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World File Search System掺杂的
YB-硅胶眼镜和玻璃陶瓷中的离子
在二氧化硅 - 二氧化胶玻璃和玻璃陶瓷中研究了材料结构在Ag和TB 3+ /Yb 3+离子之间的能量转移中的作用。通过溶胶 - 凝胶和浸入涂层进行TB 3+和YB 3+掺杂的二氧化硅氧化锌层的制备，然后进行热退火。通过控制退火温度从700°C下的全无定形玻璃控制到1000°C的玻璃陶瓷来获得氧化锆纳米晶体的沉淀。由稀土掺杂的氧化氧化纳米晶体（四方或立方）的不同结构结构，并与TB 3+ /Yb 3+光学性质进行了研究。此外，在激发带的强度和宽泛的情况下，通过离子 - 交换引入Ag codoping，获得了明显的光致发光增强，覆盖了整个UV区域和紫罗兰色区域的一部分。Ag敏感的TB 3+ /Yb 3+掺杂的二氧化硅氧化循环玻璃陶瓷被证明是能源相关应用的潜在候选物，例如可见光和NIR光谱区域中太阳能电池，激光器和光电池（LED）的光谱转换层。
Hu等人：通过在铁电HF上插入Al 2 O 3 Interlayer的SI Channel FeFet内存窗口的扩大0.5 Zr 0.5 Zr 0.5 O 2 1 1
afnia（HFO 2）基于硅河道铁电场效应晶体管（HFO 2 Si-fefet）已对非挥发性记忆进行了广泛的研究[1-7]，这要归功于掺杂的hfo 2 [8]中发现铁电性的。HFO 2 Si-fefet的存储窗口（MW）大约是文献报告中的1-2 V [9-12]，该窗口不满足其对在多位数存储单元中应用的要求。最近，通过优化铁电层和栅极侧层间层[13]，在SI-FEFET中报告了最高10.5 V的大型MW [13]。但是，它没有给出层中层的材料。及其物理机制仍未报告和澄清。为了改善MW，通常有两种方法。当前方法之一主要集中于减少掺杂的HFO HFO 2铁电和Si通道之间的底部SIO X互层中的电场，从而抑制了在掺杂的HFO 2 /SIO X界面处的电荷捕获[14-17]。另一种方法侧重于改进SIO X数量。但是，仍然缺乏改善Si FeFet MW的有效方法。
实验评估对钻孔氧化物增强的有机硅橡胶的光子屏蔽特征
在本研究中，使用铸造方法制造了六硅橡胶掺杂的硅橡胶。使用Archimedes方法测量了由牙四硼酸氧化物样品掺杂的硅橡胶的密度。此外，使用Hyper Pure族对硅胶橡胶掺杂的牙胆剂氧化物样品的线性衰减系数进行了评估，并使用理论PHY-X程序对记录的线性衰减系数进行了记录的线性衰减系数。使用带有放射性同位素AM-241，CS-137和CO-60的窄光束传输方法进行实验测量，其能量为59、661、1173和1332 KEV。线性衰减系数在4.73次，1.20时间，1.17，时间和1.17次时的增强，在伽玛光子光能为59、661、1173和1332 KeV时，TEO 2浓度在制造的配合材料中增加到59、661、1173和1332 KEV。线性衰减系数的增强对传输速率值有积极的影响，而在半价值厚度和传输速率则降低并伴随着RPE的增加。©2023韩国核协会，由Elsevier Korea LLC出版。这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
稳定的田间电子发射和等离子体照明来自硼和氮共掺杂的边缘 - 富含钻石增强的碳纳米棒
这是以下文章的同行评审：Ficek M.，Dec B.，Sankaran K. J.，Gajewski K.，Gajewski K.，Tatarczak P.，Wlasny I.，Wysmolek A.，Wysmolek A.，Haenen K.，Haenen K.，Gotszalk T.，Bogdanowicz R.，Bogdanowicz R.，Bogdanowicz R.钻石增强碳纳米棒，高级材料界面，第1卷。8，ISS。 20（2021），2100464，已在https://doi.org/10.1002/admi.202100464上以最终形式出版。 本文可以根据Wiley使用自算版版本的条款和条件来将其用于非商业目的。 未经Wiley的明确许可或根据适用立法的法定权利的明确许可，本文可能不会增强，丰富或以其他方式转化为衍生作品。 版权声明不得删除，遮盖或修改。 该文章必须链接到Wiley在Wiley在线图书馆上的记录版本，并且必须禁止第三方通过平台，服务和网站提供任何嵌入，框架或以其他方式提供其文章或页面。8，ISS。20（2021），2100464，已在https://doi.org/10.1002/admi.202100464上以最终形式出版。本文可以根据Wiley使用自算版版本的条款和条件来将其用于非商业目的。未经Wiley的明确许可或根据适用立法的法定权利的明确许可，本文可能不会增强，丰富或以其他方式转化为衍生作品。版权声明不得删除，遮盖或修改。该文章必须链接到Wiley在Wiley在线图书馆上的记录版本，并且必须禁止第三方通过平台，服务和网站提供任何嵌入，框架或以其他方式提供其文章或页面。
