XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System沉管
Ben Shen（沉奔）
ben shen（沉奔）化学和分子医学系自然产品发现中心教授赫伯特·沃特尼姆生物医学创新与技术研究所（Wertheim uf scripps Institute）教授，Skaggs化学与生物科学研究生院，化学与生物科学研究生院，Scripps Research 130 Scripps scripps scripps scripps Way＃3A 1 jup，3A 3A. 3A.34。@ufl.edu＆shenb@scripps.edu网站：https：//scripps.ufl.edu/profile/profile/shen-ben/＆https://npdc.rc.rc.ufl.edu/home教育1982 B.Sc.中国杭州大学化学学院，1984年 化学，中国科学院（CAS），中国，1991 Ph.D.在组织中。 化学/生物化学，俄勒冈州立大学，俄勒冈州科瓦利斯，美国，1991 - 95年，摩尔。 我们的研究集中在静脉细菌中NP生物合成的化学，生物化学和遗传学中心。 我们研究的长期目标是在分子层面了解微生物如何合成复杂的NP并利用这些知识来发现新颖的NP，以影响化学，酶学，生物学和医学。 出版物305出版物，13项发布专利和> 335个邀请在国家和国际机构/会议（http://wwwww.ncbi.nlm.nih.gov/sites/sites/sites/myncbi/myncbi/ben.ssith.1/bibli，1/bibli/42110543/public/publiccubliccultcultcultcultcultcultcultcultcultcultcultcult.dirculticcultcultcultcultcult.dircultcultcultcultcultcult.dircultcultcultcultcult.中国杭州大学化学学院，1984年化学，中国科学院（CAS），中国，1991 Ph.D.在组织中。 化学/生物化学，俄勒冈州立大学，俄勒冈州科瓦利斯，美国，1991 - 95年，摩尔。 我们的研究集中在静脉细菌中NP生物合成的化学，生物化学和遗传学中心。 我们研究的长期目标是在分子层面了解微生物如何合成复杂的NP并利用这些知识来发现新颖的NP，以影响化学，酶学，生物学和医学。 出版物305出版物，13项发布专利和> 335个邀请在国家和国际机构/会议（http://wwwww.ncbi.nlm.nih.gov/sites/sites/sites/myncbi/myncbi/ben.ssith.1/bibli，1/bibli/42110543/public/publiccubliccultcultcultcultcultcultcultcultcultcultcultcult.dirculticcultcultcultcultcult.dircultcultcultcultcultcult.dircultcultcultcultcult.化学，中国科学院（CAS），中国，1991 Ph.D.在组织中。化学/生物化学，俄勒冈州立大学，俄勒冈州科瓦利斯，美国，1991 - 95年，摩尔。我们的研究集中在静脉细菌中NP生物合成的化学，生物化学和遗传学中心。我们研究的长期目标是在分子层面了解微生物如何合成复杂的NP并利用这些知识来发现新颖的NP，以影响化学，酶学，生物学和医学。出版物305出版物，13项发布专利和> 335个邀请在国家和国际机构/会议（http://wwwww.ncbi.nlm.nih.gov/sites/sites/sites/myncbi/myncbi/ben.ssith.1/bibli，1/bibli/42110543/public/publiccubliccultcultcultcultcultcultcultcultcultcultcultcult.dirculticcultcultcultcultcult.dircultcultcultcultcultcult.dircultcultcultcultcult.The Shen lab has been recognized as one of the world leaders in: (i) genome mining of Actinobacteria to identify privileged NP scaffolds and predict NP structural novelty, (ii) genetic manipulation of the most promising biosynthetic gene clusters (BGCs) in native producers or expression of the BGCs in designer hosts to produce and isolate the new NPs for structural and functional characterizations, and (iii) investigation of the biosynthetic machinery of the new NPs to discover novel chemistry and enzymology, (iv) translation of the most promising NPs from our fundamental research as leads for drug discovery and development, focusing mainly on cancers and infectious diseases, and (v) establishment of the Actinobacterial Strain Collection and Genome Database as a community resource to promote NPs training, research, and关联的应用程序。
定向能量沉积在工具钢上增材制造钴基合金
免责声明 本信息是根据美国政府机构资助的工作编写的。美国政府及其任何机构或其任何雇员均不对所披露的任何信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或实用性做任何明示或暗示的保证，也不承担任何法律责任或义务，也不表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定商业产品、流程或服务并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构对其的认可、推荐或支持。本文表达的作者的观点和意见不一定代表或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
