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微型 FD-SOI MOSFET 的低温行为
摘要 — 本文介绍了一项关于 28 nm FD-SOI MOSFET 参数提取和分析的分析性实验研究，温度范围从室温到 25 K，栅极长度从微米到纳米。结果表明，FD-SOI 器件随温度变化的行为可以通过深低温条件下已建立的物理理论可靠地描述：玻尔兹曼统计和声子散射机制是决定器件电行为的两个主要因素。此外，我们还展示了 Y 函数作为一种参数提取方法的优势，适用于不同的通道长度和宽的温度范围。我们展示了阈值电压、亚阈值摆幅、低场迁移率和源漏串联电阻对温度的依赖性，以及栅极长度减小如何影响这些特性。
让英国成为清洁能源超级大国
我们承诺投入 10 亿英镑，实现南威尔士的工业脱碳，保护重工业领域的数千个工作岗位，并在 CCS 和绿色氢能领域创造更多工作岗位；作为我们 18 亿英镑港口升级承诺的一部分，投资西北和北威尔士以及凯尔特海的可再生能源集群；通过工党的 25 亿英镑钢铁计划*，保护塔尔伯特港、纽波特和加的夫等地区钢铁行业的数千个工作岗位
疲劳、疲劳裂纹扩展分析...
lished。数据来自已出版文献和航空航天公司提供的未出版报告。疲劳和疲劳裂纹扩展分析仅限于在室温下对空气中的样品进行恒幅载荷或应变循环所获得的信息。断裂韧性数据来自中心裂纹拉伸板、部分穿透裂纹样品和紧凑拉伸样品的测试。使用最小二乘回归方法在统计基础上分析疲劳和疲劳裂纹扩展数据。使用反双曲正切函数将独立变量与因变量关联起来。对于疲劳，使用等效应变参数来解释应力比效应并将其视为独立变量，而将循环疲劳寿命视为因变量。有效应力强度
住房通胀滞后背后的担忧
美国劳工统计局 (BLS) 测量的住房或“住房”成本的近期历史变动可能暴露了政策制定者衡量通胀的指数存在缺陷。如果使用更及时的住房通胀衡量标准，Amherst 认为，近期的货币政策决定在时间和幅度上可能会大不相同。我们的观点是，美联储 (Fed) 在发现持续的高通胀水平方面已经落后，可能仍远远落后于曲线，并且，如果它继续依赖现行统计数据，可能会在未来六个季度内超调。本文介绍了住房滞后的一个众所周知的原因，提出了滞后的潜在额外来源，并说明了两者如何导致货币政策和通胀状态之间的不匹配。
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1“ AR”参考文献涉及行政记录，该记录由包含数千页的十二卷组成。请参阅DKT。nos。66，67，70。
