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World File Search System温度特性
基于沟道的FinFET温度特性...
本文介绍了 FinFET 的温度灵敏度以及基于晶体管 Fin 宽度将 FinFET 用作温度纳米传感器的可能性。使用多栅极场效应晶体管 (MuGFET) 仿真工具来检查温度对 FinFET 特性的影响。首先模拟了不同温度和通道 Fin 宽度 (WF = 5、10、20、40 和 80 nm) 下的电流-电压特性，本研究采用了二极管模式连接。在工作电压 V DD 为 0–5 V 时，在最大 ∆I 下，FinFET 具有最佳温度灵敏度。根据结果，温度灵敏度随通道 Fin 宽度 (5-80 nm) 的整个范围线性增加，此外，较低的栅极 Fin 宽度 (WF =5nm) 可以在较低的工作电压 (V DD =1.25 V) 下实现更高的灵敏度。
温度特性近似函数的选择对功率MOSFET热阻测量结果的影响
本文描述了研究结果，说明了确定结温过高的方法和选择用于测量功率 MOS 晶体管热阻过程中的近似测温特性函数对测量结果的影响。研究涉及使用间接电学方法进行的测量。介绍了三种确定晶体管结温过高的方法，分别使用近似测温特性的线性函数和非线性函数。比较了使用每种方法获得的热阻测量结果。还分析了因选择所考虑的方法而导致的测量误差。
新型低边功率开关限流及短路保护技术
表一总结了本设计与其他参考限流和短路保护电路[6][8][9]在采样精度、电流范围、功耗和温度特性方面的电路性能。本设计在高电源电压和宽电流范围、采样精度、电路复杂度、温度相关控制能力和PSRR方面优于其他提出的电路。测量结果验证了本文提出的电路可以提供
MIL-PRF-55310F - DoEEEt
MIL-STD-202-105 - 气压（降低）。MIL-STD-202-106 - 防潮性。MIL-STD-202-107 - 热冲击。MIL-STD-202-109 - 爆炸。MIL-STD-202-112 - 密封。MIL-STD-202-204 - 振动频率。MIL-STD-202-208 - 可焊性。MIL-STD-202-209 - 射线检查。MIL-STD-202-210 - 耐焊接热性。MIL-STD-202-211 - 端子强度。MIL-STD-202-212 - 加速度。MIL-STD-202-213 - 冲击（指定脉冲）。 MIL-STD-202-214 - 随机振动。MIL-STD-202-215 - 耐溶剂性。MIL-STD-202-217 - 粒子撞击噪声检测 (PIND)。MIL-STD-202-304 - 电阻-温度特性。MIL-STD-790 - 电气、电子和光纤零件规格的既定可靠性和高可靠性合格产品清单 (QPL) 系统的标准实践。
最终用途节约形状测量文档：需求灵活性措施的调度计划生成
完美预测方法通过模拟获得年度负荷曲线作为预测负荷，代表完美负荷预测的情景。区间抽样方法 (1) 根据温度特性将日期分为具有代表性的区间，(2) 对每个区间的样本日进行模拟以创建具有代表性（或预测）的负荷，以及 (3) 根据区间分类为一年中的所有日期分配具有代表性的负荷。固定时间表方法为一个季节或一年中的所有日期定义统一的峰值窗口开始和结束时间，假设每日峰值时间固定。基于 OAT 的预测方法使用 OAT 的统计数据（最小值和最大值）作为峰值负荷的指标，并指定建筑负荷对温度的延迟响应时间。固定时间表和基于 OAT 的预测方法
空气电子压力开关 - 气动产品
温度特性 (以+20℃时的特性为标准) ±0.5%F.S. 以内 ±1%F.S. 以内 ±0.5%F.S. 以内 ±1%F.S. 以内 接口尺寸 注1 M5内螺纹+R(PT)1/8外螺纹 材质 外壳：PBT(含玻璃纤维)、LCD显示部：丙烯酸树脂、压力接口：SUS303、安装螺钉部：黄铜(镀镍)、开关部：硅橡胶 连接方式 连接器 电线长度 延长电线时，0.3mm2以上的电缆最长可达100m(CE标志对应时小于30m) 单位切换功能 仅海外支持 (−KA) (MPa、kPa、kgf/cm2、bar、psi、mmHg、inchHg) 重量 产品重量：约40g、含包装重量：130g
