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可逆的非易失性电子切换在近房间...
非挥发相变的内存设备利用局部加热来在具有不同电性能的晶体和无定形状态之间切换。扩展这种切换到两个拓扑上不同的阶段需要受控的非易失性切换在两个具有不同对称性的晶体相之间。在这里，我们报告了在两个稳定且密切相关的晶体结构之间的可逆和非挥发性切换的观察，并具有非常不同的电子结构，在近室温的范德华（Van der waals）中，van der waals feromagnet fe 5-Δgete 2。我们表明，通过Fe位置空缺的顺序和无序，可以通过两阶段的晶体对称性来实现开关，这可以通过热退火和淬火方法来控制。这两个阶段是由于在位置排序相中保留的全局反转对称性而存在拓扑结节线的区别，这是由量子破坏性干扰在双位晶格上引起的，而在站点排序相位的反转对称性。
F50L1G41LB（2M）Flash
一般说明串行电气接口遵循行业标准的串行外围界面（SPI），在系统中提供了具有成本效益的非挥发存储器存储解决方案，在该系统中，必须将PIN计数保持在最低限度。该设备是基于标准并行NAND Flash的1GB SLC SPI-NAND闪存设备，但是为SPI操作定义了新的命令协议和寄存器。它也是Spi-nor的替代方法，提供了出色的写作表现，并且每位比Spi-Nor提供了成本。命令集类似于常见的spi-nor命令集，已修改以处理NAND特定功能和新功能。新功能包括可选择用户的内部ECC。启用了内部ECC，当页面写入内存数组时，内部生成了ECC代码。ECC代码存储在每个页面的备用区域中。当将页面读取到高速缓存寄存器时，将再次计算ECC代码并将其与存储值进行比较。必要时会纠正错误。该设备要么输出校正数据或返回ECC错误状态。
单层 MoSe2 中激子复合物与二维铁电体 CuInP2S6 的非挥发性电控制
摘要：单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性，例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能，可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文，为了实现激子态的非挥发性电可调性，从而实现 TMD 的光学属性，我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中，CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化，可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词：激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言
使用可编程开关的加速机器学习
摘要。高频交易（HFT）采用尖端硬件来快速决策和订单执行，但通常依赖于可能会错过更深层次市场趋势的简单算法。相反，低频算法交易使用机器学习（ML）进行更好的市场预测，但更高的延迟可以否定其战略收益。为了达到两全其美，我们提出了一种网络内ML解决方案，该解决方案将ML过程嵌入了可授权的网络设备中，加速了功能工程和提取以及ML推断。在本文中，我们设计和开发了一种解决方案，该解决方案支持使用商品开关的股票中价和挥发运动预测。我们的方法达到了微秒尺度的超低潜伏期，与以前的工作相比，它显着降低了64％至97％，同时维持与服务器模型相同的ML性能。此外，通过将网络硬件和服务器相结合，混合部署策略可以使错误分类率的变化相对于服务器基线的0.8％以下，同时直接在开关上处理49％的流量并实现了端到端延迟的平均降低45％。
导航加密丛林
比特币（Nakamoto，2008年）被广泛认为是最臭名昭著的加密货币，如果不是流通中最有价值的“加密”。现在的价值约为34.734,90美元（https://www.google.com/finance/quote/btc-usd），使其成为高价值的数字资产。研究表明，比特币和加密货币通常呈现出气泡的特征：“它非常挥发，表现出较大的峰度和负偏度”（Camerer，1989），但结果仍然不确定。必须强调，这些资产的潜在买家和消费者应行使审慎，并对相关风险有全面的了解。在处理此类挥发性资产时可能会损失大量资本，如重要的例子所证明（https://www.investopedia.com/what what went-went-wrong-with-ftx- 6828447）。从我的角度来看，我们正在处理由投资者支持的数字资产的投机价值，并以似乎提供过夜利润的乌托邦的方式进行销售。我坚持认为加密货币狂热最终将不再永久存在，但我不得不欣赏比特币出现（可能带来某些危害但也带来许多好处）获得突出的技术。
使用脉冲激光探索TAAS Weyl半准薄膜的生长条件
taas是第一个实验发现的Weyl半分材料，由于其高载流子迁移率，高各向异性，非磁性特性以及与光的强烈相互作用，引起了很多关注。这些使其成为研究量子计算，热电设备和光电检测中Weyl Fermions和应用的理想候选者。迫切需要进行进一步的基本物理研究和潜在的应用，大尺寸和高质量的TAAS漏洞。然而，由于AS在生长过程中的挥发，生长出色的taas纤维很难。为了解决这个问题，我们尝试使用脉冲激光沉积（PLD）使用具有不同AS化学计量比的靶标在不同底物上生长TAAS漏洞。在这项工作中，我们发现在生长过程中，部分作为GAAS底物的离子可能会扩散到TAAS纤维中，这是由结构表征，表面地形和组成分析最初确认的。结果，提高了TAAS纤维中的AS含量，并实现了TAAS相。我们的工作提出了一种使用PLD制造TAAS漏洞的有效方法，从而使Weyl SemimetalFim可以用于功能设备。