超导铁硒化物的结构演化和相图 ${\rm{L}}{{\rm{i}}_x}{( {{{\rm{C}}_{\rm{2}}}{{\rm{H}}_{\rm{8}}}{{\rm{N}}_2}} )_y}{\rm{F}}{{\rm{e}}_2}{\rm{S}}{{\rm{e}}_2}( {x = 0\sim 0.8} )$
这里我们报道了在很宽的掺杂浓度范围（x = 0 ∼ 0 . 8）下锂和乙二胺插层的 FeSe 的结构和电子相图。未掺杂的 (C 2 H 8 N 2 ) y Fe 2 Se 2 结晶为正交相。随着锂掺杂的增加，在 x = 0 . 35 处发生正交到四方相变，并且超导四方相一直持续到 x = 0 . 5。同时，发现 T c 强烈依赖于掺杂剂浓度，从 x = 0 . 35 时的 30 K 迅速上升到 x = 0 . 5 时的 45 K。Li 0 . 31(3) (C 2 H 8 N 2 ) 0 . 52(7) Fe 2 的晶体结构。利用高分辨率中子衍射数据分别在 5、60、150 和 295 K 下测定了 FeSe 四面体的形变。在 150 到 295 K 之间，FeSe 四面体的畸变显著增强，同时，在同一温度范围内正常态霍尔电阻率由负转正。在 230 K 以上，电子掺杂的 Li 0.5(C 2 H 8 N 2 ) y Fe 2 Se 2 中以空穴载流子为主，这表明温度引起的结构畸变可能导致费米面拓扑结构的重构和空穴袋的出现。
引用Snyman，I.，Tworzydlo，J。，＆Beatakker，C。W. J.（2008）。使用Chalker-Coddington Netw
最初作为量子霍尔效应中渗透模型引入的粉笔 - 哥德顿网络模型已知可以映射到二维DIRAC方程中。在这里，我们展示了如何使用网络模型来解决连接到浓度掺杂的电子储层的弱掺杂的石墨烯片中的散射问题。我们开发了一个数值过程，以使用网络模型的助手来计算散射矩阵。出于数值目的，网络模型比蜂窝晶状体的优势在于，它从一开始就消除了间隔散射。我们避免需要在网络模型中包括大量掺杂的区域，这些区域通过通过弱掺杂区域的转移矩阵与电子储层之间的散射矩阵之间的分析关系来计算昂贵。我们通过计算静电定义的量子点接触的电导来测试网络算法，并与石墨烯的紧密结合模型进行比较。我们进一步计算了在抑制间隔散射的制度中存在无序的石墨烯片的电导。我们发现与先前研究一致的电导率增加。与紧密结合模型不同，网络模型不需要光滑的电势以避免间隔散射。
用于热电薄膜的高浓缩半导体单壁碳纳米管的溶液相 p 型掺杂
单壁碳纳米管 (SWCNT) 具有可调的光电特性和高载流子迁移率，是下一代能量收集技术（包括热电发电机）的理想材料。控制这些独特的 1D 纳米材料中的费米能级通常由 SWCNT 与电子或空穴接受物质之间的电荷转移相互作用实现。掺杂 SWCNT 网络的传统方法通常涉及将分子氧化还原掺杂剂物质扩散到固态薄膜中，但溶液相掺杂可能为载流子传输、可扩展性和稳定性提供新途径和/或好处。在这里，我们开发了使用 p 型电荷转移掺杂剂 F 4 TCNQ 对聚合物包裹的高浓缩半导体 SWCNT 进行溶液相掺杂的方法。这使得掺杂的 SWCNT 墨水可以铸成薄膜，而无需额外的沉积后掺杂处理。我们证明在 SWCNT 分散过程的不同阶段引入掺杂剂会影响最终的热电性能，并观察到掺杂剂改变了聚合物对半导体和金属 SWCNT 的选择性。与致密的半导体聚合物薄膜相比，溶液相掺杂通常会导致形态破坏和 TE 性能比固态掺杂更差，而溶液掺杂的 s-SWCNT 薄膜的性能与固态掺杂的薄膜相似。有趣的是，我们的结果还表明，溶液相 F 4 TCNQ 掺杂会导致固态薄膜中完全电离和二聚化的 F 4 TCNQ 阴离子，而在沉积后掺杂 F 4 TCNQ 的薄膜中则不会观察到这种情况。我们的研究结果为将溶液相掺杂应用于可能需要高通量沉积技术的广泛高性能基于 SWCNT 的热电材料和设备提供了一个框架。
9月9日至13日，2024年，波兰弗罗茨瓦夫
用催化剂执行了约80-90％的化学过程。例如，从自由氮中生产氨的Haber-Bosch过程以大于150杆的压力运行，并以铁作为主要催化剂的温度达到450°C。这种必不可少的过程是我们体内20％的氮的20％，并且消耗了1％的全球能量支出（并为全球碳足迹贡献了1-2％）。镍和钴掺杂的MOS 2充当燃料的主要氢化化和氢化硝化催化剂。通过电催化过程将水分开为氧气和氢，是预计零碳足迹2050 World的最受欢迎的反应之一。与几乎任何其他催化剂一样，2D-材料纳米颗粒（NP）不能用作执行有用的催化过程。可以区分两种类型的催化剂：掺杂的2D-材料NP和混合材料。