EMI 屏蔽效能 (EMI SE) 定义为入射功率 (PI) 与发射功率 (PT) 的对数比,单位为分贝 [S1],用于评估材料屏蔽电磁波的性能。一般而言,EMI SE(单位为 dB)越高,电磁波穿过屏蔽层的效果越差。EMI SE 实验上由散射参数 S 11 和 S 21 得出,这两个参数由矢量网络分析仪 (N5234B, KEYSIGHT) 在 8.2 – 12.4 GHz 频率范围内测得,它们的关系如下 [S2, S3] 所示:
电磁频率扫描方法(EOF)在微波网络分析仪(MNA)的帮助下广泛使用,以将光学转换为电测量[1,2]。在晶状体级别的情况下,光电收集器芯片被视为层叠的电气 - 光电极(E-O-E)链路,该链接包含包括强度调制器(IM)芯片和光电二极管(PD)芯片(PD)芯片的chip,并通过散射参数在参考平面上表征的M1-D2-2-D2-2均匀表征。附录A中显示了详细的传输和散射矩阵。由于测得的结果由IM和PD构成贡献,因此必须通过将整数收发器分解为离散的IM或PD芯片,以与O-E或E-O-O-O-O-O TransDucer Standards相结合,以使IM或PD的个体响应进行隔离。
在本报告中,我们记录了 WR15 矩形波导标准的模型和尺寸可追溯性,用于使用矢量网络分析仪执行 50 GHz 至 75 GHz 的多线直通反射线校准。我们确定了传输线标准模型中使用的方程,并提出了一种使用闭式解确定波导金属电导率的方法,该解将其与传播常数相关联。接下来,我们详细介绍了 WR15 传输线标准的可追溯尺寸测量和相关不确定性。最后,我们描述了如何使用我们的软件 NIST 微波不确定性框架来实现校准标准的物理模型,并将这些系统不确定性传播到被测设备的校准散射参数。我们提供了一个测量示例以供说明。
本研究提出了一种通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟评估振荡条件的新方法,并基于使用TCAD仿真结果计算的信号流图模型和散射参数(S-参数)。使用所提出的方法研究了短路时,碳化硅(SIC)金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化型晶体管效应晶体管(MOSFET)。使用该技术计算电路的振荡条件,并与TCAD瞬态模拟计算的振荡条件进行了比较。这些方法之间的栅极电阻抑制振荡。此外,该方法还应用于估计由相反连接的SIC MOSFET组成的电路的稳定性。考虑了两种振荡模式。我们证明,可以使用简单的计算来计算抑制寄生振荡所需的电路参数。
本文介绍了用于微波矢量网络分析仪校准的 3D 打印主要标准的设计、制造和测试。这些标准是一条短路和四分之一波长的线路,设计用于直通反射线校准技术。这些标准采用金属管矩形波导实现,覆盖频率范围从 12 GHz 到 18 GHz(即 Ku 波段)。这些标准是基于聚合物的 3D 打印,随后进行金属镀层以提供所需的电导率。这些标准的性能与英国主要国家微波散射参数测量系统中使用的传统加工标准进行了比较。作者认为,这是首次使用 3D 打印技术来制作此类校准标准,并且这可能带来一种为此类测量提供计量可追溯性的新方法。版权所有 © 2020 年,由 Elsevier Ltd. 出版。保留所有权利。
摘要 — 在 SiC 晶片上设计、制造和测量了不同几何形状的基片集成波导 (SIW),以及基于 SIW 的谐振器、基于 SIW 的滤波器、接地共面波导 (GCPW)、GCPW-SIW 过渡和校准结构。使用两层校准从 GCPW 探测的散射参数中提取固有 SIW 特性。由此产生的 D 波段 (110-170 GHz) SIW 表现出创纪录的低插入损耗 0.22 ± 0.04 dB/mm,比 GCPW 好四倍。3 极滤波器在 135 GHz 时表现出 1.0 dB 的插入损耗和 25 dB 的回波损耗,这代表了 SiC SIW 滤波器的最新水平,并且比 Si 片上滤波器好几个数量级。这些结果显示了 SIW 有望在同一 SiC 芯片上集成 HEMT、滤波器、天线和其他电路元件。关键词 — 腔体谐振器、微波滤波器、毫米波集成电路、半导体波导
固溶体合金的声子散射是降低晶格热导率的一种已证实的机制。Klemens 分析模型既可以作为工程材料的预测工具,特别是在热电领域,也可以作为快速发展的复杂和缺陷材料热传输理论的基准。本评论/综述概述了用于预测由于合金散射引起的热导率降低的简单算法,以避免常见的误解,这些误解会导致对质量涨落散射的大幅高估。Klemens 空位散射模型预测的散射参数比通常假设的要大近 10 倍,但由于误差抵消,这种巨大的影响常常无法检测到。Klemens 描述可推广用于对具有缺陷的复合材料的从头算计算。解析近似与实验和理论的接近性揭示了从复杂性中出现的简单现象和降低热导率的未知机会。
在本文中,我们提出了一种称为自旋扭矩二极管(STD)的纳米级旋转射频(RF)检测器的电气模型。提出了一种用于模型参数提取的完整方法。得出了与STD的等效电路,并将设备电阻非线性的建模与自旋扭转二极管效应一起。提出了一种详细的逐步方法,以使用常规的直流测量,RF散射参数(S-Parameter),连续波和功率表征提取模型参数。参数提取后,与单个STD的测量结果进行了比较,成功验证了模型。最后,提出的STD电气模型用于预测基于2-STD的RF检测器体系结构的行为。仿真结果突出了提出的建模方法的兴趣,以研究合适的RF检测器体系结构,以提高单个或多体RF检测的RF-DC转换效率。
摘要Apollo Lunar地震数据中看到的强烈地震散射是最具特征的特征之一,这使地震信号与在地球上观察到的信号大不相同。散射被认为归因于地下异质性。虽然月球的异质结构反映了过去的地质活动和进化过程,但详细的描述仍然是一个悬而未决的问题。在这里,我们提出了通过完整的3D地震波传播模拟得出的上月壳中的地下异质性的新模型。我们的模拟成功地重现了阿波罗地震观测,从而导致了月球散射特性的重大更新。结果表明,月球的散射强度比地球上异质区域的散射强度高约10倍。量化的散射参数可能会使我们对月球的表面演化过程有限制,并使比较研究能够回答一个基本问题,即为什么地震特征在各种行星体上有所不同。
已经提出了几种解决这个问题的方案。例如使用普朗克光谱 [ 1 , 2 ]、已知微波元件的散粒噪声 [ 3 ] 或与参考传输线相比的被测设备的散射参数 [ 4 – 6 ]。这些方法可能需要单独冷却或多次切换的低温标准,这会增加测量时间和不确定性,因为在重新组装微波线时参数不可避免地会发生变化。在使用超导量子比特或谐振器的实验中,通常使用电路特有的一些物理效应进行校准。例如,光子数已经通过交叉克尔效应 [ 7 ] 或通过量子比特腔系统的斯塔克位移进行了精确校准 [ 8 , 9 ]。后者已扩展到多级量子系统(qudits),以从更高级别的 AC 斯塔克位移中推断出未知信号频率和幅度 [10]。另一种方法是使用相位量子位作为采样示波器,通过测量通量偏差随时间的变化情况 [11]。其他方法适用于校正脉冲缺陷 [12,13]。最近一个有趣的提议是使用