数字经济和社会部
部分多云。隔离的小雨主要下部。最低温度19-22°C。最高温度27-36°C。东风10-30 km./hr。中央部分多云。隔离的小雨主要下部。最低温度23-25°C。最高温度28-35°C。东南风10-20 km./hr。东日热。 孤立的小雨。 最低温度23-26°C。 最高温度31-36°C。 东风10-30 km./hr。 在1米以下挥发，海上约1米。 南海岸，在Nakhon Si Thammarat，Phatthalung，Songkhla，Pattani，Yala，Yala和Narathiwat中隔离了雷声和大雨。 最低温度23-26°C。 最高温度32-36°C。 surat thani向上：东风15-30 km./hr。 波高约1米及以上2米的雷声高度。 Nakhon Si Thammarat向下：东南风15-35 km./hr。 波高1-2米和高于2米的雷声。 南，西海岸日热。 散落的雷声大部分大多是在Phang Nga，Phuket，Krabi，Trang和Satun中。 最低温度24-28°C。 最高温度33-37°C。 东风15-30 km./hr。 波高约1米，在远离1米以上的1米处，在雷电疗中的2米以上。 曼谷和附近东日热。孤立的小雨。最低温度23-26°C。最高温度31-36°C。东风10-30 km./hr。在1米以下挥发，海上约1米。南海岸，在Nakhon Si Thammarat，Phatthalung，Songkhla，Pattani，Yala，Yala和Narathiwat中隔离了雷声和大雨。最低温度23-26°C。最高温度32-36°C。surat thani向上：东风15-30 km./hr。波高约1米及以上2米的雷声高度。Nakhon Si Thammarat向下：东南风15-35 km./hr。波高1-2米和高于2米的雷声。南，西海岸日热。 散落的雷声大部分大多是在Phang Nga，Phuket，Krabi，Trang和Satun中。 最低温度24-28°C。 最高温度33-37°C。 东风15-30 km./hr。 波高约1米，在远离1米以上的1米处，在雷电疗中的2米以上。 曼谷和附近南，西海岸日热。散落的雷声大部分大多是在Phang Nga，Phuket，Krabi，Trang和Satun中。最低温度24-28°C。最高温度33-37°C。东风15-30 km./hr。波高约1米，在远离1米以上的1米处，在雷电疗中的2米以上。曼谷和附近
演示摘要：用Riotee构建免电设备
Riotee模块。图2说明了里约热道模块的框图。带有最大功率跟踪的增强充电器将能量从附件的收割机传输到车载自由度。两个比较器针对两个软件定义的电压阈值监视电容器电压，并将阻碍电源故障的软件通知软件。该模块具有两个完全可编程的微控制器，这些微控制器通过4线SPI总线连接，并共享对系统的所有其他组件的访问：Nordic分号NRF52833具有64 MHz Cortex-M4 CPU，带有浮点单元和低调的2.4 GHZ GHZ GHZ WIDEELLEDELED。Ti MSP430FR5962具有128 kb的非易失性框架，用于跨功率故障保留应用状态。应用程序和网络代码可以在功能强大的NRF52上运行，并使用MSP430作为非挥发处理的协调员保留跨功率故障的应用程序状态。替代，应用程序代码可以在MSP430上运行，并将NRF52用作无线处理器。启用了计时和电容器电压监视时，Riotee模块绘制4 µA。在最深的睡眠模式下，电流绘制范围低于0。1 µA。1 µA。
Glycogard HT-规格
镀锌成分应避免，因为锌通常用乙二醇和含有乙二醇的产物挥发。用于生产溶液的水应具有25°DH的最大硬度，最大氯化物含量为100 mg/l。通常，自来水满足这些要求。管道连接将由硬焊料组成，并且应避免使用含氯化物的通量材料，或者应在使用后通过冲洗完全去除。铜成分，金属刀片和污染物上的鳞片在填充植物之前应完全去除。操作的工厂不得与任何外部电势接触。安装工厂时，必须确保不会因空气垫或碎屑引起的循环干扰而打断未来的操作。用糖果HT操作的植物必须作为封闭系统安装，并在进行压力测试后直接填充并直接填充。燃气和空气垫应立即去除。呼吸器应以始终使系统免于空气和氧气的方式，并且在低压的情况下，任何空气都无法吸入。如果要填充现有工厂，则应事先检查腐蚀状态。在填充腐蚀的系统之前，必须完全重建它。
低温条件下（1.5 K）Al 2O3/TiO2–x 忆阻器的电阻开关和传输机制研究
固态量子技术的不断进步已带来前景光明的高质量硅基量子比特 [1], [2]。此类量子系统在低至 10 mK 的低温下工作，目前由位于室温低温恒温器外部的经典电子设备控制。虽然这种方法可以操作少量子比特系统，但很明显，管理数量大幅增加的量子比特将是不可能的。因此，要迈向大规模量子系统，有必要探索新颖的集成和封装方法，以在具有一个或多个温度阶段的低温环境中开发量子经典接口 [3]。与此同时，纳米级电阻开关存储器（也称为忆阻器）是室温应用（如基于大规模并行神经形态电子架构的大容量存储器和内存计算应用）最有前途的候选者之一 [4]。在低温下展示可逆、非挥发和高度非线性的忆阻器器件电阻编程将为基于忆阻器的低温电子学铺平道路，从而有助于克服实现量子霸权的障碍。到目前为止，研究电阻存储器的最低温度是 4 K [5]–[10]，主要是为了更好地了解基于过渡金属氧化物的器件的温度相关行为和传导机制。