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World File Search System温度系数
C / B 300 系列
一般效率. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 - 90 % 工作温度. . . . . . . . . –20 至 +75 °C 负载降额. . . . . . . . . . . . . . . . 2.5 % / °C 从 +55 °C 存储温度. . . . . . . . . . . . –40 至 +85 °C 湿度. . . . . . . . . . . . . . . . 高达 95 % RH，无冷凝冷却. . . . . . . . . . . . . . . . ...自然对流 温度系数.... 0.02 % / °C 典型值 安全 / 结构.... . . . . . . 符合 DIN / EN 60950-1: 2003 保护类别.... . . . . . . IP 20，其他或 NEMA 可根据要求 EMI.... . . . . . . . . . . . . . . 符合 EN 55022，A 类，可选 B 类 MTBF.... . . . . . . . . . . . . . . . 约 140,000 小时 @ 40°C 符合...符合 MIL - HDBK - 217 E（注意事项 1） 欧洲卡式磁带连接器 - 标准设计。。。。。H 15（详情见第 103 页） 标记。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。CE
RECOMA HT – 耐高温稀土磁铁
在 Sm Co 型磁体中，矫顽力随温度的下降通常比 NdFeB 小得多。而且，与 NdFeB 材料相比，化学和微观结构的变化可以进一步将矫顽力的可逆温度系数 (RTC) 降低到非常低的值。一些报告甚至表明矫顽力在有限的温度范围内增加。因此，可以在高温下实现高矫顽力，而不会在室温下产生过大的矫顽场。标准 Recoma 28HE 在 20 至 300°C 之间的 RTC(H) 约为 0.26%/K，而高 cJ 温度等级 Recoma HT520 仅为 0.14%/K。虽然 Recoma HT 等级的室温矫顽力可能明显低于我们的标准等级或高温 NdFeB 等级，但它们可以在更高的温度下使用。
应用说明 - Thierry LEQUEU
定期检查螺纹套管的紧密配合度，包括在 40 ˚C/93 % r.h. 的潮湿环境中（符合 IEC 60068-2-3）持续 4 天，并进行 3 周的定期测试。∅ 2 mm 孔的通常粘合强度为 20 N（例如P 11 × 7、RM 5）和 ∅ 3 mm 孔的通常粘合强度为 30 N（例如P 14 × 11、RM 6），远远超出了这一范围，平均达到 > 100 N。不断检查螺纹套管是否正确定心。总体而言，受控的自动化程序保证了比手动粘合更高的可靠性，手动粘合不可避免地存在不足之处。由于铁氧体具有孔隙性，因此无法始终避免因渗透的硬化粘合剂而对铁氧体结构产生张力。因此，相对温度系数 α F 可能增加约 0.2 · 10 -6 /K。
使用彩色皮秒声学和椭圆偏振光谱法对薄树脂膜进行弹性和热弹性表征
彩色皮秒声学 (CPA) 和光谱椭圆偏振术 (SE) 相结合，测量沉积在 300 毫米晶圆上的聚合物薄膜树脂的弹性和热弹特性。使用 SE 测量膜厚度和折射率。使用 CPA 根据折射率测量声速和厚度。比较两种厚度可以检查两种方法之间的一致性。然后在 19 ◦ 至 180 ◦C 的不同温度下应用相同的组合。随着样品被加热，厚度和声速都会发生变化。通过分别监测这些贡献，可以推导出声速温度系数 (TCV) 和热膨胀系数。该协议适用于目前微电子工业使用的不同薄膜树脂制成的五种工业样品。杨氏模量在不同树脂之间相差高达 20%。每种树脂的 TCV 都很大，并且从一个树脂到另一个树脂的相差高达 57%。
syllabus-i-i-to-iv-m.com-49233-652-276-354.pdf
1。研究P-N二极管的I-V特征。2。找到半导体的霍尔系数的值。3。通过螺旋方法找到电子的E/M值。4。使用四个探针方法找到内在半导体的带隙。5。找到氩气的闪烁和淬火潜力，并找到未知电容器的电容。6。使用光电细胞找到普朗克常数的值。7。通过使用PT电阻温度计，通过邮局来找到电阻的温度系数。8。使用甲拉头管找到氩/汞的电离潜力。9。研究磁场的变化，并通过Stewart和Gee的设备找到线圈半径。10。研究（Cu-Fe，Cu-Constantan）热电偶的特征。11。通过追踪B-H曲线来计算磁滞损失。12。通过压电方法找到超声波的频率。13。验证Richardson热离子方程。14。使用CRO实现半波和全波二极管整流器。
DustTrak 气溶胶监测仪 - TSI
传感器类型 90° 光散射 范围 0.001 至 100 mg/m 3（根据 ISO 12103-1、A1 测试粉尘校准） 分辨率 读数的 ±0.1% 或 ±0.001 mg/m 3，以较大者为准 零点稳定性 使用 10 秒时间常数，24 小时内为 ±0.001 mg/m 3 颗粒大小范围 0.1 至约 10 微米 可调流速 1.4 至 2.4 l/min（标称 1.7） 温度系数 +0.001 mg/m 3 / °C（针对与 D UST T RAK 归零时的温度变化） 工作温度 32° F 至 120° F（0°C 至 50°C） 存储温度 -4° F 至 140° F（-20°C 至 60°C） 工作湿度 0 至 95% rh （非冷凝） 时间常数 可调范围：1 至 60 秒 数据记录 31,000 个数据点（每分钟记录一次，共 21 天） 记录间隔 可调范围：1 秒至 1 小时
CAL200技术参考手册
当麦克风和仪器处于室温附近的温度或不接近海平面的静态压力以外的其他温度时，则需要在环境温度和现行的静态压力下添加校正。使用CAL200检查从Larson Davis运送的校准数据，以获取这些校正。可以将校正添加到上一段中获得的级别，以获取CAL200的实际级别。麦克风的灵敏度随静压而变化。如果仪器在一个环境中校准并移动到另一种环境，则灵敏度将根据温度和压力的变化而变化（稳定后）。静压系数通常为-0.013 dB/kpa，用于PCB®½英寸自由场麦克风。例如，如果系统在85 kPa下进行校准，那么在海平面上，该系统的灵敏度降低了0.21db。麦克风的灵敏度也随温度而变化略有不同。PCB½“自由场麦克风的温度系数通常为-0.009 dB/°C。如果在18°C下校准了系统，则在23°C下的敏感性降低了0.05 dB。
采用 RF 兼容工艺实现的功率 AlGaN/GaN HEMT 击穿失效机制研究
研究了功率 AlGaN/GaN HEMT 系列的击穿失效机制。这些器件采用市售的 MMIC/RF 技术与半绝缘 SiC 衬底制造。在 425 K 下进行 10 分钟热退火后，对晶体管进行了随温度变化的电气特性测量。发现没有场板的器件的击穿性能下降，负温度系数为 0.113 V/K。还发现击穿电压是栅极长度的减函数。在漏极电压应力测试期间，栅极电流与漏极电流同时增加。这表明从栅极到 2-DEG 区域的直接漏电流路径的可能性很大。漏电流是由原生和生成的陷阱/缺陷主导的栅极隧穿以及从栅极注入到沟道的热电子共同造成的。带场板的器件击穿电压从 40 V（无场板）提高到 138 V，负温度系数更低。对于场板长度为 1.6 l m 的器件，温度系数为 0.065 V/K。2011 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。