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World File Search System掺杂
SR2+和Zr4+掺杂的Batio3巨大介电常数超材料的增强的介电特性
摘要。Batio 3是钙钛矿结构的最重要功能材料之一，广泛用于电子工业中。但是，Batio 3的介电介电常数仍然相对较低，这极大地限制了其在具有巨大介电介电常数的超材料中的实际应用。在这项工作中，（Ba 100 x Sr X）（Ti 100 Y Zr Y）O 3复合陶瓷是通过实心烧结方法制造的。令人惊讶的是，（ba 100 x Sr x）（ti 100 y zr y）o 3复合陶瓷材料的介电性能分别依赖于A位置和B位置的Sr 2+和Zr 4+的占用。因此，通过调整SRTIO 3和BAZRO 3的掺杂量，介电介电常数为28287（65°C，1 kHz），以及在（ba 90 sr 10）（ba 90 sr 10）中的高分子分解强度为84.47 kV/cm，是在214％的范围内，是214％的13％and 13％，是214％的13％。 （BA 99 SR 1）（Ti 99 Zr 1）O 3复合陶瓷。此外，通过有限的元素模拟确定了介电介电常数显着增加的原因，并探索了复合陶瓷材料的分解机制。这项工作提供了一种构建高介电介电常数复合陶瓷的简便方法，即（BA 100 X SR X）（Ti 100 Y Zr Y）O 3复合陶瓷在电子和静电储能存储电容器方面具有广泛的应用前景。
通过金属有机化学蒸气沉积的2D半导体的合成和掺杂
新的抗Hibitmagne®珠子为您提供了快速，方便的程序，以使用IP和CO-IP方法从哺乳动物，酵母和细菌细胞中富集hibit标记的蛋白质和相关蛋白质复合物。因此，该产品为蛋白质生物学和基于质量的蛋白质组学研究打开了更多的可能性。高亲和力抗体可确保具有最小非特异性背景的特定标签特异性结合。Drkbit肽可用于轻轻地从抗Hibit magne珠子中洗脱hibit标记的蛋白质。
对HO3+掺杂CA3的结构和光致发光特性的研究（VO4）2发光设备的磷
化合物具有良好的基础，因为它们具有多种优势。它们表现出可调的发射特性；因此，可以针对特定C应用定制发射光的颜色和强度。11 - 13这种可调节性是创建可以补充人类视觉敏感性的磷光器的关键特征，从而带来最佳的照明和显示质量。ca 3（vo 4）2（一种钒酸盐）具有一种结构结构，当用某些稀土离子掺杂时，可以定制以在可见光谱中发出光。14此功能使CA 3（VO 4）2成为需要绿色排放的引人注目的选择，例如在W-LED和显示技术中。15基于Ca 3（vo 4）2的磷光体的可调节性能源于其可调节的特性，从而能够以受控和有效的方式产生材料。发射白光二极管（LED）的发展在很大程度上取决于绿色发射磷。在发光活化剂中，TB 3+离子以其出色的量子产率，辐射纯度和稳定性而闻名。16,17用于研究绿色发光，最近将TB 3+离子添加到宿主材料中，例如BioCl和Sral 2 O 4。 18,19 4f 8 - 4f 7 5d 1转换负责TB 3+离子在（220-300）NM区域中显示的广泛激发属性。 令人惊讶的是，在此激发范围内还吸收了孤立的VO 4 3-部分，可能用作TB 3+离子敏化剂。 kuz'Icheva等。 