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在铁电体Hf0.5Zr0.5O2上插入Al2O3中间层扩大Si沟道FeFET存储窗口
基于AFNIA（HfO 2 ）的硅通道铁电场效应晶体管（HfO 2 Si-FeFET）在非挥发性存储器领域得到了广泛的研究[1-7]，这得益于掺杂HfO 2 中铁电性的发现[8]。文献报道中HfO 2 Si-FeFET的存储窗口（MW）大多在1-2 V左右[9-12]，不能满足其在多位存储单元应用的要求。为了提高MW，当前的措施主要通过降低掺杂HfO 2 铁电体与Si通道之间底部SiO x 夹层的电场，从而抑制掺杂HfO 2 /SiO x 界面处的电荷捕获[13-16]，同时增加SiO x 的数量。最近，有报道称MIFIS结构可以有效提高MW，并使用SiO 2 作为顶部夹层[17-21]。然而，Al 2 O 3 作为顶层尚未见报道。因此，我们报道 Al 2 O 3 层作为顶层中间层，以及 MW 对 Al 2 O 3 厚度的依赖性。
CS18N20 A4RZ-G 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
2N7001K P 沟道增强型 MOSFET
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BL3417-3L P 沟道增强型 MOSFET
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60V、58A、8.3mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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BL20P03-3DL8 P 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是在 1 英寸 2 FR-4 板上贴片测试的，铜厚 2OZ 2. 数据是在脉冲下测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 3. 由设计保证，不受生产影响
BL2301 BL2301-3L P沟道增强模式...
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40V 1.3mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF