金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异(Kirkendall 效应)形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固,但由于金属间化合物的体积变化,与 Au 和 Al 相比,键合更脆,机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成,引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段,空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而,长时间暴露在高温下会增加空洞,直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上,从而导致设备故障。
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异(Kirkendall 效应)形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固,但由于金属间化合物的体积变化,与 Au 和 Al 相比,键合更脆,机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成,引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段,空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而,长时间暴露在高温下会增加空洞,直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上,从而导致设备故障。