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World File Search System方块电阻
利用 MXene 吸收器最大限度提高太赫兹能量吸收率
THz波段。具体而言，理想的阻抗匹配情况预测吸收效率的上限为50%，其中吸收体的方块电阻是自由空间阻抗的一半（Zo/2）[2]。此外，实现整个THz波段有效带宽覆盖的一个基本标准是自由电子的弛豫时间小于15fs。尽管如此，有证据表明，基于金属、石墨烯和拓扑绝缘体开发的吸收体通常仅在较窄的THz波段范围内实现高吸收，而不是在整个所需带宽内。因此，当前的研究人员在经典直流阻抗匹配模型的指导下，集中精力筛选广泛的候选材料，以解决THz波段有效吸收较窄这一长期存在的问题。
碳纳米管薄膜焦耳热处理
研究了不同温度下焦耳热对碳纳米管(CNT)薄膜的温度响应和材料变化。结果表明:焦耳热使CNT薄膜升温迅速,最高可达300 o C/s,且稳态温度与功率近似呈线性关系。在长期焦耳加热下,树脂浸渍的CNT薄膜可形成固化良好的CNT复合薄膜。但焦耳加热过程中薄膜温度分布不均匀,且CNT薄膜无法通过简单的压制、拉伸和浸渍等方法改变温度分布。揭示了方块电阻是影响薄膜温度分布的主要因素。此外,250 o C以下焦耳热处理导致CNT薄膜厚度增加10%,电导率降低15%。
氧化石墨烯和聚合物的多能金离子注入
摘要：聚合物的电性能在传感器、储能、微电子和过滤膜等广泛的应用中越来越重要。在本文中，提出了多能金离子注入对氧化石墨烯（GO）、聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）和聚乳酸（PLLA）元素、化学、结构和电性能的影响，以及在 3D 金属-电介质结构合成中的潜在应用。按升序或降序使用三种能量 3.2、1.6、0.8 MeV 的金离子，剂量为 3.75×10 14 cm -2，以升序或降序创建两个样本集，随后通过 RBS、ERDA、EDS 和 AFM 进行分析。RBS 分析用于注入样品中的金深度轮廓表征，轮廓与 SRIM 代码模拟的轮廓相当一致。采用标准两点技术研究了离子辐照所用的参数下的电性能。离子辐照后，方块电阻降低，并且很明显，离子注入能量的上升顺序对电导率的提高的影响比下降顺序更显著。