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World File Search System波导
与激光写入的金刚石波导耦合的单个硅空位中心的超泊松光统计数据
摘要：在单光子水平上修改光场是即将到来的量子技术面临的一个关键挑战，可以通过集成量子光子学以可扩展的方式实现。激光写入的金刚石光子学提供了与光纤技术相匹配的 3D 制造能力和大模场直径，尽管限制了单发射器级别的协同性。为了实现大的耦合效率，我们将通过高数值孔径光学器件激发单个浅植入硅空位中心与激光写入 II 型波导辅助检测相结合。我们展示了单发射器消光测量，协同率为 0.0050，相对 beta 因子为 13%。共振光子的传输揭示了从准相干场中减去单光子，从而产生超泊松光统计。尽管内在的协同性很低，但我们的架构使光场工程能够在单量子水平上进行集成设计。激光写入结构可以三维制造，并与光纤阵列具有自然连接性。关键词：激光写入、光子工程、集成量子光学、金刚石色心、量子发射器■ 简介
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
弹性光学波导通过挤出打印
光学波导可用于从外部光源到人体内部的光线，用于诸如光动力疗法或光学网络等疗法。[1]在高级波导中，可以将光输送与生物传感函数结合，其中光学/电气单位通过相同的波导在相反的方向上运输并用于诊断。在大多数情况下，此类波导是在批处理过程中制造的，具有顺序层沉积和预先固化/蚀刻步骤，该步骤适用于基于硅的微电子。[2]从制造的角度来看，需要采用连续的，更高的生产方法，以在单个生产过程中迈向额外功能的整合。令人印象深刻的进展，他们生产了多功能光纤[3]，这些光纤融合了光学波导，微流体元素和电极通过热塑料的热绘制。[4]从患者的舒适性角度来看，生物医学波导还需要从二氧化硅和热塑性塑料转移到更合规的材料，以通过匹配目标组织的刚度来提高体内生物相容性。[1,5]要应用于肌肉或心脏等组织中的光遗传激活，光纤需要具有弹性特征并可扩展。有机硅弹性体（例如聚二甲基硅氧烷（PDMS））是有趣的候选者，在低MPA范围内提供刚度值[6]，并将其作为生物兼容型植入物材料提供了证实的记录。[4C][7] PDM的光学特性非常适合波引导：PDMS具有较低的光学损耗系数，从UV到NIR波长（在850 nm时≤0.05dB cm –1）[8]和相对较高的折射率（RI≥1.40）。[8,9]此外，PDMS显示出较高的可扩展性（> 100％）和拉伸强度（> 1 MPa），[10]为体内高运动场景提供合规性和可伸缩性。[4C，11]使用可伸缩的光学设备在高应变下进行光输送和检索的重要性，用于假体中的一系列生物医学scenarios，例如假体中的应变感应[12]，以及对外周神经的光学刺激[11b]和脊髓。
在 Er 中制造的通道波导的特性
摘要：提出并实施了两种在掺铒碲酸盐玻璃中制作通道波导的方法。在第一种方法中，通过特殊的硅掩模将 1.5 MeV 和 3.5 MeV 能量的 N + 离子以不同的通量注入玻璃样品来制作通道波导。以 1.0 × 10 16 离子/cm 2 的通量注入的波导工作波长高达 980 nm，并显示出铒离子的绿色上转换。在第二种方法中，使用 11 MeV C 4+ 离子微束在 Er 3+ ：TeO 2 W 2 O 3 玻璃中直接写入通道波导，通量范围为 1·10 14 –5·10 16 离子/cm 2 。波导在单模状态下工作，最高可达 1540 nm 电信波长。通过逐步热退火，传播损耗从辐射波导时的 14 dB/cm 降低至 λ = 1400 nm 时的 1.5 dB/cm。
二维铂二硒化物波导集成红外光电探测器
摘要：低成本、易于集成的硅 (Si) 光子学光电探测器 (PD) 仍然是光子集成电路 (PIC) 的瓶颈，特别是对于 1.8 μ m 以上的波长。多层铂硒化物 (PtSe 2 ) 是一种半金属二维 (2D) 材料，可以在 450°C 以下合成。我们通过在 Si 波导上保形生长直接集成基于 PtSe 2 的 PD。PD 在 1550 nm 波长下工作，最大响应度为 11 mA/W，响应时间低于 8.4 μ s。1.25 至 28 μ m 波长范围内的傅里叶变换红外光谱表明 PtSe 2 适用于远至红外波长范围的 PD。我们通过直接生长集成的 PtSe 2 PD 优于通过标准 2D 层转移制造的 PtSe 2 PD。红外响应性、化学稳定性、低温下选择性和保形生长以及高载流子迁移率的潜力相结合，使 PtSe 2 成为光电子和 PIC 的有吸引力的 2D 材料。关键词：铂硒化物、光电探测器、硅光子学、二维材料、红外 ■ 简介
使用间隙波导技术实现 140 GHz 微带至波导的转换
2 理论 3 2.1 电磁辐射基础 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . ...
Tower Semiconductor 与 Anello Photonics 宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发新型硅光波导工艺技术
关于 Tower Semiconductor Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ: TSEM, TASE: TSEM) 是领先的高价值模拟半导体解决方案代工厂，为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等不断增长的市场提供集成电路 (IC) 技术和制造平台。Tower Semiconductor 致力于通过长期合作伙伴关系及其先进创新的模拟技术产品对世界产生积极和可持续的影响，包括广泛的可定制工艺平台，如 SiGe、BiCMOS、混合信号 CMOS、RF CMOS、CMOS 图像传感器、非成像传感器、集成电源管理（BCD 和 700V）和 MEMS。Tower Semiconductor 还为 IDM 和无晶圆厂公司提供世界一流的设计支持，以实现快速准确的设计周期以及包括开发、转移和优化在内的工艺转移服务。为了向客户提供多晶圆厂采购和扩展产能，Tower Semiconductor 在以色列设有两家制造工厂（150 毫米和 200 毫米），在意大利设有一家制造工厂（300 毫米），