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World File Search System掺杂
阳极WO3层的表面工程通过原位掺杂液辅助水
摘要：这项研究提出了一种通过单步电化学合成来制造阳极co-f - Wo 3层的新方法，利用氟化钴作为电解质中的掺杂剂来源。所提出的原位掺杂技术利用了氟的高电负性，从而确保在整个合成过程中COF 2的稳定性。在存在氟化物离子的情况下由阳极氧化物溶解引起的纳米孔层的形成有望有助于将钴化合物的有效掺入膜中。这项研究探讨了掺杂剂在电解质中的影响，对所得材料进行了全面的表征，包括吗啡，成分，光学，光学，电化学和光电化学特性。通过能量色散光谱（ED），X射线衍射（XRD），拉曼光谱，光致发光测量，X射线光电学光谱（XPS）和Mott-Schottky分析证实了WO 3的成功掺杂。光学研究表明，共掺杂材料的吸收较低，带隙能量略有变化。光电化学（PEC）分析表明，共掺杂层的PEC活性提高了，观察到的光电流发作电位的变化归因于钴和氟化物离子催化效应。该研究包括对观察到的现象的深入讨论及其对太阳能分裂中应用的影响，强调了阳极Co-f-wo 3层作为有效的光电子的潜力。此外，该研究还对阳极co -f -wo 3的电化学合成和表征进行了全面探索，强调了它们的氧气进化反应（OER）的光催化特性。发现共掺杂的WO 3材料表现出更高的PEC活性，与原始材料相比，最大增强了5倍。此外，研究表明，可以有效地将这些光射流用于PEC水分实验。关键字：氧化钨，阳极氧化，原位掺杂，纳米结构形态，OER，光电化学特性
未掺杂和GD掺杂的CEO2纳米晶薄膜的光学特性
摘要这项研究有助于研究美国公众对碳捕获和存储（CCS）项目的接受。对塑造公众支持CCS项目的因素的检查为政策制定者提供了见解，以解决公众关注，平衡CCS发展与公众情绪，并就最佳地点和时机做出明智的决定。基于对1850名受访者的全国代表性调查，该研究发现，在美国，CCS技术的熟悉程度非常低（6.4％），而对CCS开发的增加有限的反对（11.5％）。回归结果表明，美国对CCS项目增加的支持受到对技术和社会风险（分别泄漏和社区危险）的看法，但不受生命风险的成本，对环境和经济利益的看法，对技术的熟悉，对政府法规的赔偿以及对美国的渴望以及CCS领导美国的愿望。我们未能找到“不在我的巴克里德”效应，并且支持其州更多CC的个人也在国家一级支持它。了解这些因素有助于决策者预期实施CCS计划的挑战，并允许制定战略来解决关注点。
双Si平面掺杂提高InP基HEMT的辐射抗力
提出一种采用双Si掺杂平面优化的InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)抗辐照结构,在沟道层下方增加Si掺杂平面,使InP基HEMT的沟道电流、跨导、电流增益截止频率和最大振荡频率均有较大提升。此外,详细比较了单Si掺杂和双Si掺杂结构在75keV质子辐照(剂量分别为5×10 11 cm − 2、1×10 12 cm − 2和5×10 12 cm − 2)后的直流(DC)和射频(RF)特性及其降低率。两种结构的DC和RF特性均随着辐照剂量的增加而逐渐下降,尤其在5×10 12 cm − 2剂量下下降最为显著。此外，双硅掺杂结构的特性退化程度明显低于单硅掺杂结构，尤其是在较大的质子辐照剂量下。通过插入另一个硅掺杂平面来提高质子辐射耐受性可能是由于本征载流子大幅增加，这必然会大大削弱辐照诱导缺陷对载流子去除的影响。
用于量子电阻计量的分子掺杂外延石墨烯玻璃封装
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散，这使得在较小的电荷载流子密度下可以有效实现量子霍尔效应。然而，在碳化硅 (SiC) 上具有发展前景的可扩展外延石墨烯需要分子掺杂，而分子掺杂在环境条件下通常是不稳定的，以补偿来自 SiC 衬底的电子转移。在这里，我们采用了有机电子器件中常见的经典玻璃封装，以使分子掺杂的外延石墨烯对空气中的水和氧分子钝化。我们已经研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性近 1 年。经过近一年的多次热循环，霍尔量子化保持在阈值磁场之上，小于 3.5 n Ω Ω − 1 的测量不确定度，而普通未封装的器件在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量子化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
更好地理解 Ti 掺杂 HfOx RRAM 的形成和电阻开关行为
