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World File Search System温度系数
基于横向BJT的高阶曲率补偿电压基准
固定的1.2V输出，接近于硅的带隙电压。电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，可以根据应用需要进行调整，这也是电流型BGR仍在许多模拟集成电路中广泛使用的原因。由于电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，因此称之为电压基准（VR）更为合适。目前，VR的研究方向都与其主要性能参数有关。一是功耗，降低功耗的常用方法是采用亚阈值金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），因为亚阈值MOSFET的电流比普通MOSFET低得多，适合于低功耗设计[1-8]。另一个是输出电压的温度系数（TC），它是反映VR性能的重要参数。迄今为止，世界各地的研究人员已经提出了许多方法来提高VR的TC，以适应不同的应用。传统BGR输出电压中含有高阶非线性项，导致输出电压的温度曲线具有一定的曲率，从而决定了输出电压的温度系数。有的文献利用非线性电流来补偿输出电压中的高阶非线性项[9~14]。也有研究者将温度范围分成几部分，对每部分温度分别进行补偿，这种方法称为分段补偿[9，15]。一般来说，这种方法的补偿效果较好，但是电路结构稍复杂。针对正向偏置PN结电压的非线性特性，补偿方法有两种，一种方法是利用流过正向偏置PN结的不同TC电流来补偿曲率[10，16~20]，另一种方法是通过不同的器件来补偿曲率[21，22]。以上两种方法都是利用PN结的温度特性来补偿温度曲率，比较适用于基于传统BGR电路结构的VR。亚阈值BGR在低功耗方面具有优势，但是传统BGR具有更好的工艺兼容性和更好的TC，这也是本文基于传统电流型BGR设计VR的原因。段全振等人在2015年提出了一种利用NPN BJT进行补偿的方法[21]，该补偿曲率的方法简单实用，但需要NPN BJT工艺的支持，有些特定工艺无法提供NPN BJT，根据特定工艺的特点，我们利用工艺设计了一种高精度曲率补偿VR
Mostafa Esmaeili Shayan、Gholamhassan Najafi
符号 首字母缩略词 P 功率 AC 交流电 D 需求 ARMA 自回归移动平均线 I 电流，太阳辐照度 BESS 电池储能系统 Q 辐照度 COE 电力成本 T 温度 DC 直流电 V 电压 DE 柴油发电机 W,S 风速 DER 分布式能源资源 下标 ED 经济调度 min 最小值 HERS 混合可再生能源系统 ci 接入 IRR 内部收益率 co 断开 LCOE 平准化能源成本 dy 动态 MG 微电网 max 最大值 NCF 净现金流 s 水平 NPV 净现值 yr 每年 PID 比例积分导数 希腊符号 PV 光伏 ƞ 效率 RES 可再生能源系统 ∆t 采样时间间隔 ROI 投资回报率 坡度角 SOC 充电状态 方位角 STC 标准测试条件 α 功率温度系数 SUC 随机机组投入 δ 自回归移动平均线的系数模型 UC 机组组合 ε 预测误差 WT 风力涡轮机 μ 移动平均系数 ZEB 零能耗建筑
电动汽车大规模发展的关键挑战：全面回顾
AC 交流电 ACO 蚁群优化 BEV 纯电动汽车 BMS 电池管理系统 BSS 电池换电站 BTMS 电池热管理系统 DC 直流电 DWPT 动态无线功率传输 E3G 第三代环保主义 EchM 电化学模型 ECM 等效电路模型 EVCS 电动汽车充电站 EV 电动汽车 EVSE 电动汽车供电设备 GA 遗传算法 HEV 混合动力电动汽车 HOV 高乘载汽车 ICEV 内燃机汽车 IEC 国际电工委员会 IP 整数规划 ISO 国际标准化组织 PCM 相变材料 PEV 插电式电动汽车 PSO 粒子群优化 PTC 正温度系数 RUL 剩余使用寿命 RTR 温升速率 SAE 汽车工程师协会 SOC 充电状态 SOH 健康状态 V2B 车对楼 V2G 车对电网 V2H 车对家 V2L 车对负载 V2V 车对车 V2X 车对万物 VCC蒸汽压缩循环 WPT 无线电力传输
