我们提供了一个超导量子设备设计的开源数据库,可用作定制设备的起点。每个设计都可以使用开源 Qiskit Metal 包以编程方式生成,并使用有限元电磁求解器进行模拟。我们提出了一种强大的工作流程,可在设计模拟中实现高精度。数据库中的许多设计都经过实验验证,显示出模拟参数和测量参数之间的高度一致性。我们的数据库包括一个前端界面,允许用户根据所需的电路参数生成“最佳猜测”设计。该项目为寻求制造新一类设备的研究小组提供了一个特性明确的起点,以便他们改进设计,从而降低了他们的进入门槛。超导量子比特是一个领先的量子信息技术平台。可扩展量子比特制造需要精确控制最常用于预测设备行为的哈密顿参数,例如量子比特非谐性和量子比特谐振器耦合。这反过来又需要精确定位经典电路参数(电感和电容)。这些很难解决,因为通常没有好的分析公式(甚至是近似公式)来根据设计几何预测电路参数。相反,研究人员必须根据其设计的独特边界条件对麦克斯韦方程进行数值求解。电磁场的有限元模拟可以提供相当准确的预测
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管(AES-TFET)的二维分析模型,以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布,电场变化和带对频带隧道(BTBT)速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展(不同的2 nm至6 nm),以结合角效应,从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT,并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器(Silvaco TCAD)已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是,我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管(AES-TFET)的二维分析模型,以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布,电场变化和带对频带隧道(BTBT)速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展(不同的2 nm至6 nm),以结合角效应,从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT,并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器(Silvaco TCAD)已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是,我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·BTBT·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现,晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测,微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管(MOSFET)的极限[1]。在这方面,过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应(SCE),排水诱导的屏障降低(DIBL)[2]。 ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com短通道效应(SCE),排水诱导的屏障降低(DIBL)[2]。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com为了克服这些问题,在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是,在目前的情况下,在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆(SS)是研究人员的主要缺点。
开发智能神经形态解决方案仍然是一项具有挑战性的任务。它需要对硬件的基本构建块有扎实的概念理解。除此之外,易于访问且用户友好的原型设计对于加快设计流程至关重要。我们基于神经网络模拟器 Brian 开发了一个开源 Loihi 模拟器,可以轻松将其纳入现有的模拟工作流程。我们在软件中演示了单个神经元和循环连接的脉冲神经网络的无错误 Loihi 模拟。我们还审查并实施了片上学习,由于随机舍入,存在合理的差异。这项工作提供了 Loihi 计算单元的连贯介绍,并介绍了一个新的、易于使用的 Loihi 原型设计包,旨在帮助简化新算法的概念化和部署。
根据本协议,NASA ARC量子量子人工智能实验室(Quail)团队将开发噪声模型,校准,调整和缓解错误技术,以及用于Google量子硬件经历的现实噪声的仿真方法。噪声建模包括但不限于1/f噪声,泄漏,交叉说话和折叠性。这些噪声模型通常与Google有关其当前和未来的Google硬件和架构(包括表面代码架构)的量子门和结构化量子电路有关。工作包括分析和数值研究。模拟工作旨在帮助加深对硬件面临的噪声的了解,使更快,更有效的校准,调整和减轻错误,并通常提高性能。Google将与NASA紧密合作,指导研究并验证由NASA ARC Quail团队探索,分析和开发的方法。
《模拟电路与信号处理》丛书,前身为《Kluwer 国际工程与计算机科学丛书》,是一套高水准的学术专业丛书,出版有关模拟集成电路和信号处理电路与系统的设计和应用的研究成果。通常每年我们会出版 5-15 本研究专著、专业书籍、手册和编辑本段,分发给世界各地的工程师、研究人员、教育工作者和图书馆。该丛书促进并加快了模拟领域新研究成果和教程观点的传播。全球范围内,该领域开展着大量令人兴奋的研究活动。研究人员正努力通过改进模拟功能来弥合传统模拟工作与超大规模集成 (VLSI) 技术的最新进展之间的差距。模拟 VLSI 已被公认为未来信息处理的主要技术。模拟工作正在显示出巨大变化的迹象,重点是结合设备/电路/技术问题的跨学科研究工作。因此,新的设计概念、策略和设计工具正在被揭示。感兴趣的主题包括:模拟接口电路和系统;数据转换器;有源 RC、开关电容和连续时间集成滤波器;混合模拟/数字 VLSI;仿真和建模、混合模式仿真;模拟非线性和计算电路和信号处理;模拟神经网络/人工智能;电流模式信号处理;计算机辅助设计 (CAD) 工具;新兴技术中的模拟设计 (可扩展 CMOS、BiCMOS、GaAs、异质结和浮栅技术等);模拟测试设计;集成传感器和执行器;模拟设计自动化/基于知识的系统;模拟 VLSI 单元库;模拟产品开发;射频前端、无线通信和微波电路;模拟行为建模、模拟 HDL。
开发智能神经形态解决方案仍然是一项艰巨的任务。它需要对硬件的基本构建块有扎实的概念理解。除此之外,易于访问且用户友好的原型设计对于加快设计流程至关重要。我们基于神经网络模拟器 Brian 开发了一个开源 Loihi 模拟器,可以轻松将其纳入现有的模拟工作流程。我们在软件中演示了单个神经元和循环连接的脉冲神经网络的无错误 Loihi 模拟。我们还审查并实施了片上学习,由于随机舍入,存在合理的差异。这项工作提供了 Loihi 计算单元的连贯介绍,并介绍了一个新的、易于使用的 Loihi 原型设计包,旨在帮助简化新算法的概念化和部署。
为开发能够加速模拟和计算应用的新型先进内存技术,支持国家核储备管理任务,桑迪亚国家实验室与洛斯阿拉莫斯国家实验室和劳伦斯利弗莫尔国家实验室合作,宣布将一项研发合同授予英特尔公司全资子公司英特尔联邦有限责任公司。该项目由美国国家核安全局的先进模拟和计算项目赞助,这三个国家实验室将与英特尔联邦合作开展该项目。项目主管 Thuc Hoang 说:“ASC 的先进内存技术研究项目正在开发一些技术,这些技术将影响未来用于复杂建模和模拟工作负载的计算机系统架构。我们选定的几种技术有可能将应用性能提高 40 倍以上,超过我们即将推出的 NNSA 百亿亿次级系统的性能。”
摘要:在本文中,提出了一种详细的三维,瞬态,有限的元素方法链接链接nh000 gg 100 a。在名义(100 a)和自定义条件(110和120 a)下进行保险丝运行过程中的热性能是进行分析的主要重点。工作涉及保险丝链接(陶瓷体)的外部元素和内部(当前电路)的元素。已经描述了电流的分布及其对操作模式期间保险丝构造部分温度的影响。使用数值模型测量温度分布,功率损耗和能量耗散。为了验证和验证模型,两个独立的科学家团队执行了实验研究,在此期间,在涉及额定电流的设备的不同部分上测量了温度。最后,将两组结果组合在一起,并将其与从仿真测试中获得的结果进行了比较。强调了经验测试结果与模拟工作之间可能的显着相关性。