完整作者列表： Athena, Fabia Farlin；佐治亚理工学院工程学院、电气与计算机工程 West, Matthew；佐治亚理工学院、材料科学与工程学院 Hah, Jinho；佐治亚理工学院工程学院、材料科学与工程学院；佐治亚理工学院 Hanus, Riley；佐治亚理工学院工程学院、3George W. Woodruff 机械工程学院，佐治亚理工学院，佐治亚州亚特兰大 30332，美国 Graham, Samuel；佐治亚理工学院工程学院、George W. Woodruff 机械工程学院，佐治亚理工学院，佐治亚州亚特兰大 30332，美国 Vogel, Eric；佐治亚理工学院、材料科学与工程学院
适合光电应用的共掺杂 CdS 纳米结构薄膜的综合研究
a 诺拉宾特阿卜杜拉赫曼公主大学科学学院物理系，邮政信箱 84428，利雅得 11671，沙特阿拉伯 b 卡玛维尔巴劳帕蒂尔学院 Rayat Shikshan Sanstha 物理系，瓦希，新孟买，400703，马哈拉施特拉邦，印度 c 哈立德国王大学科学学院物理系先进功能材料与光电子实验室（AFMOL），沙特阿拉伯阿卜哈 61413 哈立德国王大学先进材料科学研究中心（RCAMS），沙特阿拉伯阿卜哈 61413，邮政信箱 9004 e 阿斯旺大学科学学院物理系，埃及 f 吉赞大学科学学院物理系，邮政信箱。 114，吉赞，45142，沙特阿拉伯 g 昌迪加尔大学化学系和大学研究与发展中心，莫哈里 - 140413，旁遮普，印度 h 佛罗里达理工大学环境工程系纳米生物技术实验室，莱克兰，佛罗里达州 33805，美国 i 石油和能源研究大学工程学院，德拉敦，248007，印度
用于量子电阻计量的分子掺杂外延石墨烯玻璃封装
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散，它允许在较小的载流子密度下有效实现量子霍尔效应。然而，在碳化硅 (SiC) 上要实现有前景的可扩展外延石墨烯，需要分子掺杂来补偿来自 SiC 基底的电子转移，而分子掺杂在环境条件下通常不稳定。在这里，我们采用有机电子器件中常见的经典玻璃封装来钝化分子掺杂外延石墨烯以抵抗空气中的水和氧分子。我们研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性，为期近 1 年。在近 1 年的多次热循环中，霍尔量子化保持在阈值磁场之上，在 2 n ΩΩ − 1 以内，小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度，而普通的未封装设备在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
用于量子电阻计量的分子掺杂外延石墨烯玻璃封装
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散，它允许在较小的载流子密度下有效实现量子霍尔效应。然而，在碳化硅 (SiC) 上要实现有前景的可扩展外延石墨烯，需要分子掺杂来补偿来自 SiC 基底的电子转移，而分子掺杂在环境条件下通常不稳定。在这里，我们采用有机电子器件中常见的经典玻璃封装来钝化分子掺杂外延石墨烯以抵抗空气中的水和氧分子。我们研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性，为期近 1 年。在近 1 年的多次热循环中，霍尔量子化保持在阈值磁场之上，在 2 n ΩΩ − 1 以内，小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度，而普通的未封装设备在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
晶体结构控制化学掺杂的摩擦P3HT膜中的化学掺杂
摘要：近年来，作为低成本，导电层的半导体聚合物已受到越来越多的关注。为了显示合理的电导率，必须掺杂半导体聚合物，该过程需要氧化或还原共轭主链和结构重排，以便将电荷平衡柜台容纳到聚合物网络中。在这里，我们旨在了解这种结构重排如何有助于掺杂的能量。我们利用了一个事实，即摩擦对齐的聚（3-己基噻吩-2,5-二苯基）（p3HT）膜包含两个多晶型物，一种具有晶体结构，其密度低于在未对齐的膜中观察到的结构，而另一个具有更紧密的，更紧密的浓度，浓度更紧密的晶状体结构。分别相对于底物，这两种结构分别是面对面和边缘的，因此它们的衍射在Q空间中很好地分开，因此可以分别监测每个种群的掺杂诱导的结构变化。当电影掺杂2,3,5,6- tetrafluoro-7,7,8,8-四甲苯喹啉甲烷烷（F 4 TCNQ）时，比浓度更容易诱导的结构变化，而不是浓度更容易诱导的结构变化。这一发现表明，在掺杂过程中，聚合物晶体结构的重新排列是一个重要的能量术语，并且可以通过设计新聚合物来促进半导体聚合物的掺杂，在该聚合物中，可以在结构减少的聚合物及时中容纳掺杂剂。s
