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World File Search System湿法
在欧洲各种降雨范围内，应用不同的方法在每日规模上建模干燥和湿法
摘要。可以使用Arrarrive时间（IT）共同传达降雨干咒和湿法（分别为DS和WS）的发生的建模（分别为DS和WS）。虽然建模的优点是需要单个拟合来描述所有降雨时间特征（包括湿链和干链，咒语概念的扩展），但对独立性的假设和续订的相同分布的假设和相同的分布在某些情况下可能不会在衍生的WS身上隐含地施加无内存的属性。In this study, two different methods for the modeling of rainfall time characteristics at the station scale have been applied: (i) a direct method (DM) that fits the discrete Lerch distribution to it records and that then derives ws and ds (as well as the corresponding chains) from the it distribution and (ii) an indirect method (IM) that fits the Lerch distribution to the ws and ds records separately, relaxing the assumptions续签过程。该应用程序在欧洲的六个站点上以广泛的降雨状态为特征，突出了几何分布如何并不总是合理地重现WS频率，即使它是通过LERCH分布很好地建模的。通过IM获得了改进的性能，这要归功于对续订时间的独立性和相同分布的假设的放松。将数据集分为两个时期时，将获得进一步改善，这表明这些推论可能会从考虑当地季节性的情况下受益。
半导体制造中使用的含 PFAS 湿化学品
在大多数湿法蚀刻、CMP、电镀和其他晶圆清洗操作中，晶圆上暴露于湿法化学处理步骤的区域是由光刻掩模操作定义的非常特殊的区域。因此，在评估湿法化学工艺的复杂性和挑战性时，必须考虑所制造集成电路特征的尺寸和几何复杂性。虽然半导体通常由直径一般为 200 毫米或 300 毫米、厚度约为 800 微米的晶体硅晶圆制成，但单个集成电路器件结构通常具有以纳米为单位的关键尺寸，因此属于分子尺度。器件特征（而非整个晶圆）的尺寸和材料复杂性对湿法化学处理提出了挑战。
原子层沉积结合湿法刻蚀制备亚5nm纳米台阶高度参考材料的研究
摘要：纳米台阶作为经典的纳米几何参考材料，在半导体工业中用于校准测量，因此控制纳米台阶的高度是保证测量准确的关键。为此，本研究采用原子层沉积（ALD）结合湿法刻蚀制备了形貌良好的高度为1，2，3和4nm的纳米台阶。利用三维保形ALD工艺有效控制制备的纳米台阶的粗糙度。此外，使用基于仿真的分析研究了表面粗糙度与高度之间的关系。本质上，粗糙度控制是制备临界尺寸小于5nm的纳米台阶的关键。在本研究中，通过ALD和湿法刻蚀相结合成功实现的纳米台阶的最小高度为1nm。此外，基于1nm纳米台阶样品，分析了标准材料质量保证的前提条件和制备方法的影响因素。最后，利用制备的样品进行时间依赖性实验，验证了纳米台阶作为参考材料的最佳稳定性。这项研究对制备高度在5纳米以内的纳米几何参考材料具有指导意义，并且该方法可以方便地用于制备晶片尺寸台阶高度参考材料，从而实现其在集成电路生产线中大规模工业化在线校准应用。
对(𝟐̅𝟎𝟏)中蚀刻坑参数的分析......
