ITU至少有30天的实习是强制性的。课程目录描述在IUS:CS303数字设计:关于数字电子构建块的标准入门课程。学生将学习布尔代数的公理,数字系统和表示,逻辑门的功能,编码器,解码器,多路复用器,分流器,加法器,减法器,触发器等。课程包括简单有限状态机的分析和设计。简要研究了不同电路家族的物理实施以及数字记忆的体系结构。学生还将学习使用VHDL在可编程逻辑设备中实现数字电路。EE201模拟电子I:传导。半导体,载体,P型和-Type掺杂,漂移和扩散机制,PN连接的物理结构和行为。理想二极管,实用二极管,电气行为和电流 - 电压曲线。二极管模型。DC分析方法的二极管电路(恒定电压下降模型,带指数模型的固定点迭代)。小信号近似,二极管小信号等效和二极管电路的交流分析,直流电源设计(整流器,用滤波器电容器对拓扑分析)。Zener二极管和调节。身体耐药性和寄生能力。其他二极管类型。双极结构晶体管(BJT),早期现象,BJT操作区域,电气模型(Ebers-Moll)和特征的物理结构和行为。DC偏置和BJT电路的热稳定性。MOSFET,操作区域,特征,重要次要效应(通道长度调制,身体效应)的物理结构和行为。DC偏置和MOSFET电路的热稳定性。切换BJT和MOSFET的应用,这是数字电路中的概念用法。EE202电路II:高阶动态电路的状态和输出方程。状态过渡矩阵和属性。zerostate,零输入和总响应。正弦稳态。在JW-域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。拟态。力量。三相系统。在S域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。阻抗和入学。稳定性和劳斯标准。网络功能和参数。块和信号流程图。bode图。ee221面向对象的编程:数据类型,控制语句,循环,阵列,功能,指针,动态内存,抽象和封装,类,对象,构造函数,构造函数和驱动器,继承和多态性,类,类等级,超级类,超级类,亚类,互动类,界面,界面,界面,界面,虚拟方法,虚拟方法,operator,Operator opertranting,Operator,Operator opertranting。EE301模拟电子II:扩增和增益概念,Desibell概念,电压放大器 /电流放大器 /跨导电电路 /跨逆性电路模型,晶体管在扩增中的概念功能。DC分析晶体管(BJT,MOSFET)电路。BJT和MOSFET的小信号当量和末端电阻。AC分析BJT和MOSFET放大器:基本放大器阶段的增益和输入/输入电阻,分析级联(直接/电容性耦合)放大器。cascode结构,达灵顿结构。差分放大器,差分和共同模式增益,共同模式排斥比。当前来源,负载的电路。操作放大器,理想和实际行为,样品操作机的内部结构。opamp的线性和非线性应用,非理想性对行为的影响。功率放大器。eens221工程学简介:本课程是工程学深度一年级学生的方向课程。它旨在使学生适应更轻松,并告知他们有关电子产品的一般主题以及电信工程,工程道德和质量。各种教职员工向学生们发表演讲。提供了申请的示例,加上工程伦理守则,道德责任,设计中的质量问题和应用程序。ELIT113技术英语:本课程旨在通过使用引起的信息通过阅读和分析技术和学术文本以及学术和技术写作技巧来提高学生的阅读能力。学生不仅了解学术和技术英语的要求,还可以提高他们的其他语言和批判性思维能力。ELIT213学术写作简介:旨在教授组织和关键的课程学生有望通过使用适当的技术语言来广泛描述对象和机制,以对他们所研究的信息进行分类并撰写有关分类的分析组成,以引用他们在整个过程中使用的所有信息。
人们的福祉不能仅仅通过经济增长来实现,社会发展的重要作用在国际发展实践中得到了广泛认可。本课程首先为学生提供了对社会发展以及如何通过学习历史背景和发展理论成为主要发展的理解。其次,我们专注于一些关键概念和实践,包括人类发展,能力方法,参与式方法和社会资本。在课程的后半段,我们学习了与重要发展主题有关的社会发展,即贫困,人力资本,劳动和就业,微财务,社会保护以及人权与人权和人权。有了一些正在进行的开发计划的例子,学生将讨论社会发展在实践领域的重要性和应用,以及我们如何改善发展计划的发展计划。
