机构名称：
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摘要提出了标准0.18- µm CMOS技术的超低功率子串电压参考电路。利用V Be和V Th的负温度特性，一种新型的自偏自偏电路结合了寄生BJT和MOSFET的组合，用于实现纳米瓦特功率调整的温度补偿的子带电压参考。测量结果表明，提议的电路提供的平均参考电压为261.6 mV，变化系数为0.86％。在27℃的供应电压范围为0.9 V至1.8 V，线调节（LR）为0.26％/V，电源排斥比（PSRR）为100 Hz时的电源排斥比（PSRR）为-49 dB。通过一次性进行修剪，在一组18个样本上进行的测量结果显示，温度平均温度平均温度为25.9 ppm/ o，温度范围为-20至100°C，C。电源耗散为1.8 nW，电源电压为0.9 v在27°C下为0.9°C。CHIP面积为0.0038 mm 2。关键字：超低功率，子频率电压参考，CMOS，温度系数，芯片区域分类：集成电路（内存，逻辑，逻辑，模拟，RF，传感器）
低功率系统的1.8-NW sub-1V自偏见子gap参考
主要关键词
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