摘要。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用（2 ̅ 01）β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明，加热后可能形成小角度晶界。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用（2 ̅ 01）β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明，加热后可能形成小角度晶界。关键词：选择性湿法蚀刻，β-Ga 2 O 3，氧化镓，半导体，晶体衬底，小角度晶界
单组分等离子体在光电探测器阵列周期性结构的 ICP-RIE 蚀刻工艺中的应用
红外 (IR) 探测技术的发展主要依赖于 InAs/GaSb SL 外延 [1] 和生长后处理 [2] 的改进。为了实现最佳性能，必须优化器件架构 [3] 以及台面结构，使其侧壁垂直且光滑，以防止像素间距较小的焦平面阵列 (FPA) 中的串扰，其中周长与表面积的纵横比很高 [2, 4]。表面台面的粗糙度、反应产物的存在以及电活性缺陷的表面密度（包括断裂的化学键）都会影响表面漏电流的大小 [5]。台面型结构可以通过湿法或干法蚀刻来创建。先前的研究表明，无机和有机酸性蚀刻剂都适用于 InAs/GaSb 超晶格 (SL) 的湿法蚀刻 [5, 6]。湿法蚀刻有许多优点，例如断裂的化学键数量少、自由载流子密度降低，因此漏电流低 [6, 7]。然而，也会产生不良反应产物并残留在侧壁表面上，导致漏电流的显著增加。湿法蚀刻也是各向异性的，导致台面侧壁几何形状不理想 [8]。另一方面，InAs 和 GaSb 材料的干法蚀刻经常使用气态氯与惰性气体（如氩气）的组合 [9, 10]。气态氯因其高挥发性和高蚀刻速率而受到青睐，而氩离子通过轰击蚀刻表面简化了反应产物的解吸。BCl 3 蚀刻具有较低的蚀刻速率，但使用它会产生更光滑的台面侧壁 [11]。BCl 3 /Ar 等离子体的使用已被证明在分立探测器中是有效的。尽管如此，当用于台面时，它表现出次优性能
对金属从电子废物中提取金属的高分测铝，湿法和生物 - 氢铝的比较分析。
对冶金和材料科学领域的高温耐铝，水透明和生物甲状腺素的比较分析是一项有价值的研究。这些冶金过程被用来从各种来源提取金属，了解它们的差异和优势对于有效的金属恢复和可持续资源管理至关重要。从矿石，浓缩物和废料中提取和回收金属是冶金工业的基本过程。在可用的各种方法中，高分测铝，水透明和生物 - 羟基铝作为独特且广泛使用的方法。高温铝过程也称为干法，水均能铝过程称为湿法方法，而生物 - 氢铝过程称为生物介绍过程。干燥，湿和生物涉及方法之间的比较分析旨在探索，评估和对比这些方法，在电子废物（电子废物）中提取金属的背景下，阐明了它们的原理，应用和环境影响。电子废物或电子废物在全球范围内越来越多。电子垃圾包含无数有价值的金属，包括但不限于黄金，白银，铜和钯，以及危险物质，使其适当的管理至关重要。提取方法的选择在确定金属恢复，经济生存能力和环境影响的效率方面起着关键作用。这种比较分析的主要目的是提供对高分测铝，水透明和生物 - 氢铝的全面理解，因为它们与从电子废物中提取金属有关。通过检查这三种方法的原理，过程，选择性，能源需求，环境影响以及经济考虑，旨在将决策者，研究人员和行业专业人员告知可持续电子垃圾回收的最佳实践。
安集科技(688019.SH) 国内CMP抛光液领先企业
在集成电路制造过程中，晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一，化学机械抛光 （ CMP ）、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积（电镀）等表面技术扮演重要的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理 技术和高端化学品配方核心技术，专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案，成功搭建了 “ 化学机械抛光液 - 全品类 产品矩阵 ” 、 “ 功能性湿电子化学品 - 领先技术节点多产品线布局 ” 、 “ 电镀液及其添加剂 - 强化及提升电镀高端产品系列战略供 应 ” 三大核心技术平台。
纤维的比较结构表征...
方法旨在通过实验和有限元分析 (FEA) 研究确定旋转圆盘的纤维增强复合材料的机械行为。首先，对两个不同系列进行 FEA 分析，载荷条件为旋转速度 600 RPM，外部摩擦力 10 N。其中，利用 FEA 工具对七种不同的复合材料样品进行结构特性分析，例如环氧-碳-UD-预浸料-SiC、环氧-碳-UD-湿法-SiC、环氧-碳-编织-预浸料-SiC、环氧-碳-编织-湿法-SiC、环氧-E-玻璃-UD-SiC、环氧-E-玻璃-湿法-SiC 和环氧-S-玻璃-UD-SiC。除这些材料外，还通过 FEA 分析了四种基础材料，以在相同载荷条件下进行比较。其次，进行了实验研究，以调查带有碳化硅 (SiC) 的 FRP 实心盘式制动器转子的适用性，为此，准备了基于碳编织基陶瓷复合材料的 ASTM 标准样品销盘装置。还在两种方法的位移之间执行了验证。最后，这项工作证实了碳纤维陶瓷基复合材料是抵抗旋转动力载荷的良好材料，因此这项工作还强烈建议在制造飞机和汽车盘式制动器等旋转部件时实施 CCMC。
NIST 和 NQI 的更新
晶圆处理 湿法清洗 溶剂清洗 Piranha 溶液 RCA 清洗 光刻 离子注入 干法蚀刻 湿法蚀刻 等离子灰化 热处理 快速热退火 炉退火 热氧化 化学气相沉积 (CVD) 物理气相沉积 (PVD) 分子束外延 (MBE) 电化学沉积 (ECD) 化学机械平坦化 (CMP) 晶圆测试 晶圆背面研磨 芯片制备 晶圆安装 芯片切割 IC 封装 芯片附着 IC 键合 引线键合 热超声键合 倒装芯片 晶圆键合 胶带自动键合 (TAB) IC 封装 烘烤 电镀 激光打标 修整和成型 IC 测试