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30V 3.7mΩ N 沟道功率 MOSFET
尺寸 毫米 最小 正常 最大A 0.500 - 0.600 A1 - - 0.005 A2 - 0.080 0.250 D 1.900 2.000 2.100 E 1.900 2.000 2.100 D1 0.900 1.000 1.100 E1 1.100 1.200 1.300 b 0.250 0.300 0.350 b1 0.300 0.350 0.400 L 0.150 0.200 0.250 L1 0.610 0.660 0.710 L2 0.010 0.050 0.090 e 0.650 BSC f 0.420 REF f1 0.100 REF f2 0.385 参考 f3 0.150 参考 h 0.150 参考
BL014N04T-TL N 沟道增强型 MOSFET
常州银河世纪微电子有限公司（GME）保留对本文中任何产品信息（版权所有）进行更正、修改、改进或其他更改的权利，恕不另行通知。GME 不承担因应用或使用本文所述任何产品而产生的任何责任；也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。
40V 1.3mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e
P 沟道增强型 MOSFET
常州银河世纪微电子有限公司（GME）保留对本文中任何产品信息（版权所有）进行更正、修改、改进或其他更改的权利，恕不另行通知。GME 不承担因应用或使用本文所述任何产品而产生的任何责任；也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。
商用 P 沟道功率 VDMOSFET 作为 X 射线剂量计“2279
1 尼什大学电子工程学院，18000 尼什，塞尔维亚；stefan.ilic@nanosys.ihtm.bg.ac.rs (SDI)；sandra.veljkovic@elfak.rs (SV)；aleksandar.jevtic@elfak.rs (ASJ)；strax.dimitrijevic@elfak.rs (SD) 2 贝尔格莱德大学化学、技术和冶金学院微电子技术中心，11000 贝尔格莱德，塞尔维亚 3 格拉纳达大学电子与计算机技术系，18014 格拉纳达，西班牙；ajpalma@ugr.es 4 “Vinˇca”核科学研究所辐射与环境保护系，11000 贝尔格莱德，塞尔维亚； srbas@vin.bg.ac.rs 5 IHP—Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik，15236 法兰克福，德国；andjelkovic@ihp-microelectronics.com * 通信地址：goran.ristic@elfak.ni.ac.rs † 本文是会议论文的扩展版本：Risti´c, GS；Jevti´c, AS；Ili´c, SD；Dimitrijevi´c, S.；Veljkovi´c, S.；Palma, AJ；Stankovi´c, S.；Andjelkovi´c, MS 无偏商用 p 沟道功率 VDMOSFET 对 X 射线辐射的敏感性。在 IEEE 第 32 届国际微电子会议（MIEL 2021）论文集上，塞尔维亚尼什，202 年 9 月 12-14 日；第 341-344 页。https://doi.org/10.1109/MIEL52794.2021.9569096。
100V 1.3mΩ N 沟道功率 MOSFET
注：1. 尺寸和公差符合 ASME Y14.5M, 1994 标准。2. 所有尺寸以毫米为单位。3. 尺寸不包括毛刺或模具毛边。模具毛边或毛刺不超过 0.150 毫米。
高k电介质材料在短沟道中的性能...
摘要 — 当氧化层变薄，栅极长度变短时，MOSFET 器件中会出现短沟道效应 (SCE)。本研究的目的是寻找一种新的电介质和栅极材料来取代传统的氧化物二氧化硅 (SiO 2 ) 和多晶硅作为栅极材料。本研究的目的是研究使用不同类型的高 k 电介质材料和锗 (Ge) 作为栅极材料的 MOSFET 的性能。使用 Silvaco TCAD 工具制造和模拟 MOSFET 结构。基于电流-电压 (IV) 特性评估 MOSFET 的整体性能。结果表明，用 HfO 2 和 Ge 作为电介质和栅极材料制造的 MOSFET 具有较高的驱动电流，漏电流比传统 MOSFET 降低了 0.55 倍。因此，与 SiO 2 和多晶硅相比，MOSFET 结构中 HfO 2 和 Ge 的组合具有最佳性能，因为它在缩小器件尺寸时产生较小的漏电流和较小的 V th，从而降低 SCE。