考虑中温特性的城市电热综合能源系统分布式储热配置
摘要：分布式热能储能（DTES）为实现城市电热综合能源系统（UEHIES）可持续经济运行提供了特定的机遇，但面向分布式应用的储能模型理论构建和配置方法仍面临挑战。本文分析了DTES内部储热介质与热网传输介质之间的吸放热过程，细化了传热功率与温度特性的关系，建立了考虑介质温度特性的水储热与电加热器相变储热模型。结合热网温度传递时延特性，提出了面向UEHIES的DTES两阶段优化配置模型。结果表明，在配置方法中考虑温度特性能准确反映DTES的性能，提高风电利用率，提高能源设备运行效率，降低系统成本。
双栅极反馈场效应晶体管高温特性分析
摘要 — 在本研究中，我们研究了双栅极反馈场效应晶体管 (FBFET) 器件的温度相关行为，该器件在一定温度范围 (300 K 至 400 K) 内表现出陡峭的开关特性。我们使用技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟分析温度特性。FBFET 是在正反馈回路中工作的半导体器件，其中通道区域中的电子和空穴调节势垒和壁的能量状态。FBFET 表现出出色的亚阈值摆幅和高开/关比，这归因于正反馈现象，从而产生理想的开关特性。在模拟结果中，观察到随着温度的升高，导通电流 (I ON )、关断电流 (I OFF ) 和导通电压 (V ON ) 均增加，而开/关电流比降低。此外，通过调节固定栅极电压可以维持高温下的操作。通过模拟结果，我们定性地研究了 FBFET 中各种器件参数随温度变化的变化，并进行了详细讨论。
基于横向BJT的高阶曲率补偿电压基准
固定的1.2V输出，接近于硅的带隙电压。电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，可以根据应用需要进行调整，这也是电流型BGR仍在许多模拟集成电路中广泛使用的原因。由于电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，因此称之为电压基准（VR）更为合适。目前，VR的研究方向都与其主要性能参数有关。一是功耗，降低功耗的常用方法是采用亚阈值金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），因为亚阈值MOSFET的电流比普通MOSFET低得多，适合于低功耗设计[1-8]。另一个是输出电压的温度系数（TC），它是反映VR性能的重要参数。迄今为止，世界各地的研究人员已经提出了许多方法来提高VR的TC，以适应不同的应用。传统BGR输出电压中含有高阶非线性项，导致输出电压的温度曲线具有一定的曲率，从而决定了输出电压的温度系数。有的文献利用非线性电流来补偿输出电压中的高阶非线性项[9~14]。也有研究者将温度范围分成几部分，对每部分温度分别进行补偿，这种方法称为分段补偿[9，15]。一般来说，这种方法的补偿效果较好，但是电路结构稍复杂。针对正向偏置PN结电压的非线性特性，补偿方法有两种，一种方法是利用流过正向偏置PN结的不同TC电流来补偿曲率[10，16~20]，另一种方法是通过不同的器件来补偿曲率[21，22]。以上两种方法都是利用PN结的温度特性来补偿温度曲率，比较适用于基于传统BGR电路结构的VR。亚阈值BGR在低功耗方面具有优势，但是传统BGR具有更好的工艺兼容性和更好的TC，这也是本文基于传统电流型BGR设计VR的原因。段全振等人在2015年提出了一种利用NPN BJT进行补偿的方法[21]，该补偿曲率的方法简单实用，但需要NPN BJT工艺的支持，有些特定工艺无法提供NPN BJT，根据特定工艺的特点，我们利用工艺设计了一种高精度曲率补偿VR