2月4日 - 05 Sun。- mon。不完整考试06-08 TUE。-THU。注册(在线)08 THU。al-Israa Wal Meraaj(暂定)W01 11太阳。课程的第一天13-14周二。- 星期三。添加/删除(在线)25太阳。老师第25-29天太阳。FP学期2期末考试3月W04 03-07 Sun.- Thu.du学生周4月10日至13日星期三。eid al-fitr(暂定)W10 16 TUE。招聘会5月W14 18 thu ..秋季2024-25时间表公告W15 23 Thu。撤回“ W” W16 30 Thu的最后一天上课的最后一天/ 2023-24计划公告6月2日至15日太阳。- 星期六。期末考试
国际学生可能有额外的英语水平要求。申请人如果不是美国公民、美国永久居民或 ASU 英语国家名单上所列国家的公民,则必须提交测试成绩以证明其英语水平。除理工学院和制造与系统网络学院的学位课程外,富尔顿学院所有学位课程的录取要求如下之一:托福网考 (iBT) 最低分数为 79 分;或雅思 (IELTS) 最低分数为 6.5 分;或培生英语考试 (PTE) 分数为 58 分;或多邻国英语测试 (Duolingo English Test) 分数为 105 分。有关如何满足英语水平要求的更多信息,请访问 https://admission.asu.edu/international/undergrad/english-proficiency 。
推荐读数1。J.D.ryder:网络,线和字段2。J. Millman和C. Halkias:综合电子3。J.D.Ryder:电子基本和应用4。J.肯尼迪:电子通信系统5。J. Millman和A. Grabel:微电子6。B.G. Streetman,S。Banerjee:固态电子设备7。 G.F.诺尔:辐射,检测和测量8。 sedra和Smith:微电子设备9。 taub and Schilling:数字集成电子10。 S.Y. LIAO:微波设备和电路11。 H.J. 帝国:微波原则12。 P. bhattacharyya:半导体光电设备13。 S.M. sze:半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)B.G.Streetman,S。Banerjee:固态电子设备7。G.F.诺尔:辐射,检测和测量8。 sedra和Smith:微电子设备9。 taub and Schilling:数字集成电子10。 S.Y. LIAO:微波设备和电路11。 H.J. 帝国:微波原则12。 P. bhattacharyya:半导体光电设备13。 S.M. sze:半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)G.F.诺尔:辐射,检测和测量8。sedra和Smith:微电子设备9。taub and Schilling:数字集成电子10。S.Y. LIAO:微波设备和电路11。 H.J. 帝国:微波原则12。 P. bhattacharyya:半导体光电设备13。 S.M. sze:半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)S.Y.LIAO:微波设备和电路11。H.J.帝国:微波原则12。P. bhattacharyya:半导体光电设备13。S.M. sze:半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)S.M.sze:半导体设备的物理学14。Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)
2. 论文/作品名称: 3. 导师姓名: 4. 正式职位及地址: 上述论文/学位论文已进行相似性检测扫描。报告如下: 所用软件 __________________________________ 日期: ______________________
对课程学生的评估是一个持续的过程,基于他们在课堂作业期末考试 (CWS)、期中考试 (MTE) 和期末考试 (ETE) 中的表现。课堂作业期末考试应包括测验、辅导、家庭作业、学期论文、研讨会、突击考试/课堂考试/选择题考试/开卷考试/小组活动等,并可由课程讲师/协调员根据其课程计划在学期期间进行。实验课程将有实践期末考试 (PRS),例如实践、实地工作等,以及实践期末考试 (PRE)。课程协调员应在课程开始时宣布每个部分的分数权重分配。将有一次为期一个半小时的期中考试。期末考试 (ETE) 和实践期末考试的持续时间