交叉肋微通道热沉的评估与优化
摘要：提出一种新型交叉肋条微通道（MC-CR）热沉，使流体自旋转。针对100 w/cm 2 的热测试芯片（TTC），将交叉肋条微通道与矩形（MC-R）和水平肋条微通道（MC-HR）热沉进行了比较。结果表明：采用交叉肋条微通道后，热测试芯片的结温为336.49 K，压降为22 kPa。与矩形和水平肋条热沉相比，交叉肋条微通道的冷却能力分别提高了28.6%和14.3%，但压降增加了10.7倍和5.5倍。然后，研究了不同流速下微通道长宽比（λ）的影响，发现长宽比与冷却性能呈非线性关系。为降低压降，对横肋的倾角（α）和间距（S）进行了优化，当α=30°、S=0.1mm、λ=4时，压降由22kPa降至4.5kPa。另外，在相同压降条件下，分析了矩形、交错翅片（MC-SF）、交错肋片（MC-SR）及横肋微通道的散热性能，MC-CR仍具有优越的散热性能。
采用硼基陶瓷材料的微通道热沉性能比较
摘要：微通道热沉在从不同电子设备的小表面积上去除大量热流方面起着至关重要的作用。近年来，电子设备的快速发展要求这些热沉得到更大程度的改进。在这方面，选择合适的热沉基板材料至关重要。本文采用数值方法比较了三种硼基超高温陶瓷材料（ZrB 2 、TiB 2 和 HfB 2 ）作为微通道热沉基板材料的效果。利用有限体积法分析了流体流动和传热。结果表明，对于任何材料，在 3.6MWm -2 时热源的最高温度不超过 355K。结果还表明，HfB 2 和 TiB 2 比 ZrB 2 更适合用作基板材料。通过在热源处施加 3.6 MWm -2 热通量，在具有基底材料 HfB 2 的散热器中获得的最大表面传热系数为 175.2 KWm -2 K -1。
阿波丸号的沉没与打捞（U） - NSA
-f8t 过去几年来，NSA 在 SAB 2 开展了一项最有趣的活动。根据总统行政命令 12065，一群全职和兼职员工、借调人员和再就业年金领取者一直在审查解密的二战日本和德国信息及其他材料。每条信息在发布前都经过仔细检查。技术数据以及任何可能损害美国及其合作政府利益的信息都会被删除。同时，还保护了可能因信息中某些信息的发布而受到某种伤害的个人。到目前为止，还没有出现重大问题。这在很大程度上要归功于该项目吸引的人才。尤其是再就业年金领取者，他们拥有长期而丰富的信号情报经验，在某些情况下包括二战，对项目来说是一笔无价的财富。 (U) 这些信息经过检查和复核后，就会被发布到国家档案馆，供公众查阅。我们估计，总共将有超过一百万页的二战信息被发布。 (U) 许多历史学家都在密切关注发送到档案馆的材料，因为很可能没有新的二战权威历史可以不参考这些信息而写成。它们的重要性在乔治·马歇尔将军 1944 年写给托马斯·杜威的一封信中得到了最好的总结，他在信中说：“二战期间的行为
定向能量沉积在部件修复中的实验和数值研究
摘要：定向能量沉积 (DED) 已广泛应用于部件修复。在修复过程中，表面缺陷被加工成凹槽或槽口，然后重新填充。凹槽几何形状的侧壁倾斜角已被公认对修复部件的机械性能有相当大的影响。这项工作的目的是通过实验和建模研究修复各种 V 形缺陷的可行性。首先，通过扫描缺陷区域定义修复体积。然后，对修复体积进行切片以生成修复刀具路径。之后，使用 DED 工艺在具有两种不同槽口几何形状的受损板上沉积 Ti6Al4V 粉末。通过微观结构分析和拉伸试验评估修复部件的机械性能。对修复部件的测试表明，在三角形槽口修复中，沉积物和基材之间具有良好的结合。开发了基于顺序耦合热机械场分析的 3D 有限元分析 (FEA) 模型来模拟相应的修复过程。测量了修复样品上基体的热历史，以校准 3D 耦合热机械模型。温度测量结果与预测的温度结果非常吻合。之后，使用经过验证的模型预测零件中的残余应力和变形。预测的变形和应力结果可以指导修复质量的评估。
皮肤钙沉积在原发性家族性脑钙化中
目的：原发性家族性脑钙化（PFBC）是一种罕见的神经变性疾病，其特征是基底神经节中的小血管钙化。pFBC是由不同基因的致病变异引起的，其生理病理学仍然很少知道。皮肤血管钙化，这表明钙沉积可能不限于大脑，但未知这是否是所有PFBC遗传和临床亚型的标志。这项工作旨在评估来自PFBC患者的皮肤活检中钙 - 磷酸盐沉积物的解剖和亚细胞定位，以确定与健康对照组（HC）和帕克森氏病（PD）区分PFBC中组织学钙染色的准确性。方法：来自20个PFBC，7 HC和10个PD受试者的皮肤活检的组织病理学和光学显微镜（3mmø - 5 mm深打孔活检，苏木精 - 曙红和vonkossa染色，免疫 - 过氧化物酶CD31染色）；临床，遗传和放射学评估。结果：与HC和PD受试者不同，大多数PFBC患者（17/20）在基础层中表现出颗粒状的芳香钙磷酸钙 - 基础层含量的固定模式，以及CD31 + CD31 +内皮细胞的细胞质和杂质杂质的cd31 +内皮细胞的细胞质和杂质的杂种和杂种杂种。这种模式与潜在的突变基因或临床状况无关。解释：皮肤活检可能是一种新型的PFBC诊断工具，并且是未来疗法的潜在生物标志物，也是研究PFBC疾病机制的工具。某些患者的不同发现可能是由于皮肤采样变异性和特定PFBC基因变异的生物学后果。
由基于激光的有向能沉积在钣金基板上制造的杂交组件的材料表征
Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，基板
通过化学蒸气沉积在铜上的大面积菱形几层石墨烯的合成
菱形堆叠的几层石墨烯（FLG）显示出奇特的电子特性，这些特性可能导致现象，例如高温超导性和磁性排序。迄今为止，经验研究主要受到厚度超过3层和设备兼容大小的菱形flg的困难限制。在这项工作中，我们证明了菱形石墨烯的合成和转移，厚度高达9层，面积高达〜50 m m 2。通过拉曼光谱法鉴定了菱形FLG的结构域，并在类似条纹的构造中发现与同一晶体内的伯纳尔区域交替。接近局限的纳米成像进一步确定了相应堆叠顺序的结构完整性。组合的光谱和微观分析表明，菱形堆积的形成与基础铜施加块密切相关，并导致沿着优先晶体学方向沿着层间位移而出现。菱形对厚度和大小的生长和转移应促进预测的非常规物理学的观察，并最终增加其技术相关性。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于