在TM掺杂的Ca 3（vo 4）2中证明了光谱发光特性。 20 Voronina等。16,17用于研究绿色发光，最近将TB 3+离子添加到宿主材料中，例如BioCl和Sral 2 O 4。18,19 4f 8 - 4f 7 5d 1转换负责TB 3+离子在（220-300）NM区域中显示的广泛激发属性。令人惊讶的是，在此激发范围内还吸收了孤立的VO 4 3-部分，可能用作TB 3+离子敏化剂。kuz'Icheva等。在TM掺杂的Ca 3（vo 4）2中证明了光谱发光特性。20 Voronina等。描述Mn掺杂的Ca 3（vo 4）2，21
硼、氮和氧掺杂的 𝝅 延伸螺旋
窄带发射多谐振热激活延迟荧光 (MR-TADF) 发射器是一种有前途的解决方案，无需使用光学滤光片即可实现当前行业针对蓝色的色彩标准 Rec. BT.2020-2，旨在实现高效有机发光二极管 (OLED)。然而，它们的长三线态寿命（主要受其缓慢的反向系统间穿越速率影响）会对器件稳定性产生不利影响。在本研究中，设计并合成了螺旋 MR-TADF 发射器 (f-DOABNA)。由于其𝝅 -离域结构，f-DOABNA 拥有较小的单重态-三重态间隙𝚫 E ST ，同时显示出异常快的反向系统间穿越速率常数k RISC ，高达 2 × 10 6 s − 1 ，以及非常高的光致发光量子产率𝚽 PL ，在溶液和掺杂薄膜中均超过 90%。以 f-DOABNA 为发射极的 OLED 在 445 nm 处实现了窄深蓝色发射（半峰全宽为 24 nm），与国际照明委员会 (CIE) 坐标 (0.150, 0.041) 相关，并显示出较高的最大外部量子效率 EQE max ，约为 20%。
使用笨重的十字架基掺杂剂在无定形半导体聚合物中产生移动电荷载体
摘要：共轭聚合物是多种下一代电子设备中使用的多功能电子材料。这种聚合物的效用在很大程度上取决于其电导率，这既取决于电荷载体（极性）的密度和载体迁移率。载流子的迁移率又受极性柜台和掺杂剂之间的分离而在很大程度上控制，因为柜台可以产生库仑陷阱。在先前的工作中，我们显示了基于十二烷（DDB）簇的大掺杂剂能够减少库仑结合，从而增加晶状体（3-己基噻吩-2,5-二苯基）的载流子迁移率（P3HT）。在这里，我们使用基于DDB的掺杂剂研究化学掺杂的降级（RRA）P3HT的极化子 - 反子分离的作用，这是高度无定形的。X射线散射表明，DDB掺杂剂尽管大小较大，但在掺杂过程中可以部分订购RRA P3HT，并产生与DDB掺杂的RR P3HT相似的掺杂聚合物晶体结构。交替场（AC）霍尔测量值还确认了类似的孔迁移率。我们还表明，大型DDB掺杂剂的使用成功降低了无定形聚合物区域的极性和柜台的库仑结合，从而在RRA P3HT膜上呈77％的掺杂效率。DDB掺杂剂能够生产具有4.92 s/cm电导率的RRA P3HT膜，该值比3,5,6-Tetrafluoro-7,7,7,8,8-8,8-四乙酸氨基甲烷（F 4 TCNQ）（F 4 TCNQ），传统的载量约为200倍。这些结果表明，在共轭聚合物的无定形和半晶体区域量身定制掺杂剂，是增加可实现的聚合物电导率的有效策略，尤其是在具有随机区域化学的低成本聚合物中。结果还强调了掺杂剂的大小和形状对于产生能够在较少有序的材料中电导的库仑未结合的移动极性的重要性。
