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World File Search System散热器
CS18N20 A4RZ-G 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
热电厂先进的废热回收技术……
为了满足 NASA 深空探索任务对长寿命和高能量/功率密度的要求，自 1960 年代以来，Pu-238 就被确定为 GPHS 模块最合适的放射性同位素燃料之一。目前，Pu-238 的供应极其有限。有限的供应表明，有效利用 GPHS 产生的热量对于 NASA 的太空应用非常重要和关键。然而，最广泛使用的放射性同位素热电发电机的效率仅为 6-8% 左右，这意味着大量的能量通过金属散热片等散热器以废热的形式耗散。在深空，极冷的宇宙 (3 K) 提供了一个强大的散热器。即使对于温度低于 373 K 的热源，相应的卡诺效率也可以超过 99%。在本文中，我们展示了使用热辐射电池将热量转化为电能的概念验证演示，这是 2015 年构思的一种新技术概念。实验还首次证明了热辐射电池和光伏电池之间的反向 IV 特性。热辐射电池的预测效率在峰值功率输出时明显高于热电电池，在降低功率输出时甚至可能更高。将热辐射电池与放射性同位素加热装置（高品位热量）或放射性同位素动力系统 (RPS) 散热器（低品位废热）集成在一起，可以提供一种新方法，以显著提高 Pu-238 或其他放射性同位素燃料的能源效率。
CS6N80 A4R-G硅N通道功率MOSFET
散热器。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS80N08 A4 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS100N08 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS120N08 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS25N50 ANR 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
利用封存的二氧化碳作为地热工作流体来发电和储存能量
在本文中，我们描述了一种新型 CPGES，称为地球电池扩展 II (EBE II)，它使用大型表面储罐或气量计在接近大气压的条件下储存二氧化碳。这使得电池放电阶段最多可产生 260 MW e 的电力，而单靠 CPG 只能产生 2.5 MW e。此外，新的 CPGES 系统可以配置为生产可在接近大气压下升华的固体 CO2（干冰），提供 -78 °C 的散热器，可用于一般冷却目的，特别是用于从空气中低温捕获二氧化碳。反过来，这种二氧化碳可用于开发更多这样的 CPGES 系统。如果不需要散热器，可以通过增加（额外）级来优化涡轮机，从而增加电力输出而不会形成干冰。
非常热的传热和压力损失特性...
nipponsteel.com › 报告 › pdf PDF 1997年9月15日 — 1997年9月15日 对于保持可靠性、长寿命和... 空气至关重要。数字微压计。柔性管道。录音机。鼓风机交流电机。散热器。计算机。7 页