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偏侧空间忽视的同侧知觉缺陷
感知是在大脑中形成图形-地面分割和以物体为中心的表征之后产生的。研究表明，注意力在忽视中起着关键作用，研究表明颞顶交界处受损的患者无法将注意力从同侧空间转移到对侧空间（Friedrich、Egly、Rafal & Beck，1998；Posner、Walker、Friedrich & Rafal，1984），即使对于出现在同侧半视野内的目标也是如此（Ladavas，1990；Ladavas、Del Pesce & Provinciali，1989）。与对侧注意力受损相比，对同侧空间的注意力实际上可能会增强（D'Erme、Robertson、Bartolomeo、Daniele & Gainotti，1992；Ladavas，1990；Ladavas、Petronio & Umilta，1990）。这可能是由于右半球受损后优势左半球的抑制作用减弱所致（Cohen、Romero、Servan-Schreiber & Farah，1994；Kinsbourne，1977、1993）。使用经颅磁刺激 (TMS) 暂时扰乱右顶叶皮质处理的研究也为这种半球竞争解释忽视提供了证据（Blankenburg et al.，2008；Seyal、Ro & Rafal，1995；Szczepanski & Kastner，2013）。或者，如果右半球负责注意空间的两个半部，而左半球只负责注意空间的右侧，那么右半球损伤更有可能导致忽视（Heilman & Valenstein，1979；Heilman & Van Den Abell，1979，1980）。此外，右半球损伤后，同侧半球也可能出现注意力缺陷（Vuilleumier & Rafal，2000），忽视还可能出现时间注意力缺陷（Husain、Shapiro、Martin & Kennard，1997）。这些关于忽视的半球不对称解释表明，感知处理可能在大脑损伤同一侧（同侧）的视觉空间中受到影响，这与该领域的普遍观点（同侧空间不受影响）相反。为了验证这一想法，在本研究中，我们使用元对比掩蔽范式评估了忽视患者对侧和同侧空间的空间和时间处理差异，其中短暂呈现的目标刺激在元对比掩蔽之前以不同的延迟呈现。在神经健康的受试者中，当目标刺激在周围元对比掩蔽之前约 30 毫秒的相同位置呈现时，目标刺激经常被错过，并且只感知到元对比掩蔽（Breitmeyer，1984；Breitmeyer & Ogmen，2000；Ogmen，Breitmeyer，& Melvin，2003）。有人假设这种掩蔽是由于视觉皮层中掩蔽的反馈处理中断了目标刺激的前馈处理（Enns，2004；Ro，Breitmeyer，Burton，Singhal，& Lane，2003）。重要的是，研究之前已经表明，正常受试者的元对比掩蔽的幅度和持续时间受到内源性注意力的影响（Boyer & Ro，2007；Ramachandran & Cobb，1995）。通过操纵这些目标和掩蔽刺激在空间中的位置和时间中呈现，我们评估了忽视如何影响两名忽视患者对侧和同侧半场的元对比掩蔽。为了进行比较，我们还在一组神经健康、年龄匹配的受试者中使用相同的范例测量了元对比掩蔽的空间和时间范围
正能量区的本地生产和存储
响应正能量区过渡，本文提出了一种能源工具，用于建模配备了能源生产系统和分配存储的建筑物之间的能源共享配置。该模型是针对城市规划师和能源决策者的目标，并深入了解建筑物在该地区建立虚拟或物理同类产品时，在该地区建立虚拟或物理的同类产品时，在促进零净能量平衡方面的作用。真正的城市地区被视为案例研究，并且能够针对正确定义的关键绩效指标来衡量能量性能。结果确认了建筑物之间能源共享在实现自我舒适和碳中性地区的战略作用。尤其是，插入的插入不仅允许该地区更高的自我耐用性（通过促进生产和需求的耦合），而且还可以在建筑物之间的分布率更高。然而，应该适当平衡光伏插入和储藏量，因为已经观察到，在增加生产和存储系统的数量时，分布减少以减少自主权，从而限制了互连的局部分布网格的有用性。
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动作后β同步，由速度效应IHI从同侧到对侧运动皮层
研究文章：新研究| Sensory and Motor Systems Post-Movement Beta Synchronization Induced by Speed Effects IHI from Ipsilateral to Contralateral Motor Cortex https://doi.org/10.1523/ENEURO.0370-24.2025 Received: 26 August 2024 Revised: 3 February 2025 Accepted: 21 February 2025 Copyright © 2025 Zhang et al.这是根据Creative Commons Attribution 4.0国际许可条款分发的开放访问文章，只要将原始工作正确归因于任何媒介，它允许在任何媒介中进行无限制的使用，分发和复制。
IRS21867S 600 V、4 A、高侧和低侧栅极驱动器
描述 IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。低 VCC 操作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600V。