XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System沟道
60V 10.0mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米 M IN.姓名 。最大限度。 A 0.70 0.75 0.80 b 0.25 0.30 0.35 c 0.10 0.20 0.25 D 3.00 3.15 3.25 D1 2.95 3.05 3.15 D2 2.39 2.49 2.59 E2 2.3 3.3. .05 3.15 E2 1.70 1.80 1.90 e 0.65 BSC H 0.30 0.40 0.50 L 0.25 0.40 0.50 a --- --- 15°
BL4435-S8 P 沟道增强型 MOSFET
常州银河世纪微电子有限公司（GME）保留对本文中任何产品信息（版权所有）进行更正、修改、改进或其他更改的权利，恕不另行通知。GME 不承担因应用或使用本文所述任何产品而产生的任何责任；也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。
40V 1.3mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF
40V 0.58mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF
BL8810-6L N 沟道增强型 MOSFET
常州银河世纪微电子有限公司（GME）保留对本文中任何产品信息（版权所有）进行更正、修改、改进或其他更改的权利，恕不另行通知。GME 不承担因应用或使用本文所述任何产品而产生的任何责任；也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。
TBL035N04HB N 沟道增强型 MOSFET
注：1. tp=10us，占空比 = 1%。2. 数据通过建议封装上的表面贴装测试获得。3. 数据通过脉冲测试获得，脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。4. E AS 数据显示最大额定值。测试条件为 V DD = 30V，V GS = 10V，L = 1mH，I AS = 35A。5. 理论上数据与 ID 和 I DM 相同，实际应用中应受总功率耗散限制。6. 器件安装在 FR-4 基板 PC 板上，2oz 铜，对底层 1 英寸见方铜板进行热偏置
2D NC-FET 中负电容的短沟道稳健性 Yuh-Chen Lin 1、G. Bruce Rayner 3、Jorge Cardenas 1 和 Aaron D.
5 TS Böscke、J Müller、D Bräuhaus、U Schröder 和 U Böttger，《应用物理快报》99 (10), 102903 (2011)。 6 Uwe Schroeder、S Mueller、Johannes Mueller、Ekatarina Yurchuk、D Martin、Christoph Adelmann、Till Schloesser、Ralf van Bentum 和 Thomas Mikolajick，ECS 固体科学与技术杂志 2 (4)，N69 (2013)。 7 H Alex Hsain、Younghwan Lee、Gregory Parsons 和 Jacob L Jones，《应用物理快报》116 (19)、192901 (2020)。 8 Johannes Muller、Tim S Boscke、Uwe Schroder、Stefan Mueller、Dennis Brauhaus、Ulrich Bottger、Lothar Frey 和 Thomas Mikolajick，《纳米快报》12 (8)，4318 (2012)。9 Yuh-Chen Lin、Felicia McGuire 和 Aaron D Franklin，《真空科学与技术 B 期刊》，《纳米技术和微电子学：材料、加工、测量和现象》36 (1)，011204 (2018)。10 Justin C Wong 和 Sayeef Salahuddin，《IEEE 会议纪要》107 (1)，49 (2018)。 11 C Zacharaki、P Tsipas、S Chaitoglou、EK Evangelou、CM Istrate、L Pintilie 和 A Dimoulas，《应用物理快报》116 (18), 182904 (2020)。 12 Zoran Krivokapic、U Rana、R Galatage、A Razavieh、A Aziz、J Liu、J Shi、HJ Kim、R Sporer 和 C Serrao，在 2017 年 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上发表，2017 年（未发表）。 13 Shen-Yang Lee、Han-Wei Chen、Chiuan-Huei Shen、Po-Yi Kuo、Chun-Chih Chung、Yu-En Huang、Hsin-Yu Chen 和 Tien-Sheng Chao，IEEE 电子器件快报 40 (11), 1708 (2019)。 14 Sujay B Desai、Surabhi R Madhvapathy、Angada B Sachid、Juan Pablo Llinas、Qingxiao Wang、Geun Ho Ahn、Gregory Pitner、Moon J Kim、Jeffrey Bokor 和 Chenming Hu，Science 354 (6308), 99 (2016)。15 Amirhasan Nourbakhsh、Ahmad Zubair、Redwan N Sajjad、Amir Tavakkoli KG、Wei Chen、Shiang Fang、Xi Ling、Jing Kong、Mildred S Dresselhaus 和 Efthimios Kaxiras，Nano letters 16 (12), 7798 (2016)。16 Felicia A McGuire、Zhihui Cheng、Katherine Price 和 Aaron D Franklin，Applied Physics Letters 109 (9), 093101 (2016)。 17 Felicia A McGuire、Yuh-Chen Lin、Katherine Price、G Bruce Rayner、Sourabh Khandelwal、Sayeef Salahuddin 和 Aaron D Franklin，《Nano Letters》17 (8)，4801 (2017)。18 Yuh-Chen Lin、Felicia McGuire、Steven Noyce、Nicholas Williams、Zhihui Cheng、Joseph Andrews 和 Aaron D Franklin，《IEEE 电子设备学会杂志》7，645 (2019)。19 Mengwei Si、Chun-Jung Su、Chunsheng Jiang、Nathan J Conrad、Hong Zhou、Kerry D Maize、Gang Qiu、Chien-Ting Wu、Ali Shakouri 和 Muhammad A Alam，《自然纳米技术》13 (1)，24 (2018)。 20 Amirhasan Nourbakhsh、Ahmad Zubair、Sameer Joglekar、Mildred Dresselhaus 和 Tomás Palacios，纳米尺度 9 (18), 6122 (2017)。 21 Girish Pahwa、Amit Agarwal 和 Yogesh Singh Chauhan，IEEE Transactions on Electron Devices 65 (11), 5130 (2018)。 22 Daewoong Kwon、Korok Chatterjee、Ava J Tan、Ajay K Yadav、Hong Zhou、Angada B Sachid、Roberto Dos Reis、Chenming Hu 和 Sayeef Salahuddin，IEEE 电子设备快报 39 (2)、300 (2017)。 23 Daewoong Kwon、Suraj Cheema、Nirmaan Shanker、Korok Chatterjee、Yu-Hung Liao、Ava J Tan、Chenming Hu 和 Sayeef Salahuddin，IEEE Electron Device Letters 40(6)，993 (2019)。 24 Junichi Hattori、Koichi Fukuda、Tsutomu Ikegami、Hiroyuki Ota、Shinji Migita、Hidehiro Asai 和 Akira Toriumi，《日本应用物理学杂志》57(4S)，04FD07 (2018)。