低功率系统的1.8-NW sub-1V自偏见子gap参考
摘要提出了标准0.18- µm CMOS技术的超低功率子串电压参考电路。利用V Be和V Th的负温度特性，一种新型的自偏自偏电路结合了寄生BJT和MOSFET的组合，用于实现纳米瓦特功率调整的温度补偿的子带电压参考。测量结果表明，提议的电路提供的平均参考电压为261.6 mV，变化系数为0.86％。在27℃的供应电压范围为0.9 V至1.8 V，线调节（LR）为0.26％/V，电源排斥比（PSRR）为100 Hz时的电源排斥比（PSRR）为-49 dB。通过一次性进行修剪，在一组18个样本上进行的测量结果显示，温度平均温度平均温度为25.9 ppm/ o，温度范围为-20至100°C，C。电源耗散为1.8 nW，电源电压为0.9 v在27°C下为0.9°C。CHIP面积为0.0038 mm 2。关键字：超低功率，子频率电压参考，CMOS，温度系数，芯片区域分类：集成电路（内存，逻辑，逻辑，模拟，RF，传感器）
1.2-V 2.18-ppm/C 曲率补偿 CMOS...
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路（如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备）的关键组件[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的准确性和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度系数电阻之比决定，该比值将根据工艺角和失配而发生剧烈漂移。文献 [13, 14, 15, 16] 进一步讨论了温度补偿法，利用工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压进行补偿，但亚阈值 MOS 管由于补偿面积较大，因此 TC 受工艺影响较大。文献 [17] 则采用了非线性补偿项 T ln T 的方法，T ln T 是由工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压扩散产生的，
压力传感器的肖特基二极管温度传感器
开发了具有平面电极排列的小型硅肖特基二极管 (0.8x0.8x0.4 mm 3 ) 芯片 (PSD)，用作温度传感器，在压力传感器的工作条件下工作。PSD 芯片的正向 IV 特性由 Mo 和 n-Si (ND = 3 × 10 15 cm -3 ) 之间的势垒决定。在电源电流 IF = 1 mA 时，实现了正向电压 UF = 208 ± 6 mV 和温度系数 TC = - 1.635 ± 0.015 mV/⁰C（线性度 k T <0.4%，温度范围为 - 65 至 +85 ⁰C）。由于芯片 PSD 包含沿阳极周边的两个 p 型保护环结构，因此反向 IV 特性具有高击穿电压 U BR > 85 V 和低漏电流 IL < 5 μA（25 ⁰C 时）和 IL < 130 μA（85 ⁰C 时）（UR = 20 V）。证明了 PSD 芯片适用于从 - 65 到 +115 ⁰C 的更宽温度范围。温度传感器的独立芯片 PSD 位于距离压力传感器芯片不到 1.5 毫米的位置。PSD 芯片传输输入数据，以通过 ASIC 对压力传感器误差进行温度补偿并进行直接温度测量。关键词：温度传感器、肖特基二极管、Mo/Si-n 屏障、保护环、压力传感器。
背部接触金属工作功能对CDTE太阳能电池性能的影响
