摘要:如今,硅片上的电子自旋量子比特似乎是制造未来量子微处理器的一个非常有前途的物理平台。为了打破量子霸权障碍,数千个量子比特应该被封装在一个硅片中。微电子工程师目前正在利用当前的 CMOS 技术将操控和读出电子设备设计为低温集成电路。这些电路中有几个是 RFIC,如 VCO、LNA 和混频器。因此,量子比特 CAD 模型的可用性对于正确设计这些低温 RFIC 起着核心作用。本文报告了一种用于 CAD 应用的基于电路的电子自旋量子比特紧凑模型。本文对所提出的模型进行了描述和测试,并强调和讨论了所面临的局限性。
我们提出了一种基于 Xilinx 16 通道射频片上系统 (RFSoC) 设备的超导量子比特控制和测量装置。建议的装置由四部分组成:多个 RFSoC 板、用于跨多个板同步每个数模转换器 (DAC) 和模数转换器 (ADC) 通道的装置、用于调整量子比特频率的低噪声直流电源以及用于远程执行实验的云访问。我们还设计了没有物理混频器的装置。RFSoC 板使用高达第三奈奎斯特区的十六个 DAC 通道直接生成微波脉冲,这些微波脉冲由第五和第九个区域之间的八个 ADC 通道直接采样。由 AIP Publishing 独家出版。https://doi.org/10.1063/5.0081232
本文介绍了用于开发实用汽车雷达系统的单片 IC 技术,涵盖 HEMT 器件结构、IC 制造工艺、倒装芯片组装和电路设计。具有 0.15 µm 栅极的 InGaP/InGaAs HEMT 用于 W 波段的毫米波单片 IC,在 76 GHz 时提供 9 dB 的最大稳定增益。高度控制倒装芯片键合与柱互连被证明是一种低成本的组装方法。提出了一种用于模拟面朝下的共面波导的去嵌入技术。使用该技术设计了一个芯片组,包括 76 GHz 放大器、76 GHz 混频器、76 GHz SPDT 开关、38/76 GHz 倍频器、38 GHz 压控振荡器和 38 GHz 缓冲放大器。所制造的芯片组在汽车雷达系统中表现出了高性能。
NTT 300 GHz 频段 InP HBT 功率放大器和 InP-CMOS 混合相控阵发射器 Alyosha C. Molnar 康奈尔大学 超越 CMOS 的 N 路径混频器 Pascal Chevalier ST Microelectronics 用于有线、无线和卫星通信应用的 55 纳米柔性 SiGe BiCMOS 技术 Takuya Maeda 东京大学 ScAlN/GaN 电子设备应用特性 Trevor Thornton 亚利桑那州立大学 高功率器件的金刚石-BN 异质结:终极 HEMT ? Jim Sowers Maxar Space Infrastructure 商业通信卫星有效载荷中的 III-V 族半导体 Kenle Chen 中佛罗里达大学 用于下一代无线通信的负载调制平衡放大器 Bernhard Grote NXP 基站 GaN HEMT 和 GaN PA 技术进展 Lan Wei 滑铁卢大学 基于物理的单片 GaN 集成模型系列 Larry Dunleavy Modelithics Inc.,南佛罗里达大学
第一周:RFIC 和通信电子简介,(RF 微电子学书籍和高频集成电路书籍的第 2 章) 第二周:器件建模(MOS 和 BJT RF 器件模型、晶体管操作、晶体管截止频率),(高频集成电路书籍的第 4 章) 第三周:器件建模、无源元件(电感器、电容、电阻性能和 RF 模型,(高频集成电路书籍的第 4 章和 RF 微电子学书籍的第 7 章) 其他一些参考文献: “MOS 晶体管的操作和建模”Yannis Tsividis、Mc-Graw Hill “用于 RFIC 设计的 MOS 晶体管建模”,Enz 等,IEEE Transaction on Solid- State Circuits,第 35 卷,2000 年 第 4 周:匹配网络的阻抗匹配和品质因数, 第五周:放大器的匹配网络、L 匹配、Pi 匹配、分布式放大器、反馈网络第六周 低噪声放大器(LNA)设计,(《射频微电子学》一书的第 5 章和《高频集成电路》一书的第 7 章) 第 7 周:带 CS、CG 级、具有电感衰减的 LNA,(《射频微电子学》一书的第 5 章和《高频集成电路》一书的第 7 章) 第 8 周:电路噪声分析(热噪声/闪烁噪声)噪声系数 第 9 周:线性和非线性(IM3- IM2)1dB 压缩、互调失真、截取点、交叉调制。期中考试 I 第 10 周:混频器和频率转换(混频器噪声)、无源转换、有源转换、I/Q 调制 PPF,(《高频集成电路》一书的第 9 章、《射频微电子学》一书的第 6 章) 第 11 周:不同的发射器/接收器架构。外差、同差、镜像抑制比 第 12 周:VCO 和振荡器:VCO 基础和基本原理、振荡器的反馈视图、交叉耦合振荡器(《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章)。 第 13 周:具有宽调谐范围和变容二极管 Q 值限制的压控振荡器、相位噪声概念和分析、低噪声 VCO 拓扑(《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章) 期中考试 II 第 14 周:用于 SNR、BER、EVM 和不同调制的收发器架构(《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章) 第 15 周:具有不同通信调制/解调的收发器架构和设计示例、注意事项/讲座 29 30 /发射机和接收机的一般考虑
