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诉讼程序 - OSTI.GOV
玻璃上 22 层氧化锆/二氧化硅多层的 2.2MeV RBS。光谱和 DataFurnace 拟合（上图）和计算深度分布（下图：为清晰起见，省略了玻璃基板）。DataFurnace 只需要元素名称：在这种情况下，我们提供分子。氧化锆含有一些 Hf。该多层的典型层厚度为 40nm，精度约为 5%。必须正确包含此多层涂层的能量散乱。
诉讼程序 - OSTI.GOV
玻璃上 22 层氧化锆/二氧化硅多层的 2.2MeV RBS。光谱和 DataFurnace 拟合（上图）和计算的深度分布（下图：为清晰起见，省略了玻璃基板）。DataFurnace 只需要元素名称：在这种情况下，我们提供分子。氧化锆含有一些 Hf。该多层的典型层厚度为 40nm，精度约为 5%。必须正确包含此多层涂层的能量散乱。
论文参考：20106 通过高温脉冲激励测量熔铸 AZS 材料的杨氏模量和阻尼的温度依赖性
脉冲激励技术 (IET) 用于测定含锆石的商用非耐火氧化铝-氧化锆-二氧化硅 (AZS) 材料的杨氏模量和阻尼。杨氏模量的温度依赖性在 900 °C 左右（加热过程中）急剧下降，在 1000 °C 时达到最小值，随后再次增加。随后在 1000 °C 以上急剧增加和冷却过程中的滞后现象表明，这种弹性异常与氧化锆的单斜到四方相变有关。阻尼的温度依赖性在 300-400 °C 范围内显示出明显的阻尼峰，这对氧化锆来说也是典型的，并且在 700-800 °C 以上阻尼急剧增加，这比杨氏模量急剧下降的开始温度低约 100 °C 并且没有表现出任何滞后现象。该高温阻尼峰可能受到少量晶间玻璃相的软化行为的影响。
高能束制备纳米氧化铝-氧化锆基共晶陶瓷的原理、凝固工艺、组织与力学性能
摘要：纳米晶氧化铝-氧化锆基共晶陶瓷是用高能束制备的，由超细、三维缠结的单晶域组成，是一类特殊的共晶氧化物，具有极高的高温力学性能，如强度和韧性以及抗蠕变性。本文旨在全面综述氧化铝-氧化锆基共晶陶瓷的基本原理、先进的凝固工艺、微观结构和力学性能，特别关注纳米晶尺度上的技术现状。首先根据先前报道的模型介绍了耦合共晶生长的一些基本原理，然后简要介绍了凝固技术和从工艺变量控制凝固行为的策略。然后，从不同层次尺度阐明纳米共晶结构的微观结构形成，并详细讨论硬度、弯曲和拉伸强度、断裂韧性和耐磨性等机械性能，以进行比较研究。利用高能束工艺已经生产出具有独特微观结构和成分特征的纳米氧化铝-氧化锆基共晶陶瓷，在许多情况下，与传统共晶陶瓷相比，机械性能有显著改善。
电沉积的羟基磷灰石/氧化石墨烯/氧化锆氧化物复合涂料：表征和抗菌活性
目前的研究旨在通过使用电泳沉积来表征钛底物上羟基磷灰石，锆和氧化石墨烯纳米复合材料。在第一阶段，除了表征创建的复合涂层外，通过使用扫描电子显微镜（SEM）评估了创建涂层的厚度和均匀性。另外，通过元素分析研究了纳米粉末颗粒的分布。在第二阶段，通过使用X射线衍射分析，绘制并研究了涂层中使用的材料的位置。在第三阶段，为了评估在向羟基磷灰石中添加纳米颗粒而导致的涂层腐蚀行为，并将其与非涂层样品进行了比较，对化学偏振形式的电化学分析进行了比较，并与绘制相关图表进行了分析。最后，在第四阶段，进行了涂层上大肠杆菌和葡萄球菌细菌的抗菌测试，并与未涂层的合金样品进行了比较。腐蚀测试结果表明，使用纳米复合涂层会导致表面耐腐蚀性的增加。抗菌测试结果表明，使用纳米复合涂料可有效地降低表面细菌的生长。
一种快速有效的氧化锆珠介导的超声策略，用于DNA碎片，最高10 kbp
材料上的特性。15最近，多层材料在表面工程社区中引起了广泛的关注，复合电极的制造也广泛用于LM电极处理。这还涉及增强电极材料的表面和界面，例如，减少金属颗粒的大小，不合适的多孔或分层结构，并与各种纳米颗粒进行修改或功能化表面（例如，，金属，金属氧化物，碳材料和离子/电子导电聚合物）。16 - 19虽然一项重要的研究集中在界面模式cation在改善金属化lms的能量存储和电性能中的作用，但它在自我修复特性方面已被很大程度上忽略了。由于其出色的电绝缘层和高导热率，可以将金属氧化物连接到聚丙烯LMS的表面上，以通过蒸气沉积形成复合的绝缘培养基。该方法不仅在适度地增加了复合lms的相对介电常数，而且在显着增强了电容器核心的热有效性方面。20,21尽管热量的快速耗散是由于电容器的介电损失或自我修复而产生的，但据信复合LMS可以防止在自我控制点附近介电lm的层间粘附，从而在自我控制过程中发挥隔离功能。22,23
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