1 SN掺杂SB2SE3 ...
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2024-rf0kh-v2 orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0002-7542-1147不受chemrxiv的内容而不是同行评审的内容。许可证：CC由4.0
在空间选择性p型掺杂掺杂，用于通过低能量氮离子植入
摘要在二维（2D）半导体制造过程中，侧向P-N连接的构建非常重要，而且具有挑战性。先前的研究表明，垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是，界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中，我们开发了一种低能离子植入系统，将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度，这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此，我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2，并成功实现了WS 2的精确调节，其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外，通过将其扩展到其他2D半导体（包括WSE 2，SNS 2和MOS 2）来证明该方法的普遍性。基于这种方法，横向WS 2 p-n同型被制造出来，具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器，并准备了光伏效应，开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
单线，三重和对密度波的超导性超导性超导性在掺杂三角形的moir´e系统
最近的实验进步已建立了扭曲的双层过渡金属二甲元化（TMD），它是研究多体物理学的高度可调平台。尤其是，据信，位移场下的同型TMD被认为是由具有自旋依赖性跳相θ的广义三角晶格哈伯德模型描述的。为了探索θ对系统的影响，我们对相关的三角晶格T-J模型执行密度矩阵重新归一化组计算。通过在小孔掺杂下更改θ，我们获得了一个准长范围的超导顺序，并在0 <θ<π/ 3中与电荷和自旋密度波共存。 div>超导性由主导的旋转单线d波和亚尺寸三重态P-波配对组成。有趣的是，S z =±1三个三个配对组件具有配对密度波。此外，我们发现了一个三胞胎超导率区域，与π/ 3 <θ<2π/ 3内的电荷密度波和铁磁性共存，该区域通过spin-flip和衡量变换的联合操作在较小的θ下与以前的相位相关。我们的发现为扭曲TMD系统中的外来超导性提供了实验性搜索的见解和方向。
稀有掺杂红外线激光的研究状态
二甲双胍的重点是高度安全性，低副作用和各种作用，除了降低血糖，例如抗炎，抗肿瘤和抗衰老。研究表明，二甲双胍对肠道菌群的组成和功能具有调节作用，而不是作用于肝脏。但是，菌群的组成很复杂，并且在物种和个体之间有所不同，每项研究的实验设计也不同。多个因素是更好地理解二甲双胍对肠道菌群的影响的主要障碍。本文回顾了二甲双胍对肠道菌群的调节作用，例如增加了akkermansia属的丰度，丰富了产生细菌属的短链脂肪酸（SCFA），并调节某些属的基因表达。肠道微生物群是人体中的大型生态系统，被认为是人体的“器官”，这与人类健康和疾病状况高度相关。有很多证据表明肠道菌群是造成二甲双胍广泛影响的原因。但是，关于这种机制的系统研究只有少数系统的研究，而具体机制仍不清楚。本文旨在总结二甲双胍与肠道菌群有关的可能机制。
γ-辐射对S掺杂ZnO膜的结构和电物理特性1
用晶体学方向（001）和晶格参数a = b = 0.3265 nm和c = 0.5212 nm表征了产生的ZnO 膜。Zno 1 - 薄膜表面上的纳米晶状体的特征大小范围从50 nm到200 nm。ZnO 1的晶格参数 - ssх纳米晶体的实验确定为Zno = 0.7598 nm。这项研究阐明了ZnO膜的晶格参数以及ZnO 1的几何尺寸，在胶片表面上在胶片表面上的纳米晶状体的几何尺寸。已经确定ZnO 1的晶体结构 - sх纳米晶体代表一个立方晶格，属于空间群f43m。已经确定，在γ-辐照5·10 6 rad之后，Zno 膜的电阻率降低至ρ=12,7Ω·CM，多数荷载流子（µ）的迁移率为0.18 cm 2 /v·S，而浓度增加了（N）的浓度（N）和相等的2.64•10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM。对γ/n-Si异质结构的当前电压特性的研究在γ摄取之前和之后的剂量为5·10 6 rad的研究表明，电压对电压的依赖性遵守了指数定律，这与discection灭deptection deptetion deptetion deptetion deptetion deptetion deptetion depettion depettion depettion deptetion。确定，在γ-辐照的影响下，剂量为5·10 6 rad，p-zno >/n-Si异质结构在负电压下增加，并且由于单位网络级别的稳定性而在稳定性上观察到固定曲线和峰值的曲线，并且峰值在快速层面上的稳定性上是在稳定性上的。关键字：电影；超声喷雾热解；纳米晶体； γ辐射；晶体学取向；晶格参数；携带者；注射耗尽PAC：78.30.am