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无结双栅极模拟和射频行为分析

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无结双栅极模拟和射频行为分析

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继续缩小晶体管尺寸的主要障碍是保持具有高掺杂浓度梯度的超浅源/漏 (S/D) 结，这无疑需要先进而复杂的 S/D 和通道工程。无结晶体管配置被发现是一种替代器件结构，其中可以完全消除结和掺杂梯度，从而简化制造工艺。本文进行了工艺模拟，以研究无结配置对双栅极垂直 MOSFET 的模拟和 RF 行为的影响。结果证明，n 沟道无结双栅极垂直 MOSFET (n-JLDGVM) 的性能略优于结双栅极垂直 MOSFET (n-JDGVM)。无结器件表现出更好的模拟行为，因为跨导 (gm) 增加了约 4%。就 RF 行为而言，无结器件的截止频率 (fT) 和增益带宽积 (GBW) 分别比结器件高 3.4% 和 7%。

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