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b'片上微型超级电容器（MSC）是最有前途的器件之一，可集成到微/纳米级电子设备中以提供足够的峰值功率和能量支持。然而，较低的工作电压和有限的能量密度极大地限制了它们更广泛的实际应用。在此，设计了基于Ti3C2TxMXene作为负极、活性炭作为正极的高压片上MSC，并通过一种新颖的切割喷涂法简单地制造了它。通过解决MXene的过度极化，单个非对称片上MSC可以在中性电解质（PVA / Na2SO4）中提供高达1.6V的电位窗口，并具有7.8 mF cm2的高面积电容（堆栈比电容为36.5 F cm3）和大大提高的能量密度3.5 mWh cm3在功率密度为100 mW cm3时，这远远高于其他片上储能产品。此外，MSC 表现出优异的容量保持率（10,000 次循环后仍保持 91.4%）。更重要的是，MSC 可以轻松扩大为硅晶片上串联和/或并联的高度集成阵列。显然，这项研究为开发用于片上电子产品和便携式设备的高压 MXene 基 MSC 开辟了新途径。'
b'片上微型超级电容器（MSC）是最有前途的器件之一，可集成到微/纳米级电子设备中以提供足够的峰值功率和能量支持。然而，较低的工作电压和有限的能量密度极大地限制了它们更广泛的实际应用。在此，设计了基于Ti3C2TxMXene作为负极、活性炭作为正极的高压片上MSC，并通过一种新颖的切割喷涂法简单地制造了它。通过解决MXene的过度极化，单个非对称片上MSC可以在中性电解质（PVA / Na2SO4）中提供高达1.6V的电位窗口，并具有7.8 mF cm2的高面积电容（堆栈比电容为36.5 F cm3）和大大提高的能量密度3.5 mWh cm3在功率密度为100 mW cm3时，这远远高于其他片上储能产品。此外，MSC 表现出优异的容量保持率（10,000 次循环后仍保持 91.4%）。更重要的是，MSC 可以轻松扩大为硅晶片上串联和/或并联的高度集成阵列。显然，这项研究为开发用于片上电子产品和便携式设备的高压 MXene 基 MSC 开辟了新途径。'
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