机构名称：
¥ 2.0
+ 通过埋入绝缘层实现垂直隔离 相邻器件之间的干扰极低 速度快（适用于二极管和 LIGBT 等双极器件） 面积消耗小 二极管反向恢复速度快 灵活集成各种高压器件（LIGBT、二极管、晶闸管、高压 BJT）。 允许在 IC 中集成多个 HV 开关。 受高压侧或波纹管手柄晶圆操作的影响较小 无闩锁 基板和 BOX 可以形成背场板，从而显着降低 Ron。
80 V -200 V 和 700 V 的 BCD 技术
主要关键词
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