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World File Search System散热器
行业发展：- 多功能实验室风洞
CLWT-115 TM 风洞的精确控制和温度范围使其可用于测试散热器性能以及校准空气和温度传感器。完整的风洞适合大多数实验台，并由标准交流电源插座供电。它比传统的闭环风洞或环境测试室占地面积小。可以从顶门或侧面进入风洞的测试部分，以安装和重新定位电路板、组件和传感器。内部导轨提供了一种简单的机制来安装不同尺寸的测试样本（例如 PCB、散热器）。测试部分的侧壁上提供仪器端口，用于放置温度和速度传感器，例如热电偶、皮托管和热线风速计。
20101208 EHPA通用热泵位置
热泵将可再生能源从空气，地面和水转化为有用的热量。他们还利用工业过程中的废物能量和来自家庭的排气空气。热泵系统由热源，热泵单元和分配系统组成，以加热/冷却建筑物。转移流体将热量从低能源传递到更高的能量水槽。辅助能量（通常是电或气体）。可以切换此周期的方向，因此可以将同一机器用于加热和冷却，从而在需要两种服务的情况下具有额外的经济优势。在加热模式下，环境能量是热源，建筑物是散热器。在冷却模式下，cylce被逆转：建筑物用外部作为散热器冷却（见图1）。
无线电控制的个别房间控制-Eberle
热或电热门单个房间控制一直是新建筑物的最新技术。在许多现有建筑物中，需要越来越需要改造这种增强舒适的设备和节能设备。散热器可以用散热器恒温器便宜地翻新。在相应的房间中没有控制设备的地板上加热系统的改造仍然是有问题的。这些房间单元仍由中央供暖电路分配器中的手动调节器调节器控制，这些平流设备安装在地板或地下室中。不幸的是，这种类型的控制仅对太阳辐射或其他热源（例如瓷砖炉子）进行有限的描述。在旧建筑物或新装置中改造的创新是放射控制的单个房间
CS25N50F A9R-G 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3.VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4.本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
引用了原始发表的论文（记录的版本）：Amirpour，S.，Orbay，R.，Thiringer，T。等（2024）。高温导电石墨烯
这项研究介绍了一种创新的多学科设计方法，用于高度导电和轻巧的针脚的散热器，利用石墨烯技术的优势。主要目的是优化电动汽车（EV）中基于硅碳化物（SIC）的逆变器的热管理。在模块上，在模块上进行了综合分析，包括扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线光谱（EDS），在模块上进行了全面的分析。采用3D结合传热（CHT）方法的详细流体动力学模型用于评估与冷却液接触的SIC功率开关的热行为。多学科分析最初是在基于铝制的散热器上实施的，经过实验验证，随后与石墨烯进行了比较。与热链设计中的石墨烯的整合表现出显着的改进，包括在6 L/min min流体流量的情况下，传热系数（HTC）增加了24.4％，热电阻（接收到流体）降低了19.6％。因此，与铝制版本相比，基于石墨烯的散热器中的SIC芯片的温度升高11.5％。通过采用石墨烯而不是传统金属实现的SIC逆变器的冷却解决方案的改进，作为概念证明。这表示在性能和功率密度之间的关键平衡方面向前迈出了一步。
CS20N50F A9R 硅 N 沟道功率 MOSFET - prom.st
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS01N100 A4R硅N通道功率MOSFET
散热器。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS5N90 A4RZ-G硅N通道功率MOSFET
散热器。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS100N03 A4-G 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。