CDTE薄膜太阳能电池由于电荷损失而导致背部接触材料的工作功能不匹配而导致后部接触的功率损失。因此，有必要通过创建大型肖特基屏障来找到适当的背接触材料，这些材料不会降低细胞性能。用于降低屏障高度的既定策略之一是将具有高功能功能的金属沉积到CDTE背面。在这项研究中，我们使用了金属工作函数的普遍报道值的平均值来研究各种金属（用作返回接触）对CDTE太阳能电池性能的影响。没有任何其他策略来克服肖特基触点，当使用低于5.0 eV的金属时，太阳能电池的效率会严重降低。诸如PT，PD和AU等具有很高工作功能的金属产生的细胞效率高达18.6％，但较低的工作功能金属（如AL）几乎将效率完全降低到低于0.5％。我们的发现表明，Schottky屏障主要影响VOC和FF，因为JSC仅显示略有减少。受到极端工作温度的影响，效率在很大程度上随温度而降低。对于表现最高的金属，已获得-0.3至-0.45/ o的温度系数。
与厚印刷铜兼容的新型氮可燃铜镍厚膜浆料配方研究
摘要：本文重点介绍一种新型铜镍厚膜电阻浆料，该浆料专为实现低欧姆功率电阻而设计和实验开发。这种铜镍浆料设计用于厚印刷铜导体，与传统的钌基厚膜电阻浆料相比，可在氮气保护气氛中烧结。铜镍浆料由铜和镍微粒、玻璃粘合剂颗粒和有机溶剂组合制成，并针对在氮气气氛中烧结进行了优化。本文详细介绍了铜镍浆料的成分及其热性能（通过同步热分析验证）、干燥和烧结铜镍膜的形态描述以及最终印刷电阻的电参数。通过电子显微镜和元素分布分析证明，铜和镍微粒在烧结过程中扩散在一起并形成均匀的铜镍合金膜。该薄膜具有低电阻温度系数 ± 45 × 0 − 6 K − 1 和低薄层电阻值 45 m Ω /square。经验证，配制的铜镍浆料可氮烧，并且与厚印刷铜浆料具有良好的兼容性。这种组合允许实现直接集成低欧姆电阻器的功率基板。
电动汽车充电和温度监控...
海得拉巴，印度摘要 - 在电动机的领域，我们的论文揭示了创新的电动汽车电池管理系统。利用Arduino Nano和精确传感器的功能，我们的系统开拓者全面充电和温度监测。实时数据采集可以精确控制，优化电池性能和寿命。再加上直观的LCD显示屏，驾驶员立即获得见解，确保了无缝有效的驾驶体验。与我们一起踏上这一迈向可持续和智能电动汽车技术的令人振奋的旅程。有效的电池管理系统（BMS）对于最大程度地提高电动汽车（EV）的产出和安全性至关重要，监控参数，确定充电状态（SOC）并提供必要的服务。正在进行的研究重点是开发越来越有能力的BMS来增强EV性能和可靠性。电动汽车（EV）的采用正在上升，电池是关键组件。电池管理系统（BMS）对于准确的充电状态（SOC）估计至关重要；但是，现有方法面临诸如累积错误和忽视温度等因素之类的限制。本文提出了一种考虑温度通过温度系数对SOC的影响的方法，通过将这些因素纳入状态空间电池模型来提高精度。关键字 - 电池管理系统（BMS），电压管理，温度，电动汽车（EV）。
有关电气工程的注释...
1。最高的电导率（理想情况下为零）。2。电阻的最小可能温度系数（理想情况下为零）。3。高熔点。4。高机械强度。5。高延展性，因此可以轻松地以电线的形式绘制。6。高腐蚀性（无氧化）。 7。 焊接能力，因此可以轻松焊接以加入导体。 8。 低成本。 9。 长寿或耐用。 10。 高灵活性。 上述所需属性随使用材料的目的而变化。 金属或非金属的任何杂质都会增加金属的电阻率。 即使是低电阻率的杂质也会增加金属的电阻率。 其原因是，添加轻微的杂质在晶格中产生了缺陷，从而干扰了电子通过金属的流动。 下表中给出了一些低电阻率或高电导率材料及其具有电阻系数的电阻率： -高腐蚀性（无氧化）。7。焊接能力，因此可以轻松焊接以加入导体。8。低成本。9。长寿或耐用。10。高灵活性。上述所需属性随使用材料的目的而变化。金属或非金属的任何杂质都会增加金属的电阻率。即使是低电阻率的杂质也会增加金属的电阻率。其原因是，添加轻微的杂质在晶格中产生了缺陷，从而干扰了电子通过金属的流动。下表中给出了一些低电阻率或高电导率材料及其具有电阻系数的电阻率： -