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110学年度学士后中医学系入学招生考试试题标准...
引起抑制所需的浓度仅略高于微管蛋白浓度。在相同浓度和较高浓度下的细胞切拉蛋白B（CB）没有明显的作用。细胞切拉蛋白A还抑制秋水仙碱结合活性，表明它含有小管蛋白分子。结果表明Ca与微管蛋白的硫基团的反应是为了作用。” 从此摘要中解读得知细胞切拉斯蛋白A有抑制微管蛋白自我组合的效果，而细胞切拉斯蛋白a colchicine与粉Tubulin的结合能力，作者只是，“建议”这样的效果可能是因为微管蛋白
中国Hongqiao Group Limited中国宏桥集团有限公司
董事会特此宣布，2025年2月14日，（i）Beihai Xinhe（该公司的间接子公司）与LVXIANG Resources签订了Beihai Asset转移协议，根据Beihai Xinhe，LVXiang Resources应出售，Beihai Resources应收购Beihai Assets Assets Assets Assets Assets Assets； （ii）Zhanhua Huihong（公司的间接子公司）与LVZHI Resources签订了Zhanhua资产转让协议，根据Zhanhua Huihong的出售，Lvzhi Resources应获得，Zhanhua Target Altarg Target Assets； （iii）Weiqiao Aluminum＆Power（公司的间接子公司）签订了与Weiqiao可再生的香港股权转让协议，根据Weiqiao Aluminum＆Power way weiqiao Alluminum＆Power应出售，Weiqiao可再生可再生产应获得，全部股权获得了香港的资源。
用于近眼显示设备光栅中Cr 的ICP 刻蚀工艺研究
周燕萍 ( 通信作者 ), 硕士 , 研究员 , 主要研究方向为半导体材料的刻蚀工艺开发 。E-mail:yanping_zhou@ ulvac. com
量子计算与量子模拟中离子阱结构研究进展 - 物理学报
图 6. 带有集成光学腔的离子阱：（a）因斯布鲁克大学的集成光学腔阱 [ 93 ]。从离子发射的 854nm 光子的 50% 可被腔收集，并转换为 1550nm 的通信波长。（b）萨塞克斯大学的集成光学腔阱。该阱展示了离子和腔模式之间的第一个强耦合。（c）奥胡斯大学的离子阱。腔镜 (CM) 沿轴向，径向泵浦光束用于将离子泵回多普勒冷却循环。这些离子可在 CCD 上成像。压电换能器 (PZT) 用于主动锁定光学腔与 RP 激光器共振。（d）当径向 RP 激光器开启时，大约 100 个离子的整个晶体都是明亮的。 （d）当径向RP关闭时，只有腔内的离子是亮态，腔外的离子处于暗态[144]。
CALB Group Co.，Ltd。中创新航科技集团股份有限公司
提到了2022年9月23日（“招股说明书”）的公司招股说明书（（2022）min min Chu No.7）该公司于2022年8月从福建省高等法院（“福建高级法院”）收到。根据起诉书，当代安培技术公司有限公司（“ CATL”，一家在深圳证券交易所上市的公司，股票代码：300750）提出了有关知识产权的侵权索赔，涉及“包装EV电池的包装组成部分”（PATENT IMBATE）（专利编号：2013200559664.6） （Luoyang）Co.，Ltd。（中航锂电（洛阳）有限公司）（“中国锂电池Luoyang”）和Fuzhou Dynamic Automobile销售服务有限公司（福州动感汽车销售服务有限公司）（独立于公司的汽车卖家）（“案例”）。
气相渗透工艺中的限制步骤 - NSF-PAR
