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30V、-97A、7.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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80V、164A、3.3mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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30V，-45A，9.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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VGS 扫描范围对短沟道的影响...
随着 CMOS 技术缩放即将达到基本极限，对具有较低工作电压的节能器件的需求巨大。负电容场效应晶体管 (NCFET) 具有放大栅极电压的能力，成为未来先进工艺节点的有希望的候选者。基于铁电 (FE) HfO 2 的材料具有令人印象深刻的可扩展性和与 CMOS 工艺的兼容性，显示出将其集成到 NCFET 中以实现纳米级高性能晶体管的可行性。由于引入了 NC 效应，基于 HfO 2 的 NCFET 中的短沟道效应 (SCE) 与已经经过广泛研究的传统器件不同 [1]。具体而言，漏极诱导势垒降低 (DIBL) 在决定 SCE 的严重程度方面起着关键作用，在 NCFET 中表现出相反的行为。尽管人们已认识到施加电压对 NCFET 性能的影响 [ 2 ]，但栅极电压扫描范围（V GS 范围）对先进短沟道 NC-FinFET 中的 DIBL 的影响仍然缺乏研究。
100V、274A、3.2mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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150V、200A、3.9mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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60V、47A、8.2mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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