保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。(未经同行评审证明)是作者/资助者,他已授予Medrxiv的许可证,以永久显示预印本。
作者分支机构:1个国际分枝杆菌学实验室,丹麦哥本哈根Statens Serum Institut; 2英国诺丁汉诺丁汉特伦特大学生物科学系; 3罗斯基尔德大学科学与环境系,丹麦4000 Roskilde; 4丹麦哥本哈根大学公共卫生系全球卫生科。*通信:Xenia Emilie Sinding Iversen,Xesi@ssi。DK关键字:burgundiense sp。nov。;分枝杆菌Holstebronense sp。nov。;分枝杆菌kokjensenii sp。nov。;分枝杆菌Wendilense sp。nov。;非结核分枝杆菌;新物种;分类学描述。†共享的最后作者身份:这些作者对工作也同样贡献。在线补充材料中提供了补充数字和两个补充表。006620©2025作者缩写:ALRT,近似似然比测试; AMR,抗菌素耐药性; ANI,平均核苷酸身份; AST,抗菌敏感性测试; BIC,贝叶斯信息标准; CD,蛋白质编码序列; CLSI,临床和实验室标准研究所; GGD,基因组到基因组距离; HPLC,高性能液相色谱; IRLM,分枝杆菌国际参考实验室;它的内部转录垫片; LJ,Löwenstein -Jensen; LPA,线探测测定; MALDI-TOF,基质辅助激光解吸电离时间; MB7H10,Middlebrook 7H10; MBT,MALDIBIOTYPER®; MGIT,分枝杆菌生长指示灯管; MHB,Mueller – Hinton汤; MIC,最少抑制浓度; MS,质谱; NCBI,国家生物技术信息中心; NTM,无结核分枝杆菌; ONT,牛津纳米孔技术; PGAP,原核基因组注释管道; PPS,病原体概率评分; SSI,Statens Serum Institut;结核病,结核病; TES,N-三三(羟甲基)甲基-2-氨基乙磺酸; WGS,全基因组测序; Zn,Ziehl – Neelsen。
• 零结核病家庭因该疾病而遭受灾难性开支。印度总理纳伦德拉·莫迪在 2018 年 3 月于新德里举行的“终结结核病峰会”上首次阐述了政府“到 2025 年终结结核病”的承诺,并在 2023 年世界结核病日于瓦拉纳西举行的“同一个世界结核病峰会”上重申了这一承诺。在这次峰会上,总理强调需要果断和振兴结核病应对措施。此外,印度还签署了《甘地讷格尔宣言》,该宣言是印度卫生部长和世卫组织东南亚区域办事处 (SEARO) 的联合宣言,于 2023 年 8 月在东南亚区域“维持、加速和创新,到 2030 年消灭结核病”高级别部长级会议上签署。根据印度政府表现出的坚定政治承诺,国家结核病消除计划 (NTEP) 一直在实施国家结核病消除战略计划 (NSP)。2017-2025 年 NSP 在缩小目标与成就之间的差距方面取得了重大进展,印度是首批开发负担估算数学模型的国家之一。印度的做法:国家结核病消除计划 (NTEP) 在 COVID-19 大流行之后,印度通过 NTEP 加大了消除结核病的力度,NTEP 计划与 2017-25 年国家战略计划 (NSP) 相一致。 2023 年的主要成就包括约 1.89 亿次痰涂片检查和 68.3 万次核酸扩增检测,这反映了该计划致力于在所有医疗保健层面扩大诊断机会的承诺。为了应对不断发展的医学见解,国家结核病消除计划 (NTEP) 推出了综合护理方案和分散的结核病服务,其中包括扩大针对耐药结核病 (DR-TB) 患者的短期口服治疗方案。该计划优先考虑减少治疗延误和提高结核病护理质量,特别注重通过差异化护理方法和鼓励早期诊断来解决营养不良、糖尿病、艾滋病毒和药物滥用等共存的健康状况。预防措施仍然是 NTEP 方法的核心重点,因为该计划大大扩大了结核病预防治疗 (TPT) 的可及性。在各州的坚定承诺下,展示了防止结核病在弱势群体中出现的集体决心。这使得接受 TPT(包括短期治疗方案)的受益者总数增加到约 15 万。
理性药物设计的一个主要支柱一直是通过对接进行虚拟筛查(VS),这通常是基于结构的药物设计(SBDD)[1]。在对接中,分子配体通常通过使用生物物理定义的约束或机器学习(ML)方法在蛋白质口袋中构象构象,并且具有相应计算的结合亲和力报告的最佳姿势。典型的VS管道将通过图书馆进行迭代进行对接,通常由数百万到数十亿至数十亿个独特的化学化合物组成,并基于衍生的亲和力对配体进行对配体进行排名 - 然后得分的配体将继续进行下一个药物开发的下一个药物开发,无论是通过计算方法,例如分子动力学(MD)仿真或通过实验性验证或实验性验证[2]。
堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 已被用于低功耗应用。本文介绍了堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流分析模型。分析结果与 TMSG MOSFET 进行了比较,获得了良好的一致性。该器件的亚阈值电流非常低,可以考虑实现 CMOS 反相器。设计了一个 PMOS 晶体管,并将 PMOS 晶体管的驱动电流与 NMOS 器件进行调谐,以获得驱动电流的理想匹配。设计了一个 CMOS 反相器。检查了器件的瞬态和直流行为。计算了 CMOS 反相器的功耗,并将其与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器进行了比较。与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器相比,所提出的器件的功耗降低了 5 倍。这表现出功率耗散的显著改善,这对于制造低功耗的未来一代设备非常有用。
摘要:本文利用ATLAS TCAD器件模拟器从模拟、RF性能的角度探讨了环绕栅极无结渐变通道 (SJLGC) MOSFET 的潜在优势。系统地研究了横向渐变通道对电位、电场、载流子速度、通道能带的影响。本研究主要强调了 SJLGC MOSFET 的优越性能,表现出更高的漏极电流 (ID )、跨导 (gm )、截止频率 (f T )、最大振荡频率 (f max )、临界频率 (f K )。由于通道渐变的影响,SJLGC MOSFET 的漏极电流提高了 10.03%。SJLGC MOSFET 的 f T、f max 和 f K 分别提高了 45%、29% 和 18%,表现出更好的 RF 性能。 SJLGC MOSFET 相对于 SJL MOSFET 的优势进一步得到阐明,其固有电压增益 (gm / g ds ) 提高了 74%,表明其在亚阈值区域具有更好的应用。但在亚阈值区域,SJLGC MOSFET 的跨导产生因子小于 SJL MOSFET。由于较低的栅极间电容 (C GG ) 的影响,SJLGC MOSFET 的固有栅极延迟 (ζ D ) 与 SJL MOSFET 相比较小,表明其数字开关应用更好。模拟结果表明,SJLGC MOSFET 可以成为下一代 RF 电路的有力竞争者,该电路涵盖了 RF 频谱中的广泛工作频率。
进一步扩展工作,以匹配 nMOS 和 pMOS 的阈值电压,从而实现反相电路。阈值电压匹配是通过校准金属功函数和器件沟道长度来匹配阈值电压来实现的。计算了不同栅极长度匹配的阈值电压,其中 nMOS 为 60nm,而 pMOS 为 47nm。nMOS 的功函数值为 4.3eV,pMOS 为 4.461eV。此时的阈值电压几乎
未经同行评审认证)是作者/资助者。保留所有权利。未经许可不得重复使用。此预印本的版权所有者(此版本于 2020 年 7 月 20 日发布。;https://doi.org/10.1101/2020.07.19.211185 doi:bioRxiv preprint
摘要 提出了一种用于纳米线晶体管 DC 和 RF 小信号模拟的数值框架,该框架基于泊松、薛定谔和玻尔兹曼传输方程的自洽解,并且在从弱到强粒子散射的整个范围内都是稳定的。所提出的方法不会因将玻尔兹曼传输方程变换到能量空间而产生缺陷,并且可以处理准弹道情况。这是研究等离子体共振和其他高迁移率现象的关键要求。内部求解器通过先前开发的基于 H 变换的模拟器的结果进行验证,该模拟器适用于具有强散射的传统 N + NN + 硅晶体管。然后,将其结果与基于矩的模型的结果进行比较,结果表明这些结果不能令人满意地描述准弹道传输状态下的电子动力学。此外,发现接触处传输模型的内部边界条件对等离子体共振有显著影响,而基于物理的热浴边界条件强烈抑制了它们。
继续缩小晶体管尺寸的主要障碍是保持具有高掺杂浓度梯度的超浅源/漏 (S/D) 结,这无疑需要先进而复杂的 S/D 和通道工程。无结晶体管配置被发现是一种替代器件结构,其中可以完全消除结和掺杂梯度,从而简化制造工艺。本文进行了工艺模拟,以研究无结配置对双栅极垂直 MOSFET 的模拟和 RF 行为的影响。结果证明,n 沟道无结双栅极垂直 MOSFET (n-JLDGVM) 的性能略优于结双栅极垂直 MOSFET (n-JDGVM)。无结器件表现出更好的模拟行为,因为跨导 (gm) 增加了约 4%。就 RF 行为而言,无结器件的截止频率 (fT) 和增益带宽积 (GBW) 分别比结器件高 3.4% 和 7%。