解释无机成分深度分布以了解气相渗透过程中的限速步骤 Shuaib A. Balogun 1、Yi Ren 2、Ryan P. Lively 2 和 Mark D. Losego 1,* 1 佐治亚理工学院材料科学与工程学院，美国佐治亚州亚特兰大 2 佐治亚理工学院化学与生物分子工程学院，美国佐治亚州亚特兰大 *电子邮件：losego@gatech.edu 摘要 气相渗透 (VPI) 是一种聚合后改性技术，它将无机物注入聚合物中以创建具有新性能的有机-无机杂化材料。关于 VPI 工艺背后的化学动力学，我们仍有许多未解之谜。本研究的目的是更好地了解控制三甲基铝 (TMA) 和 TiCl 4 渗透到 PMMA 中形成无机-PMMA 杂化材料的工艺动力学。为了获得深刻见解，本文首先研究了根据最近提出的 VPI 反应扩散模型计算出的无机物时空浓度的预测结果。该模型深入了解了材料从聚合物转变为混合物时产生的 Damköhler 数（反应与扩散速率）和非 Fickian 扩散过程（阻碍）如何影响无机浓度深度剖面随时间的变化。随后，收集了 90 °C 和 135 °C 下 TMA 和 TiCl 4 渗透 PMMA 薄膜的实验性 XPS 深度剖面。将这些深度剖面在不同渗透时间下的功能行为与各种计算预测进行定性比较，并得出关于每个过程机制的结论。对于本文研究的薄膜厚度（200 nm），TMA 渗透到 PMMA 中似乎从低温（90 °C）下的扩散限制过程转变为高温（135 °C）下的反应限制过程。 TMA 似乎可以在几个小时内完全渗透这些 200 nm 的 PMMA 薄膜，但 TiCl 4 渗透到 PMMA 中的速度要慢得多，即使在前体暴露 2 天后也未完全饱和。90 °C 下的渗透速度非常慢，无法得出有关机理的明确结论；然而，在 135 °C 下，TiCl 4 渗透到 PMMA 中显然是一个反应限制过程，TiCl 4 仅需几分钟即可渗透整个厚度（低浓度），但无机负载在 2 天内以均匀的方式持续增加。近表面与反应限制过程预期的均匀负载的偏差也表明 TiCl 4 渗透到 PMMA 中的扩散阻碍很大。这些结果展示了一种新的非原位分析方法，用于研究气相渗透的限速过程机制。
氢化物气相外延生长的 GaN 中铒的能级
掺铒GaN（Er：GaN）由于其优于合成石榴石（如Nd：YAG）的物理特性，是固态高能激光器（HEL）新型增益介质的有希望的候选材料。Er：GaN在1.5μm区域发射，该区域对视网膜是安全的并且在空气中具有高透射率。我们报告了对通过氢化物气相外延（HVPE）技术合成的Er：GaN外延层进行的光致发光（PL）研究。HVPE生长的Er：GaN外延层的室温PL光谱在1.5μm和1.0μm波长区域分别分辨出多达11条和7条发射线，这对应于GaN中Er3+从第一（4I13/2）和第二（4I11/2）激发态到基态（4I15/2）的斯塔克能级之间的4f壳层内跃迁。这些跃迁的观测峰值位置使得我们能够构建 Er:GaN 中的详细能级。结果与基于晶体场分析的计算结果非常吻合。精确确定 4 I 11/2、4 I 13/2 和 4 I 15/5 状态下斯塔克能级的详细能级对于实现基于 Er:GaN 的 HEL 至关重要。© 2020 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。https://doi.org/10.1063/5.0028470
深度光学晶格中的超速偶极气
扩张的超电气体很容易控制的系统，其从根本上通过截距相互作用确定。在具有超重气体的典型实验中，这些作用主要是短侧和各向同性的。近年来已经开始研究新一代的实验，在这种实验中，与长距离相互作用和各向异性二酚二波尔相互作用的其他相互作用起着重要甚至显着的作用。如果偶极气在光学网格中，二旋二波相互作用的古代摄入症引起的效果得到了显着理解。在这项工作中，研究了这种偶性气体系统中的光网格中发生的新现象。
CALB Group Co.，Ltd。中创新航科技集团股份有限公司
在2024年4月，IASB发行了IFRS 18，该IFRS 18对于2027年1月1日或之后的年度报告期有效，并允许提早申请。IFRS 18对财务报表的介绍引入了重大变化，重点是有关利润或损失表中存在的财务绩效的信息，这将影响集团在财务报表中的出现和披露财务绩效的方式。IFRS 18中引入的关键更改与（i）损益表的结构相关，（ii）所需的管理确定的绩效指标所需的披露（这是指替代或非GAAP绩效指标），以及（iii）增强信息的汇总要求和信息的要求。管理层目前正在评估将IFRS 18应用于演示文稿和合并财务报表的披露的影响。
