基于硫代谢的生态关系，例如肠道微生物与宿主动物之间的关系，根际微生物与植物根，衰减的动物和植物的微生物矿化，以及微生物氧化的微生物矿化，硫磺的硫化和减少，显着增强了硫磺的硫磺含量。硫矿化尚不清楚，但是动物或微生物的矿化使植物中的硫硫底物可促进其他无机硫底物。在本质上，基于硫代谢的生态关系，例如肠道微生物与宿主动物之间的关系，根际微生物与植物根，衰减的动物和植物的微生物矿化，以及微生物氧化的微生物矿化，硫磺的硫化和减少，显着增强了硫磺的硫磺含量。
真空电弧科学与技术手册
电弧可以定义为气体或蒸汽中两个电极之间的放电，其阴极电压降为气体或蒸汽的最小电离或最小激发电位的量级。电弧是一种自持放电，能够通过提供其自身的机制从负极发射电子来支持大电流。大自然自古以来就以闪电的形式为我们提供了电弧，但直到伏打电堆出现后，汉弗莱·戴维爵士才于 1810 年左右在实验室中首次研究了电弧。电弧可以由火花或辉光放电引发，也可以由两个带电电极之间的接触分离引发。当接触断开时，流过电极的电流会熔化并蒸发最后一个小接触点，留下金属蒸汽放电，如果外部电路的电阻较低，则该放电会发展成电弧。电弧可能存在于高气压或低气压的环境中，也可能只存在于其挥发电极的蒸汽中。大自然似乎从未预料到真空环境中会出现电弧。这是人类的发明。术语“真空弧”是错误的用词。真空弧的真正含义是真空环境中的金属蒸汽电弧。然而，由于真空弧这一术语很常用，并已被文献接受，因此它在这里保留下来，并成为本书的主题。真空弧燃烧在封闭的空间中，在点燃之前是高真空。这种电弧的一个特征是，在点燃后，如果能量密度足够高，它会通过消耗阴极（有时是阳极）产生自己的蒸汽。蒸汽被部分电离，提供导电等离子体以实现电极之间的电流传输。某些基本过程发生在所有类型的电放电中，包括电弧。这些单独的过程自大约 1900 年以来一直在研究。
除草剂对树木灌木和花园植物的损害
受影响的植物：树木，灌木，草皮和园林植物描述：每年我们看到暴露于除草剂造成的损害。症状随施用除草剂，暴露的植物，产品和环境因素的浓度，尤其是炎热温度而变化。这是常见损害类型的列表。阔叶除草剂漂移。在农场和家庭草坪上使用的许多除草剂本质上是植物生长激素。其中包括2,4-D，Triclopyr和Dicamba，通常用于控制草坪，牧场或草农作物中的阔叶杂草。这些产品可能会在高温下变成气体（挥发），从而导致它们漂移并损坏非目标植物，例如树木和灌木。症状可能包括植物树叶的扭曲和扭曲，叶片泛黄，在严重的情况下，分支死亡。这种损坏的商标迹象之一是叶叶柄或茎的卷曲Q扭曲。尽管西红柿，红芽树和葡萄对这些除草剂敏感，但如果发生漂移，许多物种会显示出一些损害。如果您看到多种多种物种扭曲，则可能发生除草剂漂移。对菜园的损害。尽管漂移是蔬菜造成除草剂损害的最常见原因，但也存在其他潜在问题。用picloram治疗的牧场（Tordon）喂养草原干草的牛可以用除草剂污染肥料。如果将这种肥料用于菜园，植物可能会生病并死亡。此外，用Quinclorac（一种杀手虫）处理并用作覆盖物的草坪剪报可以具有相同的作用。两种产品都可以保持24个月的活性。树桩或发芽治疗的损害。经常对树桩进行治疗，以防止重塑。两种常用的产品是Picloram（Tordon）和Triclopyr（补救措施，树桩杀手，Brush-B-Gon等）。应用这些除草剂时要小心以防止