XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System测量值
通过阻抗测量值对Algan/GAN自切换二极管中陷阱状态的分析
在过去的几年中，基于Algan/GAN异质结构的设备因其物质特性而受到了极大的关注，包括宽带，高电子迁移率和二维电子气体（2DEG）的高密度，使其成为高功率和高频应用的最佳选择之一。然而，在散装或表面上存在几个不同性质的陷阱，阻碍了这些设备的性能，其行为的不良变化并限制了其可靠性[1]。捕获gan设备中的效果是显着的，这是两个有趣的原因。首先，它们可以通过捕获电子来耗尽2DEG，从而减少电流。第二，它们的缓慢性质会导致频率分散，从而限制了它们的动态性。最近，已经使用了多种技术来研究捕获机制的行为[2-4]，这是由阻抗测量组成的最流行方法之一，允许查找电荷陷阱的激活能（E A）。晶体管中的表面和散装陷阱通常与经典的小信号等效电路并行或串联为RC电路建模，从而捕获设备输出阻抗的频率分散体。为了确定陷阱的参数，必须以广泛的温度（首先进行）进行AC表征，因为陷阱机制的影响在降低温度时会增加，其次，因为人们可以观察到电荷释放的热激活。
低频噪声测量值的FET输入电压放大器
低频噪声测量值（LFNM）的仪器是一种用于特征广泛的设备的工具[1]。它应用于许多技术，例如。g。，半导体[2，3]，微电体材料[4-10]，电化学设备[11]，光电探测器[12-18]以及其他材料[19-21]。在这项研究中，广泛使用了一些特殊的放大器（超低噪声放大器 - 尺度）。他们的性能也用于检测技术[22，23]（作为传感器信号调节中的前置放大器）或其他低噪声仪器的表征[24-27]。但是，这种放大器的设计需要对其组件进行噪声分析，并选择被动和主动元素的配置。首先，应做出双极连接晶体管（BJT）和效应晶体管（FET）技术之间的选择。bjts的特征是较低的电压噪声和高基本电流引起的较高电流噪声[26]。在这种情况下，BJT输入电流噪声随着在活动区域中设置晶体管工作点并获得高增益所需的基本电流而增加（电流增益系数也取决于基本电流）。使用这项技术，可以获得放大器输入的较低阻抗。但是，这些放大器需要在AC