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框架为开发和实施 - ...
2.1 VISION...................................................................................................................... 13 2.2 STRATEGIC AREAS OF IAI WORK PLAN IV............................................................. 13 2.3 FOOD AND AGRICULTURE...................................................................................... 16 2.4 TRADE促进..................................................................................................................... ACTIONS............................................................................................... 34
开发 - 框架为局部经济障碍 - ...
2.4我们没有对每份报告的全部范围及其发现进行更彻底的审查，除了与机场如何与当地经济互动的整体方法以及可用于基准影响影响的数据的整体方法有关。我们专注于自2010年以来机场和研究的当地经济影响领域的最新工作。我们的评论专注于英国机场，但我们还考虑了欧洲和其他地方的证据。在有多项有关机场的研究中，我们仅专注于每个机场的最新研究。总共审查了48项研究，主要与各个机场有关，以及机场委员会为英国政府航空政策提供了信息。我们将研究分为类别：
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)
对医疗人工智能的期望和态度
为大数据健康研究设计一个道德框架，为中风医学的数据驱动预测模型制定道德指南，这些指南以规范考虑为基础，以现有的道德框架为基础，并考虑潜在用户、受益者和开发者的生活经验、态度、价值观和期望。
亚马逊供应链标准手册
我们的承诺和方法以联合国和国际劳工组织制定的主要国际标准和框架为基础。亚马逊致力于尊重和支持联合国《工商企业与人权指导原则》、《联合国世界人权宣言》、国际劳工组织《核心公约》和国际劳工组织《工作基本原则和权利宣言》。这些标准源自上述国际公认的规范、框架和原则。在解释这些标准时，我们遵循联合国和国际劳工组织的指导材料和定义。
迫切需要稳定全球地球供应链
更强。一起。联合国全球大地测量卓越中心（UN-GGCE）的愿景是一个未来，所有国家都对地理位置都有强大的政治支持，使他们能够共同实施69/266的大会决议69/266，“全球地球测量框架为可持续发展构架框架，以实现可持续发展的框架”，并加快可持续发展的发展目标，以获得可持续的发展目标，以实现社会和经济的实现。