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World File Search System模拟性能
非对称自共源共栅和分级通道 SOI nMOSFET 中跨电容的模拟性能比较
区域（对应于 MS 晶体管）电子密度从反转开始并经历耗尽，当它到达轻掺杂区域时，电子密度变为反转。因此，A-SC 上的电子密度行为（从反转到耗尽再回到反转）发生在每个晶体管上，而 GC 发生在整个器件长度上。这解释了 A-SC 器件上的凸起如此突出的原因。
船舶模拟性能测试...
本报告介绍了为模拟船体用钢的全尺寸性能而进行的宽板拉伸试验的结果。首先通过在新开发的宽板试验机上进行的一系列十九项试验，获得了有关宽钢板快速断裂的起始和扩展的信息。试验材料是 3/4 英寸厚的压力容器钢 ASTM A212 级 B。然后将这些信息和开发的技术应用于使用厚度为 1-3/8 英寸的 ABS C 级钢进行的总共十八项试验。所有样品均为 10 英尺宽，其中 3 个样品纵向加固。试验温度范围从 -100°F 到室温环境 +75”F。疲劳裂纹或脆性珠被用作裂纹起始点，并引入了较大的残余应力。