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本文介绍了 FinFET 的温度灵敏度以及基于晶体管 Fin 宽度将 FinFET 用作温度纳米传感器的可能性。使用多栅极场效应晶体管 (MuGFET) 仿真工具来检查温度对 FinFET 特性的影响。首先模拟了不同温度和通道 Fin 宽度 (WF = 5、10、20、40 和 80 nm) 下的电流-电压特性，本研究采用了二极管模式连接。在工作电压 V DD 为 0–5 V 时，在最大 ∆I 下，FinFET 具有最佳温度灵敏度。根据结果，温度灵敏度随通道 Fin 宽度 (5-80 nm) 的整个范围线性增加，此外，较低的栅极 Fin 宽度 (WF =5nm) 可以在较低的工作电压 (V DD =1.25 V) 下实现更高的灵敏度。
基于沟道的FinFET温度特性...
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