I.1 一些历史介绍 1 I.1.1 谐振接收器、滤波器、相干器和平方律检波器(检波接收器) 1 I.1.2 Audion 的发展 2 I.2 当今概念 4 I.2.1 单次转换超外差 4 I.2.2 多次转换超外差 8 I.2.3 直接混频器 14 I.2.4 数字接收器 17 I.3 全数字无线电接收器的实例 23 I.3.1 数字信号处理功能块 25 I.3.2 作为关键组件的 A/D 转换器 26 I.3.3 转换为零频率 30 I.3.4 准确性和可重复性 33 I.3.5 用于频率调谐的 VFO 34 I.3.6 其他所需硬件 36 I.3.7 通过子采样 37 I.4 便携式宽带无线电接收器的实例 39 I.4.1 宽接收频率范围的模拟射频前端 40 I.4.2 后续数字信号处理 42 I.4.3 解调并测量接收信号电平 43 I.4.4 频率占用的频谱分辨率 45 参考文献 46 延伸阅读 48
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来,GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构,例如 HEMT 和 HJBT。此外,GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能,可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET,它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步,如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化,这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后,还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来,GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外,GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET,它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步,如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化,这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后,还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。
可用套件的部分列表 RAMSEY 发射器套件 • FM25、MP3FM FM 立体声发射器 • AM1 AM 发射器 • TV6 电视发射器 • FM100 专业 FM 立体声发射器 RAMSEY 接收器套件 • FR1 FM 广播接收器 • AR1 航空波段接收器 • SR2 短波接收器 • AA7 有源天线 • SC1 短波转换器 RAMSEY 爱好套件 • SG7 个人测速雷达 • SS70A 语音扰频器 • MX5、MX10 混频器 • MD3 微波运动检测器 • PH10 峰值保持计 • STC1 立体声发射器伴侣 RAMSEY 业余无线电套件 • FX 146 VHF 收发器 • HR 系列 HF 全模式接收器 • QRP 系列 HF CW 发射器 • CW7 CW 键控器 • CPO3 代码练习振荡器 • QRP 功率放大器 RAMSEY 迷你套件 还有许多其他套件可供业余爱好者、学校、童子军和纯粹的娱乐使用。新套件一直在开发中。写信或致电索取我们的免费 Ramsey 目录。 合成 FM 立体声发射机套件使用说明书 Ramsey Electronics 出版物编号 MFM25A Rev 1.4 首次印刷:1996 年 8 月 版权所有 1996 年 Ramsey Electronics, Inc. 793 Canning Parkway, Victor, New York 14564。保留所有权利。未经 Ramsey Electronics, Inc. 书面许可,不得复制或复印本出版物的任何部分。印刷于美国。
QAS:现在可以绕过串扰抑制矩阵来减少延迟 QAS:现在可以使用“信号输出”选项卡中的控件将振荡器直接输出到信号输出 1(正弦)和 2(余弦)上的信号输出上。相对节点已更改 QAS:现在可以在仪器的 Trigger Out 连接器上输出已辨别的量子位状态 QAS:可以在 LabOne UI 中编辑串扰抑制矩阵 QAS:现在可以通过 LabOne UI 中混频器的增益和相位不平衡指定去偏移参数 AWG:添加了 getQAResult 和 waitQAResultTrigger 指令以读取最后一个量子位状态辨别的结果 AWG:提高了编译速度和稳定性 AWG:波形查看器现在支持长达 10 MSa 的波形 AWG:序列器程序内存已限制为缓存内存 LabOne:macOS 支持 LabOne:图可以保存为 PNG 或 JPEG 格式 LabOne:为图、输入字段和设备连接对话框添加上下文菜单 LabOne API:使用 vectorWrite 进行波形更新,被更快、更强大的 setVector 方法取代。波形现在按照序列程序中定义的顺序排序,而不是按字母顺序排序。 LabOne API:波形更新现在使用整数格式。建议使用辅助函数 convert_awg_waveform 和 parse_awg_waveform 转换为新格式。 规格:添加了信号输出相位噪声的性能图