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World File Search System晶闸管
GeneSiC半导体简介
2011 → R&D100 奖：超高压 SiC 晶闸管 (6.5kV) 2016 → GeneSiC 被《EETimes》评为 30 强功率半导体公司之一 2016 → 《EETimes》将 GeneSiC 的创始人评为“改变电子面貌的 40 位顶尖创新者” 2019 → R&D100 奖：基于 SiC 的单片晶体管整流器半导体开关
莫斯科 - 2022 年关于 Shvetsov-Shilovsky 手稿的权利......
研究课题的相关性 当前，基于“互补金属氧化物半导体”（CMOS）技术的元件库由于其功能性强、速度快、能耗低等特点，在计算技术和控制系统的电子设备中占据主导地位。在现代 CMOS 微电路中，一个特征是闩锁效应或晶闸管效应 (TE)，它在暴露于天然或人工来源的电离辐射时发生。由于制造具有 n 型和 p 型通道的紧密间距 MOSFET 的工艺过程的特殊性，在这些微电路中形成了寄生 pnpn 结构，在正常条件下不会影响产品的性能。当这种寄生pnpn结构受到外界影响而导通时，就会发生晶闸管效应，导致电流消耗不可逆增加，只能通过重置电源才能消除。除了故障之外，大电流的流动还可能导致灾难性的故障（CF）。 TE 的发生水平通常决定了 CMOS 微电路的抗辐射能力。
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 .................................................................................... 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、射频） ........................................................................ 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子学、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子学、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子学、激光二极管 .............................................................................
电子器件与电路（规
了解正反馈和负反馈系统所需的功能。 UNIT I PN 结器件 9 PN 结二极管 – 结构、操作和 VI 特性、扩散和过渡电容 - 削波和钳位电路 - 整流器 – 半波和全波整流器 – 显示设备 - LED、激光二极管、齐纳二极管特性 - 齐纳反向特性 – 齐纳作为稳压器 UNIT II 晶体管和晶闸管 9 BJT、JFET、MOSFET – 结构、操作、特性和偏置 UJT、晶闸管和 IGBT - 结构和特性。 UNIT III 放大器 9 BJT 小信号模型 – CE、CB、CC 放大器分析 – 增益和频率响应 – MOSFET 小信号模型 – CS 和源极跟随器分析 – 增益和频率响应单元 IV 多级放大器和差分放大器 9 BIMOS 级联放大器、差分放大器 – 共模和差模分析 – FET 输入级 – 单调谐放大器 – 增益和频率响应 – 中和方法、功率放大器 – 类型（定性分析）。单元 V 反馈放大器和振荡器 9 负反馈的优点 – 电压/电流、串联、并联反馈 – 正反馈 – 振荡条件、相移 – 维恩电桥、哈特利、考毕兹和晶体振荡器。
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分立半导体。简介 ................................................................................ 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、RF） .............................................................................. 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子、激光二极管 ............................................................................................. TJ 测定 ............................................................................................................. 示例 .............................................................................................................................
80 V -200 V 和 700 V 的 BCD 技术
+ 通过埋入绝缘层实现垂直隔离 相邻器件之间的干扰极低 速度快（适用于二极管和 LIGBT 等双极器件） 面积消耗小 二极管反向恢复速度快 灵活集成各种高压器件（LIGBT、二极管、晶闸管、高压 BJT）。 允许在 IC 中集成多个 HV 开关。 受高压侧或波纹管手柄晶圆操作的影响较小 无闩锁 基板和 BOX 可以形成背场板，从而显着降低 Ron。
